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      倒裝led封裝結(jié)構(gòu)及制作方法_3

      文檔序號:9262410閱讀:來源:國知局
      br>[0103]f.在熒光層上黏著一透光基板4 ;該透光基板在切割成單顆芯片封裝結(jié)構(gòu)后,保留或去除,保留則為本實施例封裝結(jié)構(gòu),去除則為另一種封裝結(jié)構(gòu),該另一種封裝結(jié)構(gòu)還可以通過在熒光層上黏著一不透光基板,在切割成單顆芯片封裝結(jié)構(gòu)后去除不透光基板形成。
      [0104]g.參見圖5a,通過解鍵合,去除所述LED倒裝芯片的電極面上的基底11 ;
      [0105]h.參見圖5b,在所述透光加強層及所述LED倒裝芯片的電極面上鋪一層保護層6,在所述保護層上預(yù)設(shè)焊料的位置處形成暴露所述LED倒裝芯片電極的開口,并在該開口處形成焊料凸塊7 ;
      [0106]1.切割形成單顆芯片封裝結(jié)構(gòu),參見圖5。其中切割方式為正切或背切,具體的,正切定義為切割刀入刀位置在焊料凸塊面,正切方式,需要在非焊料凸塊面貼一劃片膜,將焊料凸塊面的支撐膜去除,然后從焊料凸塊的面入刀進行切割;背切定義為切割刀入刀位置為非焊料凸塊面,本實施例非焊料凸塊面為熒光層或其上的玻纖材料,背切方式無需倒膜步驟。
      [0107]可選的,周側(cè)圍層的單層結(jié)構(gòu)還可以為一層熒光層或一層吸光層或一層反光層。比如,參見圖10,圖10給出了本實施例4的另一種倒裝LED封裝結(jié)構(gòu);其中,出光面上包裹有下圍層,下圍層為兩層結(jié)構(gòu),從內(nèi)至外依次為熒光層2和透光基板4 ;周側(cè)面上包裹有周側(cè)圍層,周側(cè)圍層為單層結(jié)構(gòu),該單層結(jié)構(gòu)為一層熒光層。熒光層可采用熒光粉,或者摻有熒光粉的透明膠類,或者熒光物質(zhì)制成的干膜。透光基板在封裝過程中起到支撐作用,在晶圓切割成芯片后,保留作為透光加強層,以增加芯片的機械強度。
      [0108]實施例5
      [0109]如圖6所示,一種倒裝LED封裝結(jié)構(gòu),包括LED倒裝芯片1,所述LED倒裝芯片具有電極面101、與該電極面相對的出光面102和周側(cè)面103 ;
      [0110]電極面上包裹有上圍層,該上圍層為一層保護層6,所述保護層上設(shè)有開口,所述開口暴露出LED倒裝芯片I的電極9,所述電極上設(shè)有焊料凸塊7。保護層能隔離水汽、空氣等,避免電極或連接電極金屬材料的腐蝕等,保護層6的材料包括環(huán)氧樹脂等高分子聚合物,氧化硅,氮化硅,塑封材料等的一種或多種。
      [0111]所述周側(cè)面上包裹有周側(cè)圍層,所述周側(cè)圍層為單層結(jié)構(gòu),該單層結(jié)構(gòu)為一層透光加強層3,透光加強層以透光和增加芯片機械強度;透光加強層材料可以是有機材料如硅膠、半固化膜,或者是帶有玻纖的增強型復(fù)合有機材料;
      [0112]所述出光面上包裹有下圍層,所述下圍層為兩層結(jié)構(gòu),出光面的雙層結(jié)構(gòu)為由內(nèi)向外依次為透光加強層3、含有玻纖布的熒光玻纖復(fù)合層12。熒光玻纖復(fù)合層是一種熒光復(fù)合材料,為含有玻纖布8的熒光薄膜材料,其厚度可以為100至600微米,在轉(zhuǎn)換出光的顏色的同時,可增加芯片的機械強度。
      [0113]可選的,周側(cè)圍層的單層結(jié)構(gòu)為一層透光加強層3,出光面的雙層結(jié)構(gòu)為由內(nèi)向外依次為透光加強層3、焚光層2。
      [0114]可選的,周側(cè)圍層的單層結(jié)構(gòu)為一層熒光層2,出光面的雙層結(jié)構(gòu)為由內(nèi)向外依次為熒光層2、熒光玻纖復(fù)合層12。
      [0115]可選的,周側(cè)圍層的單層結(jié)構(gòu)為一層熒光層,出光面的雙層結(jié)構(gòu)為由內(nèi)向外依次為熒光層2、透光玻纖復(fù)合層13。透光玻纖復(fù)合層是一種帶有玻纖布的增強型透光復(fù)合有機材料,用以透光并增加芯片的機械強度。參見圖7,作為一種優(yōu)選實施例,該倒裝LED封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,按以下步驟制作:
      [0116]A.提供一表面平整的基底,及若干單顆LED倒裝芯片,所述LED倒裝芯片具有電極面、與該電極面相對的出光面和周側(cè)面;
      [0117]B.將若干所述LED倒裝芯片的電極面朝向下,按陣列貼在所述基底的表面上;
      [0118]C.形成一層完全包裹住若干所述LED倒裝芯片的熒光層;
      [0119]D.參見圖7a,在所述焚光層上貼一含有玻纖布的透光玻纖加強層;
      [0120]E.參見圖7b,去除所述LED倒裝芯片的電極面上的所述基底;
      [0121]F.參見圖7c,在所述熒光層及所述LED倒裝芯片的電極面上鋪一層保護層,在所述保護層上預(yù)設(shè)焊料的位置處形成暴露所述LED倒裝芯片電極的開口,并在該開口處形成焊料凸塊;
      [0122]G.切割形成單顆芯片封裝結(jié)構(gòu),參見圖7。
      [0123]實施例6
      [0124]如圖8所示,一種倒裝LED封裝結(jié)構(gòu),包括LED倒裝芯片1,所述LED倒裝芯片具有電極面101、與該電極面相對的出光面102和周側(cè)面103 ;
      [0125]電極面上包裹有上圍層,該上圍層為一層保護層6,所述保護層上設(shè)有開口,所述開口暴露出LED倒裝芯片I的電極9,所述電極上設(shè)有焊料凸塊7。保護層能隔離水汽、空氣等,避免電極或連接電極金屬材料的腐蝕等,保護層6的材料包括環(huán)氧樹脂等高分子聚合物,氧化硅,氮化硅,塑封材料等的一種或多種。
      [0126]所述周側(cè)面上包裹有周側(cè)圍層,所述周側(cè)圍層為單層結(jié)構(gòu),該單層結(jié)構(gòu)為一層透光加強層,透光加強層以透光和增加芯片機械強度;該透光加強層材料可以是有機材料如硅膠、半固化膜,或者是帶有玻纖的增強型復(fù)合有機材料;
      [0127]所述出光面上包裹有下圍層,所述下圍層為三層結(jié)構(gòu),出光面的三層結(jié)構(gòu)為由內(nèi)向外依次為透光加強層、熒光層、透光基板;或者,出光面的三層結(jié)構(gòu)為由內(nèi)向外依次為熒光層、透光加強層、透光基板。
      [0128]實施例7
      [0129]如圖9所示,本實施例7包含實施例4的所有技術(shù)特征,其區(qū)別在于,所述電極面上包裹有上圍層,所述上圍層為兩層結(jié)構(gòu),由內(nèi)向外依次為絕緣層10和保護層6,所述絕緣層和所述保護層之間形成有金屬重布線5,所述金屬重布線電性連接所述LED倒裝芯片的電極和所述焊料凸塊。金屬重布線用以實現(xiàn)LED倒裝芯片輸出端口的重新布局。
      [0130]作為一種優(yōu)選實施例,該倒裝LED封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,按以下步驟制作:
      [0131]a.參見圖9a,提供一表面平整的基底11,及若干單顆LED倒裝芯片1,所述LED倒裝芯片具有電極面101、與該電極面相對的出光面102和周側(cè)面103 ;基底11材質(zhì)可以為玻璃、硅、塑料、陶瓷等,作為LED倒裝芯片臨時承載板。
      [0132]b.參見圖%,將若干所述LED倒裝芯片的電極面朝向下,按陣列貼在所述基底的表面上;具體為在基底表面涂布一層粘膠,作為粘結(jié)LED倒裝芯片的膠層,將待封裝單顆LED倒裝芯片的電極面朝向基底,按陣列貼在基底表面的粘膠上。
      [0133]c.參見圖9c,形成一層完全包裹住若干所述LED倒裝芯片的透光加強層;具體形成過程為:將一層或多層半固化膜3a,貼于粘有LED倒裝芯片的基底表面。在其他實施例中,可以由半固化膠涂覆在粘有LED倒裝芯片的基底表面后固化形成,或由塑封材料注塑形成。
      [0134]d.參見圖9d,去除所述LED倒裝芯片的電極面上的所述基底;并去除透光加強層的的第一表面301的膠層,露出LED倒裝芯片的電極。
      [0135]e.參見9e,在所述LED倒裝芯片的電極面上及所述透光加強層上形成一層暴露所述LED倒裝芯片的電極的絕緣層;在所述絕緣層上形成電性連接對應(yīng)電極的金屬重布線,該金屬重布線具有凸點下金屬層;即在絕緣層上對應(yīng)電極的位置開口,然后在絕緣層上制作金屬重布線5,該金屬重布線通過開口連接LED倒裝芯片的電極9,并在絕緣層上形成凸點下金屬層(Under Bump Metal,UBM),其中金屬重布線或UBM的金屬材料為銷、銅、镲、金、鈦、銀和錫中的一種或幾種的合金。
      [0136]f.參見圖9f,在所述絕緣層上重新鍵合所述基底;該鍵合方法可采用熱固化臨時鍵合。
      [0137]g.參見圖9g,減薄所述透光加強層(與第一表面301相對的第二表面302)至暴露所述LED倒裝芯片的襯底,或繼續(xù)減薄掉所述LED倒裝芯片的部分襯底,使所述LED倒裝芯片順利出光;
      [0138]h.參見圖9h,在減薄后的透光加強層及所述LED倒裝芯片的襯底表面形成一焚光層;具體的形成方法為:涂布含有熒光物質(zhì)的復(fù)合材料,之后固化處理。使用該方法形成熒光層前,可由刀切、激光燒蝕、刻蝕等方式在芯片周邊形成環(huán)狀溝槽,該環(huán)狀溝槽在芯片形成熒光層時,同時由熒光材料填充,后續(xù)形成單顆芯片時,倒裝LED倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的四個側(cè)面亦由熒光層包覆,可提高發(fā)射光的顏色的純度。另外,熒光層2的形成方法,還可以為直接貼附含有熒光材料的薄膜。
      [0139]1.參見圖9i,在熒光層上黏著一透光基板;該透光基板在切割成單顆芯片封裝結(jié)構(gòu)后,保留或去除,保留則為本實施例封裝結(jié)構(gòu),去除則為另一種封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)還可以通過在熒光層上黏著一不透光基板
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