一種有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于有機(jī)高分子、存儲(chǔ)器技術(shù)與仿生學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有學(xué)習(xí)和記憶功能的有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元。
【背景技術(shù)】
[0002]憶阻器是在電阻、電容和電感三種基本無(wú)源器件之外存在的第四種非線性電路元件，它反映了電荷和磁通量的關(guān)系，其阻值會(huì)隨著電荷流經(jīng)的方向和數(shù)量而變化。1971年，加州大學(xué)伯克利分校教授蔡少棠首次提出了憶阻器的概念，但直到2008年才由惠普實(shí)驗(yàn)室在基于二氧化鈦的金屬/絕緣體/金屬三明治結(jié)構(gòu)器件中首次實(shí)現(xiàn)了憶阻器的功能。隨后，人們陸續(xù)在氧化鎳、氧化釩、氧化鈮等多種過(guò)渡金屬氧化物中發(fā)現(xiàn)了類似的憶阻功能。
[0003]憶阻器除具有高性能存儲(chǔ)器所要求的非易失性、隨機(jī)存取、低功耗、高速、高可靠性、高容量、高集成度以及與CMOS制程工藝兼容等特征外，還具有類似于哺乳動(dòng)物大腦神經(jīng)元的學(xué)習(xí)功能。如，憶阻器能夠在單個(gè)器件單元中同時(shí)同地進(jìn)行信息存儲(chǔ)和邏輯運(yùn)算操作，無(wú)需通過(guò)總線在處理器和存儲(chǔ)器之間頻繁傳輸數(shù)據(jù)；并且其“記憶”特性與人腦突觸在生物電信號(hào)刺激下的自適應(yīng)調(diào)節(jié)極其類似，是目前已知的功能最接近神經(jīng)元突觸的器件。利用憶阻器開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)架構(gòu)，有望脫離經(jīng)典馮?諾依曼理論，獲得更大的并行處理能力和更快的數(shù)據(jù)處理速度。
[0004]目前報(bào)道的具有憶阻器功能的材料絕大部分局限于金屬氧化物，對(duì)于其他材料體系鮮有報(bào)道。與金屬氧化物相比，有機(jī)高分子材料在機(jī)械柔韌性、延展性以及生物相容性方面具有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，并且通過(guò)豐富的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與合成能夠有效調(diào)控其電磁學(xué)性能。因此，開發(fā)基于有機(jī)高分子材料的仿生憶阻器，對(duì)于實(shí)現(xiàn)下一代高性能計(jì)算機(jī)、尤其是仿生機(jī)器等具有重要的意義和極大的發(fā)展?jié)摿Α?br>
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)上述憶阻器的現(xiàn)狀，本發(fā)明提供一種利用有機(jī)高分子材料實(shí)現(xiàn)憶阻器功能的結(jié)構(gòu)單元，該結(jié)構(gòu)單元的電阻態(tài)隨著其所受施的外電場(chǎng)激勵(lì)呈現(xiàn)類似生物神經(jīng)元突觸的“學(xué)習(xí)、記憶、遺忘、回憶”特征，因此可作為新型微電子仿生單元應(yīng)用于計(jì)算機(jī)等技術(shù)領(lǐng)域。
[0006]如圖1a所示，本發(fā)明提出的憶阻結(jié)構(gòu)單元包括絕緣襯底、形成在絕緣襯底上的底電極層、形成在底電極上的憶阻層，以及形成在憶阻層上的頂電極層，其特征是:所述的憶阻層由高分子材料構(gòu)成，具有電阻轉(zhuǎn)變特性。
[0007]所述的憶阻層可以是雙層結(jié)構(gòu)，或者是單層結(jié)構(gòu)。
[0008](一)當(dāng)所述的憶阻層是雙層結(jié)構(gòu)時(shí)
[0009]如圖1b所示，所述的憶阻層由有機(jī)高分子電解質(zhì)材料構(gòu)成的有機(jī)高分子電解質(zhì)層和有機(jī)高分子材料構(gòu)成的有機(jī)高分子阻變層組成，有機(jī)高分子電解質(zhì)材料位于底電極表面，有機(jī)高分子阻變材料位于有機(jī)高分子電解質(zhì)材料表面。
[0010]有機(jī)高分子電解質(zhì)材料中包括離子液體和有機(jī)高分子絕緣體，所述離子液體是由陽(yáng)離子和陰離子組成的鹽類。有機(jī)高分子電解質(zhì)材料也可以是包含陽(yáng)離子與陰離子的單體聚合而成的聚合材料，所述的單體優(yōu)選為包含所述陽(yáng)離子與所述陰離子的乙烯基單體。
[0011]所述的陽(yáng)離子包括但不局限于鋰離子、銨離子、咪唑鎗、噁唑鎗、哌啶鎗、吡嗪鎗、吡唑鎗、噠嗪鎗、吡啶鎗、嘧啶鎗、吡咯烷鎗、吡咯啉鎗、吡咯鎗、噻唑鎗、三唑鎗、4，4’ -聯(lián)吡啶等中的一種或數(shù)種陽(yáng)離子。
[0012]所述的陰離子包括但不局限于F' Cl' Br' Γ、NO3' N(CN)2' BF4' ClO4' RSO3'RCOO-(其中，R 為 C1-C9 的烷基或苯基)、PF6_、(CF3)2PF4' (CF3)3PF3' (CF3)4PF2' (CF3)5PF'(CF3)6PF' (CF3SO3O 2、(CF3CF2SCV) 2、(CF3SO3O2N' CF3CF2(CF3)2CO' (CF3SO2)2CH' (SF5)3C'(CF3SO3-) 3C_、CF3 (CF,) 7S03_、CF3C02_和CH3C02_中的一種或兩種以上的混合陰離子。
[0013]所述的有機(jī)高分子絕緣體包括但不局限于丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸羥乙酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯腈、甲基苯乙烯、乙烯基酯、氯乙烯、1，1- 二氯乙烯、1，1- 二氟乙烯、丙烯酰胺、四氟乙烯、乙酸乙烯酯、甲基-乙烯基酮、乙烯、苯乙烯、對(duì)-甲氧基苯乙烯、對(duì)-氰基苯乙烯和丙烯酸酯等乙烯基單體和環(huán)氧乙烷中的一種或兩種以上的混合單體聚合而成的聚合材料。
[0014]所述的有機(jī)高分子阻變層是具有電化學(xué)氧化還原活性的有機(jī)高分子材料形成的。例如，所述的有機(jī)高分子電阻改變層可由聚吡咯、聚(3，4-乙烯二氧基噻吩)(PEDOT)、聚(3，4-丙烯二氧基)噻吩(PP1DOT)、聚(2，4-乙烯二氧基噻吩雙十二烷氧基苯)、聚二氧吡咯、聚(3，4-乙烯二氧基噻吩):聚(磺酸苯乙烯酯)(PED0T:PSS)、聚噻吩、聚芳胺、聚苯胺、聚乙炔、聚(對(duì)亞苯硫)、聚(對(duì)亞苯基亞乙烯)(PPV)、聚吲哚、聚芘、聚咔唑、聚甘菊環(huán)、聚氮雜卓、聚芴、聚萘、聚呋喃、聚金屬酞菁、聚金屬卟啉、聚二茂鐵、聚吡啶基金屬錯(cuò)合物、聚(4，4’ -聯(lián)吡啶鹽)，以及前述各物質(zhì)的衍生物中的一種或兩種以上的混合。
[0015]其中，聚吡啶基金屬錯(cuò)合物可由包括但不限于選自三(4-[2-(4_吡啶基)乙烯基]_4’ -甲基-2，2’ -聯(lián)卩比唳鋨(II)雙(六氟憐酸))鹽、二(4-[2-(4-卩比唳基)乙烯基]_4’ -甲基2，2’ -聯(lián)卩比唳鈷(II)雙(六氟憐酸))鹽、二(4-[2- (4-卩比卩定基)乙烯基]-4’-甲基2，2’-聯(lián)吡啶釕(II)雙(六氟磷酸))鹽、雙(2，2’-聯(lián)吡啶)[4’-甲基-4-(2-(4-吡啶基)乙烯基)-2，2’_聯(lián)吡啶]餓(II)[雙(六氟磷酸)/二碘]鹽、雙(2，2’ -聯(lián)卩比卩定)[4’ -甲基-4-(2-(4-卩比唳基)乙烯基)-2，2’ -聯(lián)卩比卩定]釕(II)[雙(六氟憐酸)/ 二碘]鹽、雙(2, 2’ -聯(lián)卩比卩定)[4，-甲基-4-(2-(3-丙基二甲氧基娃燒)卩比唳)乙烯基)-2，2’-聯(lián)吡啶]鋨(II)[三(六氟磷酸)/二碘]鹽、雙(2，2’-聯(lián)吡啶)[4’_甲基-4-(2-(3-丙基二甲氧基娃燒)卩比唳)乙烯基)-2，2’-聯(lián)卩比唳]釕(II) [二(六氟憐酸)/ 二碘]鹽、聚聯(lián)吡啶鹽等中的一種或兩種以上單體聚合而成的聚合材料。
[0016]所述的有機(jī)高分子阻變層形成在有機(jī)高分子電解質(zhì)層上的方法不限，包括電化學(xué)聚合法、旋涂法、LB或自組裝等方法。
[0017]對(duì)上述有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元施加電壓刺激，憶阻層內(nèi)的有機(jī)高分子阻變材料發(fā)生氧化反應(yīng)，產(chǎn)生陰離子，同時(shí)相對(duì)應(yīng)地，有機(jī)高分子電解質(zhì)材料發(fā)生還原反應(yīng)，產(chǎn)生陽(yáng)離子；或者，憶阻層內(nèi)的有機(jī)高分子阻變材料發(fā)生還原反應(yīng)，產(chǎn)生陽(yáng)離子，同時(shí)相對(duì)應(yīng)地，有機(jī)高分子電解質(zhì)材料發(fā)生氧化反應(yīng)，產(chǎn)生陰離子。因此，一方面，經(jīng)離子遷移后憶阻層保持電中性和穩(wěn)定性，另一方面由于離子遷移，在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生如下效應(yīng):
[0018](一)在電壓等幅連續(xù)掃描刺激下，包括負(fù)向電壓連續(xù)循環(huán)掃描刺激或者正向電壓連續(xù)循環(huán)掃描刺激，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而增加，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“學(xué)習(xí)、記憶”功能；并且，撤去該電壓掃描刺激后，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值減小，其減小幅度隨時(shí)間的增加而逐漸降低并趨于穩(wěn)定，該穩(wěn)定值高于施加該電壓刺激前憶阻單元的電流絕度值，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元的“短時(shí)記憶塑性”功能，當(dāng)再次施加該電壓刺激時(shí)，隨著掃描次數(shù)的增加，該有機(jī)高分子憶阻單元的電流絕對(duì)值逐漸恢復(fù)至前次施加電壓刺激結(jié)束時(shí)的數(shù)值，呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸基于過(guò)往記憶的“快速回憶”功能；所述電流絕對(duì)值是指每次電壓循環(huán)掃描時(shí)，電壓峰值對(duì)應(yīng)的輸出電流的絕對(duì)值；
[0019]或者，
[0020](二)在連續(xù)脈沖電壓刺激下，包括負(fù)向電壓連續(xù)脈沖或者正向電壓連續(xù)脈沖，所述連續(xù)脈沖具有相同的脈沖幅值和脈沖寬度，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值脈沖次數(shù)的增加而增加,從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“學(xué)習(xí)、記憶”功能；并且,撤去該電壓刺激后，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值減小，其減小幅度隨時(shí)間的增加而逐漸降低并趨于穩(wěn)定，該穩(wěn)定值高于施加該電壓刺激前憶阻單元的電流絕度值，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元的“短時(shí)記憶塑性”功能，當(dāng)再次施加該電壓刺激時(shí)，隨著脈沖次數(shù)的增力口，該有機(jī)高分子憶阻單元的電流絕對(duì)值逐漸恢復(fù)至前次施加電壓刺激結(jié)束時(shí)的數(shù)值，呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸基于過(guò)往記憶的“快速回憶”功能；所述電流絕對(duì)值是每個(gè)脈沖電壓刺激中，電壓峰值對(duì)應(yīng)的輸出電流的絕對(duì)值。
[0021]作為優(yōu)選，在電壓等幅連續(xù)掃描刺激下，當(dāng)施加與所述電壓刺激方向相反的電壓等幅連續(xù)掃描刺激時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而減小，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“強(qiáng)迫遺忘”功能。例如，當(dāng)施加負(fù)向電壓等幅連續(xù)掃描時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而增加，則當(dāng)施加正向電壓等幅連續(xù)掃描時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而減小?；蛘?，當(dāng)施加正向電壓等幅連續(xù)掃描時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而增加，則當(dāng)施加負(fù)向電壓等幅連續(xù)掃描時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而減小。
[0022]作為優(yōu)選，在連續(xù)脈沖電壓掃描刺激下，當(dāng)施加與所述電壓刺激方向相反的連續(xù)脈沖刺激時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨脈沖次數(shù)的增加而減小，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“強(qiáng)迫遺忘”功能。例如，當(dāng)施加負(fù)向連續(xù)續(xù)脈沖刺激時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值脈沖次數(shù)的增加而增加，則當(dāng)施加正向連續(xù)脈沖刺激時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨脈沖次數(shù)的增加而減小?；蛘?，當(dāng)施加正向連續(xù)續(xù)脈沖刺激時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨脈沖次數(shù)的增加而增加，則當(dāng)施加負(fù)向連續(xù)續(xù)脈沖刺激時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨脈沖次數(shù)的增加而減小。
[0023]在電壓等幅連續(xù)掃描刺激下，當(dāng)撤去該電壓刺激后，有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值減小并隨時(shí)間的增加其電流絕對(duì)值趨于穩(wěn)定，作為優(yōu)選，該電流絕對(duì)值減小的幅度隨電壓掃描次數(shù)的增加而降低，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“短時(shí)記憶塑性向長(zhǎng)時(shí)記憶塑性轉(zhuǎn)變”功能。
[0024]在連續(xù)脈沖電壓掃描刺激下，當(dāng)撤去該電壓刺激后，有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值減小并隨時(shí)間的增加其電流絕對(duì)值趨于穩(wěn)定，作為優(yōu)選，該電流絕對(duì)值減小的幅度隨脈沖電壓激勵(lì)次數(shù)的增加而降低，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“短時(shí)記憶塑性向長(zhǎng)時(shí)記憶塑性轉(zhuǎn)變”功能。
[0025](二)當(dāng)所述的憶阻層是單層結(jié)構(gòu)時(shí)
[0026]如圖1c所示，所述的憶阻層是聚電解質(zhì)材料和有機(jī)高分子阻變材料混合而形成的單層結(jié)構(gòu)。具體而言，該單層結(jié)構(gòu)可以是離子液體和有機(jī)高分子阻變材料混合形成的，所述離子液體是由陽(yáng)離子和陰離子組成的鹽類；也可以是包含所述陽(yáng)離子和陰離子的芴基單體與有機(jī)高分子阻變材料對(duì)應(yīng)的具有氧化還原活性的單體共聚形成的。
[0027]所述的陽(yáng)離子包括但不限于鋰離子、銨離子、咪唑鎗、噁唑鎗、哌啶鎗、吡嗪鎗、批P坐鐵、啦嚷鐵、批淀鐵、喃淀鐵、批略燒鐵、批略琳鐵、批略鐵、唾卩坐鐵和二卩坐鐵等中的一種或兩種以上的混合陽(yáng)離子。
[0028]所述的陰離子包括但不限于F' Cl' Br' Γ、NO3' N(CN)2' BF4' ClO4' RSO3W、RCOO-(其中，R 為 C1-C9 的烷基或苯基)、PF6_、(CF3)2PF4' (CF3)3PF3' (CF3)4PF2' (CF3)5PF'(CF3)6PF' (CF3SO3O 2、(CF3CF2SCV) 2、(CF3SO3O2N' CF3CF2(CF3)2CO' (CF3SO2)2CH' (SF5)3C'(CF3SO3-) 3C_、CF3 (CF;) 7S03_、CF3CO2' CH3C02_等中的一種或兩種以上的混合陰離子。
[0029]所述的具有氧化還原活性的單體包括但不限于吡咯、3，4-乙烯二氧基噻吩(EDOT)、3，4-丙烯二氧基噻吩(ProDOT)、2，4-乙烯二氧基噻吩雙十二烷氧基苯、二氧吡咯、噻吩、芳胺、苯胺、乙炔、對(duì)亞苯硫、對(duì)亞苯基亞乙烯(PV)、吲哚、芘、咔唑、甘菊環(huán)、氮雜卓、芴、萘、呋喃、金屬酞菁、金屬卟啉、二茂鐵、吡啶基金屬錯(cuò)合物、4，4’ -聯(lián)吡啶鹽，以及前述各物質(zhì)的衍生物中的一種單體或兩種以上的混合單體。
[0030]所述的吡啶基金屬錯(cuò)合物包括但不限于選自三(4-[2-(4_吡啶基)乙烯基]_4’ -甲基-2，2’ -聯(lián)卩比唳鋨(II)雙(六氟憐酸))鹽、二(4-[2-(4-卩比唳基)乙烯基]-4’ _甲基2，2’ -聯(lián)卩比唳鈷(II)雙(六氟憐酸))鹽、二(4-[2- (4-卩比卩定基)乙烯基]-4’-甲基2，2’-聯(lián)吡啶釕(II)雙(六氟磷酸))鹽、雙(2，2’-聯(lián)吡啶)[4’_甲基-4-(2-(4-吡啶基)乙烯基)_2，2’-聯(lián)吡啶]餓(II)[雙(六氟磷酸)/二碘]鹽、雙(2，2’ -聯(lián)卩比卩定)[4’ -甲基-4-(2-(4-卩比唳基)乙烯基)-2，2’ -聯(lián)卩比卩定]釕(II)[雙(六氟憐酸)/ 二碘]鹽、雙(2，2’ -聯(lián)卩比卩定)[4’ -甲基-4-(2-(3-丙基二甲氧基娃燒)卩比唳)乙烯基)-2，2’ -聯(lián)吡啶]鋨(II)[三(六氟磷酸)/ 二碘]鹽、雙(2，2’ -聯(lián)吡啶)[4’ -甲基-4-(2-(3-丙基二甲氧基娃燒)卩比唳)乙烯基)-2，2’-聯(lián)卩比唳]釕(II) [二(六氟憐酸)/二碘]鹽中的一種或或兩種以上單體。
[0031]對(duì)上述有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元施加電壓刺激，憶阻層內(nèi)的有機(jī)高分子阻變材料發(fā)生氧化反應(yīng)或者還原反應(yīng)，產(chǎn)生陽(yáng)離子或陰離子；同時(shí)，相對(duì)應(yīng)地，聚電解質(zhì)材料發(fā)生還原反應(yīng)或者氧化反應(yīng)，產(chǎn)生陰離子或陽(yáng)離子；因此，一方面，經(jīng)離子遷移后憶阻層保持電中性和穩(wěn)定性，另一方面由于離子遷移，在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生如下效應(yīng):
[0032](一)在電壓等幅連續(xù)掃描刺激下，包括負(fù)向電壓連續(xù)循環(huán)掃描刺激或者正向電壓連續(xù)循環(huán)掃描刺激，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而增加，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“學(xué)習(xí)、記憶”功能；并且，撤去該電壓掃描刺激后，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值減小，其減小幅度隨時(shí)間的增加而逐漸降低并趨于穩(wěn)定，該穩(wěn)定值高于施加該電壓刺激前該憶阻單元的電流絕度值，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元的“短時(shí)記憶塑性”功能，當(dāng)再次施加該電壓刺激時(shí)，隨著掃描次數(shù)的增加，該有機(jī)高分子憶阻單元的電流絕對(duì)值逐漸恢復(fù)至前次施加電壓刺激結(jié)束時(shí)的數(shù)值，呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸基于過(guò)往記憶的“快速回憶”功能；所述電流絕對(duì)值是指每次電壓循環(huán)掃描時(shí)，電壓峰值對(duì)應(yīng)的輸出電流的絕對(duì)值；
[0033]或者，
[0034](二)在連續(xù)脈沖電壓刺激下，包括負(fù)向電壓連續(xù)脈沖或者正向電壓連續(xù)脈沖，所述連續(xù)脈沖具有相同的脈沖幅值和脈沖寬度，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值脈沖次數(shù)的增加而增加,從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“學(xué)習(xí)、記憶”功能；并且,撤去該電壓刺激后，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值減小，其減小幅度隨時(shí)間的增加而逐漸降低并趨于穩(wěn)定，該穩(wěn)定值高于施加該電壓刺激前該憶阻單元的電流絕度值，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元的“短時(shí)記憶塑性”功能，當(dāng)再次施加該電壓刺激時(shí)，隨著脈沖次數(shù)的增加，該有機(jī)高分子憶阻單元的電流絕對(duì)值逐漸恢復(fù)至前次施加電壓刺激結(jié)束時(shí)的數(shù)值，呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸基于過(guò)往記憶的“快速回憶”功能；所述電流絕對(duì)值是每個(gè)脈沖電壓刺激中，電壓峰值對(duì)應(yīng)的輸出電流的絕對(duì)值。
[0035]作為優(yōu)選，在電壓等幅連續(xù)掃描刺激下，當(dāng)施加與所述電壓刺激方向相反的電壓等幅連續(xù)掃描刺激時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而減小，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“強(qiáng)迫遺忘”功能。例如，當(dāng)施加負(fù)向電壓等幅連續(xù)掃描時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而增加，則當(dāng)施加正向電壓等幅連續(xù)掃描時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而減小?；蛘?，當(dāng)施加正向電壓等幅連續(xù)掃描時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而增加，則當(dāng)施加負(fù)向電壓等幅連續(xù)掃描時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨掃描次數(shù)的增加而減小。
[0036]作為優(yōu)選，在連續(xù)脈沖電壓掃描刺激下，當(dāng)施加與所述電壓刺激方向相反的連續(xù)脈沖刺激時(shí)，該有機(jī)高分子憶阻結(jié)構(gòu)單元的電流絕對(duì)值隨脈沖次數(shù)的增加而減小，從而呈現(xiàn)出類似生物神經(jīng)元突觸的“強(qiáng)