紫 外燈等對(duì)熒光體片2照射紫外線。
[0130] 由此，試制具備熒光體片2、利用熒光體片2封裝的LED3和安裝有LED3的基板5 的試制品6。
[0131] 圖8中，在1個(gè)試制品6中設(shè)置多個(gè)（3個(gè)）LED3。
[0132] 其后，將脫模片4如圖8的虛線所示從熒光體片2剝離。
[0133] 需要說(shuō)明的是，其后，根據(jù)需要，在多個(gè)LED3安裝于1個(gè)基板5的情況下，還可以 對(duì)應(yīng)于各LED3將熒光體片2切斷而單片化。
[0134] <評(píng)價(jià)工序S8>
[0135] 在評(píng)價(jià)工序S8中，為了評(píng)價(jià)C階的熒光體片2,實(shí)施例如在試制品6 (具體為利用 熒光體片2被覆LED3的試制品6)的基板5的導(dǎo)體圖案（未圖示）中流通電流、使LED3發(fā) 光的點(diǎn)亮試驗(yàn)。
[0136] 具體而言，在點(diǎn)亮試驗(yàn)中，在試制品6的基板5中流通電流，測(cè)定剛流通電流后的 光的色溫和/或總光通量。
[0137] 具體而言，將試制品6供給于點(diǎn)亮試驗(yàn)時(shí)，光的色溫的測(cè)定值作為試制品6的評(píng)價(jià) 記錄在圖2所示的記錄工序S9中。
[0138] 具體而言，在記錄工序S9中，記錄試制品6的試制條件及評(píng)價(jià)，作為過(guò)去（以前） 的試制品6的信息保存。
[0139][決定工序S2]
[0140] 決定工序S2是在試制工序Sl之后實(shí)施的工序。在決定工序S2中，根據(jù)試制品6 的評(píng)價(jià)來(lái)決定用于制造LED裝置1的制造條件。
[0141] 例如，根據(jù)在試制工序Sl中記錄的試制條件及評(píng)價(jià)來(lái)決定制造條件。
[0142] 具體而言，如果試制品6的光的色溫的測(cè)定值在目標(biāo)范圍內(nèi)，則記錄工序S9中記 錄的試制條件就會(huì)直接成為制造條件。
[0143] 目標(biāo)的光的顏色為自然白時(shí)，目標(biāo)色溫例如為4600K以上、且例如為5500K以下。 此外，目標(biāo)的光的顏色為暖白時(shí)，目標(biāo)色溫例如為3250K以上、且例如為3800K以下。
[0144] 而如果試制品6的光的色溫的測(cè)定值在目標(biāo)范圍外，則從記錄工序S9中記錄的試 制條件及評(píng)價(jià)中以成為目標(biāo)色溫的方式?jīng)Q定制造條件。具體而言，以成為目標(biāo)色溫的方式 修改試制條件，作為制造條件。例如，如上所述，修改與清漆相關(guān)的信息、與基板5相關(guān)的 信息、與熒光體片2相關(guān)的信息，優(yōu)選修改與清漆相關(guān)的信息，更優(yōu)選修改熒光體的配混比 例、熒光體的形狀、熒光體的最大長(zhǎng)度的平均值、熒光體的吸收峰波長(zhǎng)等，作為制造條件。
[0145][制造工序S3]
[0146] 參照?qǐng)D1，制造工序S3是在決定工序S2之后實(shí)施的工序。制造工序S3是根據(jù)在 決定工序S2中決定的制造條件來(lái)制造LED裝置1的工序。
[0147] 制造工序S3如圖3所示，具備清漆制備工序Sll、B階化工序S12及C階化工序 S13〇
[0148] 制造工序S3 (圖1)中，除根據(jù)在決定工序S2中決定的制造條件以外，與試制工序 Sl中的清漆制備工序S5、B階化工序S6及C階化工序S7各工序（圖2)同樣地實(shí)施清漆 制備工序Sll、B階化工序S12及C階化工序S13各工序。
[0149] 由此制造與試制品6結(jié)構(gòu)相同的LED裝置1。
[0150] 制造工序S3中量產(chǎn)的LED裝置1的數(shù)目例如為100以上、優(yōu)選為500以上、更優(yōu) 選為1000以上、且例如為100000以下。
[0151] 此外，根據(jù)該方法，決定工序S2根據(jù)包含C階的熒光體片2的試制品6的評(píng)價(jià)來(lái) 決定制造條件。而且，制造工序S3根據(jù)在決定工序中決定的制造條件來(lái)制造LED裝置1。
[0152] 在這樣的情況下，作為評(píng)價(jià)對(duì)象的試制品6的熒光體片2為C階。因此，制造條件 中會(huì)考慮到熒光體片2的由上述C階化引起的光學(xué)特性的變化。具體而言，制造條件會(huì)預(yù) 先考慮到由因階化而發(fā)生的伴隨固化收縮的翹曲等變形引起的熒光體片2的光學(xué)特性的 變化。
[0153] 其結(jié)果，在制造工序S3中，能夠制造發(fā)光可靠性優(yōu)異的LED裝置1。
[0154] 而且，由于根據(jù)基于試制品6的評(píng)價(jià)來(lái)決定的制造條件來(lái)制造LED裝置1，因此，能 夠以優(yōu)異的精度量產(chǎn)（即大量生產(chǎn)）LED裝置1。因此，能夠充分地提高LED裝置1的制造 效率。
[0155] 需要說(shuō)明的是，試制工序Sl及決定工序S2在用于量產(chǎn)不同類型的LED裝置1的制 造工序S3之前實(shí)施。進(jìn)而，在熒光體和/或LED3發(fā)生批次變更的情況下，每當(dāng)它們發(fā)生變 更時(shí)、具體而言每當(dāng)熒光體的最大長(zhǎng)度的平均值、吸收峰波長(zhǎng)、LED3的發(fā)光峰波長(zhǎng)變更時(shí)， 實(shí)施試制工序Sl及決定工序S2。
[0156] (變形例）
[0157] 對(duì)于圖8所示的實(shí)施方式，在C階化工序S7中，首先，利用B階的熒光體片被覆 LED3,接著，將B階的熒光體片2C階化。但是，例如，也可以將圖6所參照的層疊于脫模片 4的B階的熒光體片2直接C階化。
[0158] 該情況下，在評(píng)價(jià)工序S8中，測(cè)定伴隨C階的熒光體片2的固化收縮的翹曲量。翹 曲量為焚光體片2的中央部向下側(cè)凹陷的凹陷量與邊緣部向上側(cè)突出的突出量之差。
[0159] 優(yōu)選的是，如圖8所示的實(shí)施方式那樣，在C階化工序S7中，首先，利用B階的熒 光體片2被覆LED3,接著，將B階的熒光體片2C階化。
[0160] 利用這樣的方法，能夠使利用熒光體片2被覆LED3而得到的試制品6與作為實(shí)際 產(chǎn)品的LED裝置1成為相同的結(jié)構(gòu)。
[0161] 因此，能夠根據(jù)與實(shí)際產(chǎn)品（LED裝置1)結(jié)構(gòu)相同的試制品6的評(píng)價(jià)來(lái)決定實(shí)際 產(chǎn)品（LED裝置1)的制造條件。
[0162] 其結(jié)果，能夠精度更好地決定制造條件，能夠制造發(fā)光可靠性更優(yōu)異的LED裝置 Io
[0163] 此外，在圖2的實(shí)施方式中，試制條件決定工序S4根據(jù)之前的試制條件及評(píng)價(jià)的 信息來(lái)決定試制條件，但是，例如也可以如圖9所示，不根據(jù)之前的試制條件及評(píng)價(jià)的信息 而是根據(jù)在記錄工序S9中記錄的試制條件及評(píng)價(jià)在圖1所示的決定工序S2中預(yù)測(cè)制造條 件并決定。
[0164] 優(yōu)選的是，在試制條件決定工序S4中，根據(jù)之前的試制條件及評(píng)價(jià)的信息來(lái)決定 試制條件。
[0165] 利用這樣的方法，能夠積累本次之前的試制條件，根據(jù)積累的試制條件及評(píng)價(jià)來(lái) 提高制造條件的精度。因此，能夠得到發(fā)光可靠性優(yōu)異的LED裝置1。
[0166] 此外，對(duì)于圖7及圖8的實(shí)施方式，在C階化工序S7(參照?qǐng)D2)中，首先，利用B 階的熒光體片2被覆LED3,接著，將B階的熒光體片2C階化，但是，例如也可以同時(shí)實(shí)施B 階的熒光體片2對(duì)LED3的被覆以及C階化。
[0167] 此外，在圖8中，在1個(gè)LED裝置1中設(shè)置多個(gè)LED3,但例如也可以設(shè)置單個(gè)LED3， 這在本說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有圖示。
[0168] 此外，在圖8的實(shí)施方式中，作為本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件及光半導(dǎo)體裝置，分別說(shuō) 明LED3及LED裝置1作為其中一例，但是，例如也可以分別為L(zhǎng)D (激光二極管）3及激光二 極管裝置1。
[0169] 實(shí)施例
[0170] 以下所示的實(shí)施例及比較例中的數(shù)值可以替換為上述實(shí)施方式中記載的對(duì)應(yīng)數(shù) 值（即上限值或下限值）。
[0171] 實(shí)施例1
[0172][試制工序Sl]
[0173] <清漆制備工序S5>
[0174] 首先，相對(duì)于加熱至40°C的硅烷醇基兩末端聚二甲基硅氧烷[下述式（1)中的R 1 全部為甲基、n = 155的化合物、平均分子量ll，500]2031g(0. 177mol)，加入作為含烯系不 飽和烴基的硅化合物的乙烯基三甲氧基硅烷[下述式（2)中的R2為乙烯基、X 1全部為甲氧 基的化合物]15. 76g(0. 106mol)、及作為含烯系不飽和烴基的硅化合物的（3-縮水甘油氧 基丙基）三甲氧基硅烷[下述式（3)中的R3為3-縮水甘油氧基丙基、X 2全部為甲氧基的 化合物]2. 80g(0. 0118mol)[硅烷醇基兩末端聚二甲基硅氧烷的SiOH基的摩爾數(shù)與含烯系 不飽和烴基的硅化合物的SiX1基及含烯系不飽和烴基的硅化合物的SiX 2基的總摩爾數(shù)之 比SiOHASiXkSiX2) = 1/1]進(jìn)行攪拌混合，之后，加入作為縮合催化劑的四甲基氫氧化銨 甲醇溶液（濃度10質(zhì)量％ )〇. 97mL(催化劑量：0. 88mol、相對(duì)于硅烷醇基兩末端聚二甲基 硅氧烷100摩爾為0. 50摩爾、相對(duì)于縮合原料100g為4. Omg)，在40°C下攪拌1小時(shí)。對(duì) 得到的油狀物，在40°C下攪拌1小時(shí)并減壓（IOmmHg)，將揮發(fā)成分去除。接著，將反應(yīng)液恢 復(fù)至常壓，之后，以烯基與氫化甲硅烷基的摩爾比為SiRVSiH = 1/3. 0的方式加入有機(jī)氫 聚硅氧烷（二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氫聚硅氧烷），在40°C下攪拌1小時(shí)。其后，加入 作為氫化甲硅烷化催化劑的鉑-羰基絡(luò)合物（鉑濃度2. 0質(zhì)量％ ) 0. 038mL (鉑含量相對(duì)于 有機(jī)聚硅氧烷為0. 375