O3或其它組分。在一個實施例中，銀漿具有的Te-B—P-0還包含0.1至5重量％的SnO2 (基于Te-B—P-O的總重量計)。
[0054]在一個實施例中，Te-B—P-0可為均一粉末。在另一個實施例中，Te-B-P-O可為多于一種粉末的組合，其中每種粉末可單獨地為均一群體。兩種粉末的總體組合的組成在如上所述的范圍內。單獨地，這些粉末可具有不同的組成，并且可在或可不在如上所述的范圍內；然而，這些粉末的組合在如上所述的范圍內。
[0055]如果以焙燒的玻璃起始，那么本領域的普通技術人員可使用本領域技術人員已知的方法來計算本文所述的起始組分的百分比，所述方法包括但不限于:電感耦合等離子體-質譜法(ICP-MS)、電感耦合等離子體-原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)等。此外，可使用以下示例性技術:X射線熒光光譜法(XRF)、核磁共振光譜法(NMR)、電子順磁共振光譜法(EPR)、穆斯堡爾光譜法、電子微探針能量分散光譜法(H)S)、電子微探針波長分散光譜法(WDS)、陰極發(fā)光法(CL)。
[0056]本領域的普通技術人員應認識到，原材料的選擇可能無意地包含雜質，所述雜質在加工期間可能被摻入玻璃中。例如，雜質可在數(shù)百至數(shù)千ppm的范圍內存在。雜質的存在不改變玻璃、厚膜組合物或焙燒而成的裝置的特性。例如，即使厚膜組合物包含有雜質，包含該厚膜組合物的太陽能電池也可具有本文所述的效率。
[0057]基于導電銀漿的總重量計，Te-B-P-O以0.2至3.0重量％的比例存在于導電銀漿中。在一個實施例中，基于導電銀漿的總重量計，Te-B—P-0以0.5至2.0重量％的比例存在于導電銀楽中。
[0058]碲硼磷基氧化物組合物可通過混合并共混Te02、B203和P 205粉末、以及任選的其它組分進行制備。將共混的粉末批料裝入鉑合金坩禍中，并且然后插入熔爐，熔爐溫度為900至100tC，使用空氣或含02的氣氛。在組分達到完全溶解后持續(xù)進行20分鐘的熱處理。隨后用金屬輥將得自組分熔融的所得低粘度液體淬火。然后研磨淬滅的玻璃，并篩選以提供具有0.1至3.0微米的d5。的粉末。
[0059]通過以上方法制備的一個實施例具有89.6重量％的Te02、4.7重量％的B203、4.7重量％的P2O5和1.0重量％的SnO 2 (基于Te-B--P-O的總重量計)的組合物。它通過混合并共混Te02、B2O3, P2O5和SnO 2粉末以及如上所述的工藝制備。
[0060]碲鉬鈰基氣化物
[0061]在另一個實施例中，導電銀漿包含碲鉬鈰基氧化物。在一個實施例中，碲鉬鈰基氧化物是玻璃。在另一個實施例中，碲鉬鈰基氧化物為結晶的、部分結晶的、非晶態(tài)的、部分非晶態(tài)的、或它們的組合。碲鉬鈰基氧化物包含Te02、MoOjP CeO 2，并且可稱為Te-Mo_Ce-0。在一個實施例中，碲鉬鈰基氧化物包含多于一種的玻璃組合物。在另一個實施例中，碲鉬鈰基氧化物包含玻璃組合物和附加組合物，諸如結晶組合物。在本文將使用術語“玻璃”、“玻璃組合物”或“玻璃料”來表示上述非晶態(tài)材料和結晶材料的任何組合。
[0062]本文所述的玻璃組合物也可包含如下文所公開的附加組分。
[0063]碲鉬鈰基氧化物(Te-Mo-Ce-O)可通過使用本領域的普通技術人員所理解的技術，混合Te02、Mo0#P CeO 2 (或者在加熱時會分解為期望的氧化物的其它材料)來制備。此類制備技術可涉及在空氣或含氧氣氛中加熱混合物以形成熔融物，淬火熔融物，以及碾磨、銑削和/或篩選經(jīng)淬火的材料以提供具有期望粒度的粉末。碲、鉬和鈰氧化物的混合物的熔融通常在800至1200°C的峰值溫度下進行。熔融混合物可例如在不銹鋼板上或反轉的不銹鋼輥之間淬火，以形成片狀物。可研磨所得片狀物以形成粉末。通常，經(jīng)研磨的粉末具有
0.1至3.0微米的d5。。制造玻璃料領域中的技術人員可采用可供選擇的合成技術，諸如但不限于水淬火、溶膠凝膠、噴霧熱解、通過在金屬臺板上急冷進行淬火、或適用于制造玻璃的粉末形式的其它技術。
[0064]玻璃組合物在本文描述為包含一定百分比的某些組分。具體地，該百分比指的是起始原料內所使用的組分的百分比，所述起始原料隨后將如本文所述加工成玻璃組合物。此類命名對于本領域的技術人員為常規(guī)的。換句話說，組合物包含某些組分，并且這些組分的百分比采用對應的氧化物形式的百分比來表示。玻璃組合物的組分可以各種來源供應，諸如氧化物、鹵化物、碳酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽、氫氧化物、過氧化物、鹵素化合物以及它們的混合物。在本文中，碲硼磷基氧化物的組合物以等價氧化物給出，而不論各種組分的來源。如玻璃化學領域的普通技術人員所知，在制備玻璃期間可能釋放某一部分的揮發(fā)性物質。揮發(fā)性物質的例子是氧氣。
[0065]在一個實施例中，用于制備Te-Mo-Ce-O的起始混合物包含(基于Te-Mo-Ce-O的總重量計)45至65重量％的TeO2、20至35重量％的MoOjP 10至25重量％的CeO 2。在另一個實施例中，Te-Mo-Ce-O包含(基于Te-Mo-Ce-O的總重量計)50至60重量％的Te02、22至32重量％的MoO#P 12至20重量％的CeO 2。
[0066]在另一個實施例中，除上述氧化物之外，用于制備Te-Mo-Ce-O的起始混合物可包含小量的一種或多種Ti02、A1203、S12, SnO2、和B2O3或其它組分。
[0067]在一個實施例中，Te-Mo-Ce-O可為均一粉末。在另一個實施例中，Te-Mo-Ce-O可為多于一種粉末的組合，其中每種粉末可單獨地為均一群體。兩種粉末的總體組合的組成在如上所述的范圍內。單獨地，這些粉末可具有不同的組成，并且可在或可不在如上所述的范圍內；然而，這些粉末的組合在如上所述的范圍內。
[0068]如果以焙燒的玻璃起始，那么本領域的普通技術人員可使用本領域技術人員已知的方法來計算本文所述的起始組分的百分比，所述方法包括但不限于:電感耦合等離子體-質譜法(ICP-MS)、電感耦合等離子體-原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)等。此外，可使用以下示例性技術:X射線熒光光譜法(XRF)、核磁共振光譜法(NMR)、電子順磁共振光譜法(EPR)、穆斯堡爾光譜法、電子微探針能量分散光譜法(H)S)、電子微探針波長分散光譜法(WDS)、陰極發(fā)光法(CL)。
[0069]本領域的普通技術人員應認識到，原材料的選擇可能無意地包含雜質，所述雜質在加工期間可能被摻入玻璃中。例如，雜質可在數(shù)百至數(shù)千ppm的范圍內存在。雜質的存在不改變玻璃、厚膜組合物或焙燒而成的裝置的特性。例如，即使厚膜組合物包含有雜質，包含該厚膜組合物的太陽能電池也可具有本文所述的效率。
[0070]基于導電銀漿的總重量計，Te-Mo-Ce-O以0.2至3.0重量％的比例存在于導電銀漿中。在一個實施例中，基于導電銀漿的總重量計，Te-Mo-Ce-O以0.5至2.0重量％的比例存在于導電銀楽中。
[0071 ] 碲鉬鈰基氧化物組合物可通過混合并共混Te02、MoOjP CeO 2粉末、以及任選的其它組分進行制備。將共混的粉末批料裝入鉑合金坩禍中，并且然后插入熔爐，熔爐溫度為900至1000°C，使用空氣或含02的氣氛。在組分達到完全溶解后持續(xù)進行20分鐘的熱處理。隨后用金屬輥將得自組分熔融的所得低粘度液體淬火。然后研磨淬滅的玻璃，并篩選以提供具有0.1至3.0微米的d5。的粉末。
[0072]通過以上方法制備的一個實施例具有56.0重量％的Te02、27.5重量％的MoOjP
16.5重量％的CeO2 (基于Te-Mo-Ce-O的總重量計)的組合物。它通過混合并共混Te02、MoOjP CeO2粉末以及如上所述的工藝制備。
[0073]燒結抑制劑
[0074]在一個實施例中，導電銀漿還包含燒結抑制劑，其分散在有機載體中。燒結抑制劑減慢燒結并據(jù)信由此減少分流。在一個此種實施例中，燒結抑制劑是樹脂酸鈦、或在550°C至900°C的溫度下分解成樹脂酸鈦的任何化合物、以及它們的混合物?；趯щ娿y漿的總重量計，樹脂酸鈦以0.1至I重量％的比例存在于導電銀漿中。在一個實施例中，基于導電銀漿的總重量計，樹脂酸鈦以0.1至0.7重量％的比例存在于導電銀漿中。在另一個實施例中，基于導電銀漿的總重量計，樹脂酸鈦以0.2至0.4重量％的比例存在于導電銀漿中。
[0075]在一個實施