Cmos工藝中多晶硅電阻的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，一般會(huì)特別有一層光刻定義高阻區(qū)域，通過(guò)注入來(lái)制作多晶硅的高電阻。如圖1A至圖1B所示，是現(xiàn)有CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法各步驟中的結(jié)構(gòu)不意圖；現(xiàn)有CMOS工藝中多晶娃電阻的制造方法包括步驟:
[0003]如圖1A所示，在半導(dǎo)體襯底如硅襯底101表面形成場(chǎng)氧層102，場(chǎng)氧層102隔離出有源區(qū)，有源區(qū)即為通過(guò)場(chǎng)氧層102圍繞的硅區(qū)域，用于形成有源器件，如CMOS工藝中的NMOS器件和PMOS器件都形成于有源區(qū)中。
[0004]之后在娃襯底101表面依次形成柵介質(zhì)層如柵氧化層103和多晶娃層。
[0005]采用光刻刻蝕工藝多所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕同時(shí)形成NMOS器件的多晶硅柵104a、PMOS器件的多晶硅柵104b和多晶硅電阻104c。
[0006]如圖1B所示，接著采用單獨(dú)的光罩，進(jìn)行光刻形成光刻膠圖形105定義出多晶硅電阻104c的注入?yún)^(qū)域。以光刻膠圖形105為掩膜進(jìn)行多晶硅電阻104c的注入來(lái)調(diào)節(jié)多晶娃電阻104c的阻值。
[0007]接著完成NMOS器件和PMOS器件的其它工藝。
[0008]由上可知，多晶硅電阻104的電阻調(diào)節(jié)需要單獨(dú)采用一次光刻，需要增加額外的光罩和離子注入，成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，能降低成本。
[0010]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法包括如下步驟:
[0011]步驟一、依次在半導(dǎo)體襯底表面形成柵介質(zhì)層和多晶硅層。
[0012]步驟二、采用光刻刻蝕工藝多所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕同時(shí)形成NMOS器件的多晶硅柵、PMOS器件的多晶硅柵和多晶硅電阻。
[0013]步驟三、采用NMOS器件的N型源漏注入的光罩定義出所述N型源漏注入的注入?yún)^(qū)域，所述N型源漏注入的注入?yún)^(qū)域同時(shí)包括所述多晶硅電阻的形成區(qū)域。
[0014]步驟四、進(jìn)行所述N型源漏注入在所述NMOS器件的多晶硅柵兩側(cè)形成N+摻雜的源漏區(qū)，所述N型源漏注入同時(shí)將N型雜質(zhì)注入到所述多晶硅電阻中。
[0015]步驟五、采用PMOS器件的P型源漏注入的光罩定義出所述P型源漏注入的注入?yún)^(qū)域，所述P型源漏注入的注入?yún)^(qū)域同時(shí)包括所述多晶硅電阻的形成區(qū)域。
[0016]步驟六、進(jìn)行所述P型源漏注入在所述PMOS器件的多晶硅柵兩側(cè)形成P+摻雜的源漏區(qū)，所述P型源漏注入同時(shí)將P型雜質(zhì)注入到所述多晶硅電阻中。
[0017]步驟七、采用快速熱退火對(duì)所述NMOS器件的源漏區(qū)、所述PMOS器件的源漏區(qū)以及所述多晶硅電阻的雜質(zhì)進(jìn)行激活，所述多晶硅電阻由步驟四注入的N型雜質(zhì)和步驟六注入的P型雜質(zhì)的疊加確定。
[0018]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。
[0019]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中所述柵介質(zhì)層為采用熱氧化工藝形成的柵氧化層。
[0020]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟三和步驟四組成的整體步驟能和步驟五和步驟六組成的整體步驟在工藝順序上互換。
[0021]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕之后還包括進(jìn)行所述NMOS器件的N型輕摻雜漏注入以及所述PMOS器件的P型輕摻雜漏注入的工藝步驟。
[0022]進(jìn)一步的改進(jìn)是，在所述NMOS器件的N型輕摻雜漏注入以及所述PMOS器件的P型輕摻雜漏注入完成之后還包括在所述NMOS器件的多晶硅柵、所述PMOS器件的多晶硅柵和所述多晶硅電阻的側(cè)面形成側(cè)墻的工藝步驟。
[0023]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕之后還包括在所述NMOS器件的多晶硅柵、所述PMOS器件的多晶硅柵和所述多晶硅電阻的側(cè)面形成側(cè)墻的工藝步驟。
[0024]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟七的所述快速熱退火之后還包括在所述多晶硅電阻的頂部表面和側(cè)面形成金屬硅化物阻擋層的步驟。
[0025]進(jìn)一步的改進(jìn)是，在所述硅襯底表面形成有場(chǎng)氧層，由所述場(chǎng)氧層隔離出有源區(qū)。
[0026]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述場(chǎng)氧層為局部氧化工藝形成的局部場(chǎng)氧層。
[0027]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述場(chǎng)氧層為采用淺溝槽隔離工藝形成淺溝槽場(chǎng)氧層。
[0028]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述多晶硅電阻位于所述場(chǎng)氧層頂部。
[0029]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述NMOS器件位于所述有源區(qū)中；所述PMOS器件位于所述有源區(qū)中。
[0030]本發(fā)明通過(guò)將多晶硅電阻的摻雜由N型雜質(zhì)和P型雜質(zhì)的疊加來(lái)調(diào)節(jié)，這樣使得多晶硅電阻的雜質(zhì)注入能夠分開(kāi)兩次進(jìn)行，其中一次和CMOS工藝中的NMOS器件的源漏注入同時(shí)進(jìn)行、另一次和PMOS器件的源漏注入同時(shí)進(jìn)行，這樣就不需要單獨(dú)采用一次光刻工藝定義以及單獨(dú)注入來(lái)進(jìn)行多晶硅電阻的摻雜，從而能降低成本。
【附圖說(shuō)明】
[0031]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0032]圖1A-圖1B是現(xiàn)有CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法各步驟中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2是本發(fā)明實(shí)施例CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法的流程圖；
[0034]圖3A-圖3D是本發(fā)明實(shí)施例CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法各步驟中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]如圖2所示，是本發(fā)明實(shí)施例CMOS工藝中多晶硅電阻4c的制造方法的流程圖；如圖3A至圖3D所示，是本發(fā)明實(shí)施例CMOS工藝中多晶硅電阻4c的制造方法各步驟中的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例CMOS工藝中多晶硅電阻4c的制造方法包括如下步驟:
[0036]步驟一、如圖3A所示，依次在半導(dǎo)體襯底如硅襯底I表面形成柵介質(zhì)層3和多晶娃層。
[0037]較佳為，所述柵介質(zhì)層3為采用熱氧化工藝形成的柵氧化層。在所述硅襯底I表面形成有場(chǎng)氧層2，由所述場(chǎng)氧層2隔離出有源區(qū)，即由所述場(chǎng)氧層2圍繞區(qū)域的硅組成有源區(qū)。所述場(chǎng)氧層2為局部氧化工藝形成的局部場(chǎng)氧層或?yàn)椴捎脺\溝槽隔離工藝形成淺溝槽場(chǎng)氧層。
[0038]步驟二、如圖3A所示，采用光刻刻蝕工藝多所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕同時(shí)形成NMOS器件的多晶硅柵4a、PMOS器件的多晶硅柵4b和多晶硅電阻4c。
[0039]較佳為，所述多晶硅電阻4c