0G和第三顏色發(fā)射層 220B均可以是單層，但是該有機發(fā)光顯示裝置還可以包括除第一顏色發(fā)射層220R、第二顏 色發(fā)射層220G和第三顏色發(fā)射層220B之外的其它層，并且第一顏色發(fā)射層220R、第二顏色 發(fā)射層220G和第三顏色發(fā)射層220B可以視為具有多層結(jié)構(gòu)的中間層。為了便于說明，以 下，第一顏色發(fā)射層220R、第二顏色發(fā)射層220G和第三顏色發(fā)射層220B均可以理解為中間 層，該中間層具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)實質(zhì)上包括第一顏色發(fā)射層220R、第二顏色發(fā)射層 220G和第三顏色發(fā)射層220B中的相應(yīng)層。
[0035] 中間層可以包括例如發(fā)射層（EML)，并且還可以包括空穴注入層（HIL)、空穴傳 輸層（HTL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)，其中，空穴注入層（HIL)、空穴傳輸層 (HTL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)均可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。包括EML 的中間層的一些層可以是與基底100的整個表面對應(yīng)的公共層，包括EML的中間層的其它 層可以是通過與第一像素電極210R、第二像素電極2IOG和第三像素電極2IOB對應(yīng)地圖案 化來形成的圖案層。
[0036] 第一顏色發(fā)射層220R、第二顏色發(fā)射層220G和第三顏色發(fā)射層220B可以包括低 分子量有機材料或聚合物有機材料。當(dāng)?shù)谝活伾l(fā)射層220R、第二顏色發(fā)射層220G和第 三顏色發(fā)射層220B包括低分子量有機材料時，可以在發(fā)射層（EML)的周圍堆疊例如空穴 傳輸層（HTL)、空穴注入層（HIL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)。在一些實施例 中，根據(jù)目的還可以堆疊各種其它的層。這里可利用的有機材料可以是例如銅酞菁（CuPc)、 N，N' -二（萘-1-基）-N，N' -二苯基聯(lián)苯胺（NPB)或三-8-羥基喹啉鋁（Alq3)。
[0037] 當(dāng)?shù)谝活伾l(fā)射層220R、第二顏色發(fā)射層220G和第三顏色發(fā)射層220B包括聚合 物有機材料時，除EML之外還可以包括例如HTL。HTL可以包括聚乙撐二氧噻吩（PEDOT)或 聚苯胺（PANI)。可利用的有機材料的示例可以是例如聚苯撐乙烯撐（PPV)類聚合物有機材 料或聚芴類聚合物有機材料。
[0038] HTL、HIL、ETL和EIL可以一體地形成在基底100的整個表面上，并且僅EML可以 通過針對每個像素噴墨印刷來形成。第一顏色發(fā)射層220R、第二顏色發(fā)射層220G和第三顏 色發(fā)射層220B可以通過使用各種方法形成，例如，從沉積法、旋涂法、噴墨印刷法和激光熱 轉(zhuǎn)印法中選擇的至少一種方法。
[0039] 覆蓋第一顏色發(fā)射層220R、第二顏色發(fā)射層220G和第三顏色發(fā)射層220B并面對 第一像素電極210R、第二像素電極210G和第三像素電極210B的對電極230可以設(shè)置在基 底100的整個表面上。對電極230的厚度t4可以在例如大約5〇A至大約150A的范圍內(nèi)。
[0040] 對電極230可以形成為半透明電極或反射電極。當(dāng)對電極230形成為半透明電極 時，對電極230可以包括例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物的具有低 逸出功的金屬和諸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的半透明導(dǎo)電層。當(dāng)對電極230形成為反射電 極時，對電極230可以包括具有Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物的層。
[0041] 覆蓋層232可以設(shè)置在對電極230上。在實施例中，圖1中示出的覆蓋層232與 基底100的整個表面對應(yīng)。在一些實施例中，覆蓋層232可以被圖案化成僅與發(fā)射層對應(yīng)， 例如僅在發(fā)射層上。
[0042] 覆蓋層232可以是多孔的。多孔的覆蓋層232是指覆蓋層232可以具有例如包括 碗形凹坑的表面。具有凹坑的多孔結(jié)構(gòu)可以改變覆蓋層232的光學(xué)特性，并且經(jīng)由覆蓋層 232朝向外部發(fā)射的光可具有提高的光提取效率。
[0043] 覆蓋層232可以與對電極230-體地形成。如在覆蓋層232的制造工藝中，可以將 與對電極230對應(yīng)的金屬層230'（見圖3)形成為具有比對電極230的厚度t4大的厚度。 可以將激光照射到金屬層230'的上部。金屬層230'的被激光照射到的部分可以被蝕刻， 金屬層230'的其它部分可以具有改變的膜特性，并可形成覆蓋層232。金屬層230'的改變 的膜特性是指激光照射部分的微觀結(jié)構(gòu)可以被改變?yōu)榫哂卸嗫仔曰虬伎?，并且可以改變?屬層230'的上部的光學(xué)特性，例如從反射系數(shù)和吸收系數(shù)中選擇的至少一種。覆蓋層232 可以與對電極230 -體地形成。
[0044] 在一些實施例中，覆蓋層232可以包括與對電極230中使用的材料相同的材料。覆 蓋層232可以通過改變與對電極230對應(yīng)的金屬層的上部的膜特性來形成。覆蓋層232可 以由用來形成對電極230的材料來形成，例如，覆蓋層232可以包括從Li、Ca、LiF/Ca、LiF/ 八131、48、1%、上述材料的混合物、11'0、120、2110和111 203中選擇的一種或更多種。
[0045] 在有機發(fā)光顯示裝置中，在玻璃基底接觸空氣層的界面處發(fā)生的全反射和沿著由 ITO-有機層構(gòu)成的光波導(dǎo)行進的波導(dǎo)模式結(jié)合不能使有機發(fā)光顯示裝置內(nèi)部產(chǎn)生的80% 或更多的光朝向外部提取。還可在對電極上設(shè)置經(jīng)受單獨（另外）的工藝的覆蓋層（CPL) 以增加發(fā)射單元的光提取效率。根據(jù)例如在R、G和B子像素上，R、G和B子像素的不同發(fā) 射波長可以使得覆蓋層的厚度不同，其中，該覆蓋層使得在發(fā)射層中產(chǎn)生的光被誘導(dǎo)朝向 有機發(fā)光顯示裝置的外部行進。
[0046] 在根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示裝置中，在形成覆蓋層232時，不采用單獨（另外） 的工藝，可以使與對電極230對應(yīng)的金屬層的表面經(jīng)受激光燒蝕（laserablation)來改變 其光學(xué)特性，從而形成覆蓋層232,并且局部蝕刻可以使得覆蓋層232具有與R、G、B對應(yīng)的 不同的厚度tl、t2和t3。有機發(fā)光顯示裝置的光提取效率可以最大化。
[0047] 在實施例中，覆蓋層232的分別與第一像素電極210R、第二像素電極2IOG和第三 像素電極210B對應(yīng)的部分可以具有不同的厚度11、t2和t3。如上所述，為了使覆蓋層232 的光提取效果最大化，覆蓋層232可以具有根據(jù)每個子像素的發(fā)射波長來優(yōu)化的厚度tl、 t2 和t3〇
[0048] 覆蓋層232可以包括分別與第一像素電極210R、第二像素電極2IOG和第三像素電 極210B對應(yīng)的第一覆蓋層232R、第二覆蓋層232G和第三覆蓋層232B。覆蓋層232可以包 括與第一像素電極210R對應(yīng)的第一覆蓋層232R、與第二像素電極210G對應(yīng)的第二覆蓋層 232G和與第三像素電極210B對應(yīng)的第三覆蓋層232B。在一些實施例中，第一覆蓋層232R 的厚度tl可以在大約IOOA至大約700人的范圍內(nèi)，第二覆蓋層232G的厚度t2可以在 大約100人至大約800A的范圍內(nèi)，第三覆蓋層232B的厚度t3可以在大約IOOA至大約 1000A的范圍內(nèi)。
[0049] 在一些實施例中，在基底100上還可以設(shè)置各種組件。例如，如圖1中所示，電容器 Cap和薄膜晶體管TFT可以設(shè)置在基底100上。薄膜晶體管TFT可以包括半導(dǎo)體層120、柵 電極140、源電極162和漏電極160,半導(dǎo)體層120包括非晶硅、多晶硅或有機半導(dǎo)體材料。 以下，將詳細描述薄膜晶體管TFT的典型結(jié)構(gòu)和設(shè)置在基底100上的各種組件。
[0050] 在基底100上，可以設(shè)置由例如氧化硅或氮化硅形成的緩沖層110,以使基底100 平坦化或者防止雜質(zhì)滲入到半導(dǎo)體層120中，并且半導(dǎo)體層120可以設(shè)置在緩沖層110上。
[0051] 柵電極140可以設(shè)置在半導(dǎo)體層120上，并且根據(jù)施加到柵電極140的信號，源電 極162可以電連接到漏電極160?？紤]到與相鄰層的緊密性、將要堆疊的層的表面平坦性和 可加工性，柵電極140可以由從鋁（Al)、鉑（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、 釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鉬（Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)和銅（Cu)中選擇的至 少一種材料以單層或多層的形式形成。
[0052] 為了使半導(dǎo)體層120與柵電極140絕緣，由從氧化硅和氮化硅中選擇的至少一種 形成的柵極絕緣膜130可以設(shè)置在半導(dǎo)體層120和柵電極140之間。
[0053] 層間絕緣層150可以設(shè)置在柵電極140上，并且可以由氧化硅或氮化硅以單層或 多層的形式形成。
[0054] 源電極162和漏電極160可以設(shè)置在層間絕緣層150上。源電極162和漏電極160 可以各自經(jīng)由層間絕緣層150和柵極絕緣膜130中形成的接觸孔電連接到半導(dǎo)體層120?？?慮到導(dǎo)電性，源電極162和漏電極160可以由從鋁（A1)、鉑（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、 金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca