導電層，并在560~600°C高溫條件下進行有氧快速退火，退火時間180~300s。
[0028]由于ITO透明導電層中氧組分的增加，可以減少ITO透明導電層的缺陷，提高了ITO透明導電層的透光率；同時，能夠有效增加ITO透明導電層與P型半導體層的接觸電阻。
[0029]同時，本實施例中納米金屬層的制備方法具體為:
采用電子束蒸發(fā)或者磁控濺射沉積l~10nm厚的納米銀層，使用快速退火爐或爐管在氮氣氣氛中退火，形成納米銀顆粒。
[0030]納米銀層層能夠有效降低透明導電層的體電阻；同時，納米銀層與ITO透明導電層相結合，能夠提高ITO透明導電層的電流橫向擴展能力，提高LED芯片的亮度；另外，納米銀層中的納米銀顆粒能夠有效反射熒光粉回射的光，進一步提升LED芯片的亮度。
[0031]根據(jù)測試，本實施例中LED芯片的藍光(裸晶)亮度能提升2%左右，白光亮度能提升 3%~5%。
[0032]參圖2所示為本發(fā)明的第二實施例中LED芯片的剖視結構示意圖，LED芯片從下至上分別為:
襯底10，襯底可以是藍寶石、S1、SiC、GaN、ZnO等；
N型半導體層20，N型半導體層可以是N型GaN等，N型半導體層20上設有N型半導體臺面；
發(fā)光層30，發(fā)光層可以是GaN、InGaN等；
P型半導體層40，P型半導體層可以是P型GaN等；
電流阻擋層80，電流阻擋層80對應地位于P電極下方區(qū)域，電流阻擋層80可以為S12, Si3N4' S1xN# ;
透明導電層50，本實施例中為ITO透明導電層，在其他實施例中也可以為ΖΙΤΟ、ΖΙ0、G10、ΖΤ0、FTO、AZO、GZO、In4Sn3012、NiAu等透明導電層，同時，透明導電層可以為一層，也可以為上述透明導電層中兩種或兩種以上的組合層結構；
納米金屬層60，納米金屬層60包括若干納米金屬顆粒，優(yōu)選地，在本實施例中納米金屬層60為厚度l~10nm的納米銀層，在其他實施例中也可以為納米Au層等；
鈍化層90，鈍化層材料可以為S12等，S1 2具有較好的物理和化學穩(wěn)定性，能對S1 2下面的透明導電層和納米金屬層等結構進行保護。
[0033]P電極71和N電極72，P電極通過透明導電層與P型半導體層電性連接，N電極位于N型半導體臺面上且與N型半導體層電性連接。
[0034]本實施例中LED芯片的制備方法與第一實施例類似，僅僅在對應步驟中增加電流阻擋層和鈍化層的制備，該層的制備與現(xiàn)有技術中電流阻擋層和鈍化層的制備方法完全相同，在此不再進行贅述。
[0035]與第一實施例不同的是，本實施例中增加了電流阻擋層80和鈍化層90，電流阻擋層80能夠阻擋對應區(qū)域透明導電層與P型半導體層之間的電流，進一步提高LED芯片的亮度；鈍化層90能夠有效對透明導電層和納米金屬層進行保護，提高了 LED芯片的穩(wěn)定性。
[0036]應當理解的是，在其他實施例中，也可以僅僅包含電流阻擋層或鈍化層中的一種，或者在LED芯片中增加相應的提高LED芯片性能的其他層結構，在此不再一一舉例進行說明。
[0037]由以上技術方案可以看出，與現(xiàn)有技術中的透明導電層相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
在氧氣氛中制備透明導電層，氧組分的增加可以減少透明導電層的缺陷，提高了透明導電層的透光率；同時，能夠有效增加透明導電層與P型半導體層的接觸電阻；
納米銀層層能夠有效降低透明導電層的體電阻；同時，納米銀層與透明導電層相結合，能夠提高透明導電層的電流橫向擴展能力，納米銀顆粒能夠有效反射熒光粉回射的光，從而提尚LED芯片的殼度。
[0038]對于本領域技術人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本發(fā)明內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。
[0039]此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
【主權項】
1.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片從下向上依次包括: 襯底； 位于所述襯底上的N型半導體層； 位于所述N型半導體層上的發(fā)光層； 位于所述發(fā)光層上的P型半導體層； 位于所述P型半導體層上的透明導電層； 位于所述透明導電層上的納米金屬層，所述納米金屬層包括若干納米金屬顆粒； 與所述P型半導體層電性導通的P電極、以及與所述N型半導體層電性導通的N電極。2.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層為ΙΤΟ、ΖΙΤΟ、Z1、G1、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一種或多種的組合。3.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述納米金屬層為納米銀層。4.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述納米金屬層的厚度為l~10nm。5.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半導體層和透明導電層之間對應于P電極下方區(qū)域設有電流阻擋層。6.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層上方設有鈍化層。7.—種LED芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一襯底； 在襯底上依次外延生長N型半導體層、發(fā)光層及P型半導體層； 在P型半導體層上制備透明導電層； 在透明導電層上制備納米金屬層，納米金屬層包括若干納米金屬顆粒； 制作P電極和N電極。8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述“在P型半導體層上制備透明導電層”具體為: 在氧氣體積流量0.l~0.5sCCm條件下采用磁控濺射法制備透明導電層，并在560~600°C下進行有氧快速退火，退火時間180~300s。9.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述“在透明導電層上制備納米金屬層”具體為: 采用電子束蒸發(fā)或者磁控濺射沉積l~10nm厚的納米銀層，使用快速退火爐或爐管在氮氣氣氛中退火。10.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述“在P型半導體層上制備透明導電層”前還包括: 在P型半導體層上制備電流阻擋層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED芯片及其制備方法，？LED芯片從下向上依次包括：襯底；N型半導體層；發(fā)光層；P型半導體層；透明導電層；納米金屬層，所述納米金屬層包括若干納米金屬顆粒；P電極及N電極。本發(fā)明在氧氣氛中制備透明導電層，氧組分的增加可以減少透明導電層的缺陷，提高了透明導電層的透光率；同時，能夠有效增加透明導電層與P型半導體層的接觸電阻。納米銀層層能夠有效降低透明導電層的體電阻；同時，納米銀層與透明導電層相結合，能夠提高透明導電層的電流橫向擴展能力，納米銀顆粒能夠有效反射熒光粉回射的光，從而提高LED芯片的亮度。
【IPC分類】H01L33/00, H01L33/44, H01L33/32
【公開號】CN105023985
【申請?zhí)枴緾N201510450145
【發(fā)明人】李慶, 楊龍, 陳立人
【申請人】聚燦光電科技股份有限公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年7月28日