一體型底部填充片的半導(dǎo)體裝置的制造方法）
[0117] 接下來，對(duì)使用背面研削用膠帶一體型底部填充片10的半導(dǎo)體裝置的制造方法 進(jìn)行說明。圖2為表示使用背面研削用膠帶一體型底部填充片10的半導(dǎo)體裝置的制造方 法的各工序的圖。
[0118] 具體而言，該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：貼合工序，將半導(dǎo)體晶片3的形成有連 接構(gòu)件4的電路面3a與背面研削用膠帶一體型底部填充片10的底部填充片2進(jìn)行貼合； 研削工序，對(duì)半導(dǎo)體晶片3的背面3b進(jìn)行研削；晶片固定工序，在半導(dǎo)體晶片3的背面3b 粘貼切割膠帶11 ;剝離工序，將背面研削用膠帶1剝離；切割工序，將半導(dǎo)體晶片3切割而 形成帶有底部填充片2的半導(dǎo)體芯片5 ;拾取工序，將帶有底部填充片2的半導(dǎo)體芯片5自 切割膠帶11剝離；連接工序，以底部填充片2填充被粘接體6與半導(dǎo)體芯片5之間的空間、 并且借助連接構(gòu)件4而將半導(dǎo)體芯片5與被粘接體6電連接；及固化工序，使底部填充片2 固化。
[0119] 〈貼合工序〉
[0120] 在貼合工序中，將半導(dǎo)體晶片3的形成有連接構(gòu)件4的電路面3a與背面研削用膠 帶一體型底部填充片10的底部填充片2貼合（參照?qǐng)D2A)。
[0121] 半導(dǎo)體晶片3的電路面3a上形成有多個(gè)連接構(gòu)件4 (參照?qǐng)D2A)。作為連接構(gòu)件 4的材質(zhì)，并無特別限定，例如可列舉：錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系 金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊料類（合金）、或金系金屬材料、 銅系金屬材料等。連接構(gòu)件4的高度也可以根據(jù)用途而決定，一般為約15~lOOym。當(dāng) 然，半導(dǎo)體晶片3中的每個(gè)連接構(gòu)件4的高度可以相同也可以不同。
[0122] 優(yōu)選形成于半導(dǎo)體晶片3表面的連接構(gòu)件4的高度X(ym)與底部填充片2的厚 度Y(ym)滿足下述關(guān)系。
[0123] 0.5 彡Y/X彡 2
[0124] 通過使連接構(gòu)件4的高度X(ym)與底部填充片2的厚度Y(ym)滿足上述關(guān)系， 而可充分地填充半導(dǎo)體芯片5與被粘接體6之間的空間，并且可防止底部填充片2自該空 間的過量溢出，可防止底部填充片2所致的半導(dǎo)體芯片5的污染等。需要說明的是，在各連 接構(gòu)件4的高度不同的情況下，以最高的連接構(gòu)件4的高度為基準(zhǔn)。
[0125] 首先，將任意地設(shè)置于背面研削用膠帶一體型底部填充片10的底部填充片2上的 隔離件適當(dāng)?shù)貏冸x，如圖2A所示，使半導(dǎo)體晶片3的形成有連接構(gòu)件4的電路面3a與底部 填充片2相向，將底部填充片2與半導(dǎo)體晶片3貼合（安裝）。
[0126] 貼合的方法并無特別限定，優(yōu)選為壓接的方法。壓接的壓力優(yōu)選為0.IMPa以上， 更優(yōu)選為〇. 2MPa以上。若為0.IMPa以上，則可良好地埋入半導(dǎo)體晶片3的電路面3a的凹 凸。另外，壓接的壓力的上限并無特別限定，優(yōu)選為IMPa以下，更優(yōu)選為0. 5MPa以下。
[0127] 貼合的溫度優(yōu)選為60°C以上，更優(yōu)選為70°C以上。若貼合的溫度為60°C以上，則 底部填充片2的粘度降低，可無空隙地填充半導(dǎo)體晶片3的凹凸。另外，貼合的溫度優(yōu)選為 KKTC以下，更優(yōu)選為80°C以下。若為100°C以下，則可在抑制底部填充片2的固化反應(yīng)的 狀態(tài)下進(jìn)行貼合。
[0128] 貼合優(yōu)選在減壓下進(jìn)行，例如為1000 Pa以下，優(yōu)選為500Pa以下。下限并無特別 限定，例如為IPa以上。
[0129] 〈研削工序〉
[0130] 在研削工序中，對(duì)半導(dǎo)體晶片3的與電路面3a相反一側(cè)的面（即背面）3b進(jìn)行研 削（參照?qǐng)D2B)。作為用于半導(dǎo)體晶片3的背面研削的薄型加工機(jī)，并無特別限定，例如可 例示研削機(jī)（背磨機(jī)）、研磨墊等。另外，還可利用蝕刻等化學(xué)方法進(jìn)行背面研削。背面研 削進(jìn)行至半導(dǎo)體晶片3成為所希望的厚度（例如，700~25ym)為止。
[0131] 〈晶片固定工序〉
[0132] 在研削工序后，在半導(dǎo)體晶片3的背面3b粘貼切割膠帶11 (參照?qǐng)D2C)。需要說 明的是，切割膠帶11具有在基材Ila上層疊有粘合劑層Ilb的構(gòu)造。作為基材Ila及粘合 劑層11b，可使用背面研削用膠帶1的基材Ia及粘合劑層Ib項(xiàng)中所示的成分及制法而適當(dāng) 制作。
[0133] 〈剝離工序〉
[0134] 接著，將背面研削用膠帶1剝離（參照?qǐng)D2D)。由此，成為底部填充片2露出的狀 O
[0135] 在將背面研削用膠帶1剝離時(shí)，在粘合劑層Ib具有放射線固化性的情況下，可通 過對(duì)粘合劑層Ib照射放射線而使粘合劑層Ib固化，而容易地進(jìn)行剝離。放射線的照射量 只要考慮所使用的放射線的種類、粘合劑層的固化度等而適當(dāng)設(shè)定即可。
[0136] 〈切割工序〉
[0137] 在切割工序中，如圖2E所示將半導(dǎo)體晶片3及底部填充片2切割而形成切割后的 帶有底部填充片2的半導(dǎo)體芯片5。切割按照常法自半導(dǎo)體晶片3的貼合有底部填充片2 的電路面3a來進(jìn)行。例如，可采用切入至切割膠帶11為止的被稱為全切割的切斷方式等。 作為用于本工序的切割裝置，并無特別限定，可使用以往公知的裝置。
[0138] 需要說明的是，在繼切割工序之后進(jìn)行切割膠帶11的擴(kuò)展的情況下，該擴(kuò)展可使 用以往公知的擴(kuò)展裝置進(jìn)行。
[0139]〈拾取工序〉
[0140] 為了回收粘接固定于切割膠帶11的半導(dǎo)體芯片5,如圖2F所示，進(jìn)行帶有底部填 充片2的半導(dǎo)體芯片5的拾取，將半導(dǎo)體芯片5與底部填充片2的層疊體20自切割膠帶11 剝離。
[0141] 作為拾取的方法，并無特別限定，可采用以往公知的各種方法。
[0142] 此處，在切割膠帶11的粘合劑層Ilb為紫外線固化型的情況下，對(duì)該粘合劑層Ilb 照射紫外線后進(jìn)行拾取。由此，粘合劑層Ilb對(duì)半導(dǎo)體芯片5的粘合力降低，半導(dǎo)體芯片5 的剝離變得容易。其結(jié)果為，能夠不損傷半導(dǎo)體芯片5地進(jìn)行拾取。
[0143] 〈連接工序〉
[0144] 在連接工序中，用底部填充片2填充被粘接體6與半導(dǎo)體芯片5之間的空間，且借 助連接構(gòu)件4將半導(dǎo)體芯片5與被粘接體6電連接（參照?qǐng)D2G)。具體而言，按照常法將層 疊體20的半導(dǎo)體芯片5以半導(dǎo)體芯片5的電路面3a與被粘接體6相向的形態(tài)固定于被粘 接體6。例如，一邊使形成于半導(dǎo)體芯片5的連接構(gòu)件4與粘附于被粘接體6的連接墊的接 合用導(dǎo)電材料7接觸并進(jìn)行推壓，一邊使導(dǎo)電材料7熔融，由此可確保半導(dǎo)體芯片5與被粘 接體6的電連接，使半導(dǎo)體芯片5固定于被粘接體6。由于半導(dǎo)體芯片5的電路面3a粘貼 有底部填充片2,因此在將半導(dǎo)體芯片5與被粘接體6電連接的同時(shí)，底部填充片2填充半 導(dǎo)體芯片5與被粘接體6之間的空間。
[0145] 作為連接工序的加熱條件，與上述底部填充片的加熱條件相同。
[0146] 底部填充片2具有上述粘度特性，因此在上述加熱條件下，流動(dòng)性達(dá)到最佳范圍， 可良好地埋入半導(dǎo)體元件表面的凹凸，可將端子間良好地連接。另外，還可以減少脫氣所致 的空隙的發(fā)生。需要說明的是，在上述加熱條件下，可使連接構(gòu)件4及導(dǎo)電材料7的一者或 兩者熔融。
[0147] 需要說明的是，還可以分多階段進(jìn)行連接工序中的熱壓接處理。通過分多階段進(jìn) 行熱壓接處理，從而可高效率地去除連接構(gòu)件與焊盤間的樹脂，可獲得更良好的金屬間接 合。
[0148] 加壓條件并無特別限定，優(yōu)選為ION以上，更優(yōu)選為20N以上。若為ION以上，則容 易推開位于接合端子與連接基板之間的底部填充，容易獲得良好的接合。上限優(yōu)選為300N 以下，更優(yōu)選為150N以下。若為300N以下，則可抑制半導(dǎo)體芯片5受到的損傷。
[0149]〈固化工序〉
[0150] 進(jìn)行了半導(dǎo)體元件5與被粘接體6的電連接后，通過加熱底部填充片2而使其固 化。由此，可保護(hù)半導(dǎo)體元件5的表面，并且可確保半導(dǎo)體元件5與被粘接體6之間的連接 可靠性。作為用以使底部填充片2固化的加熱溫度，并無特別限定，例如在150~200°C下 進(jìn)行10~120分鐘。需要說明的是，還可以通過連接工序中的加熱處理而使底部填充片固 化。
[0151]〈密封工序〉
[0152] 接下來，為了保護(hù)具備所安裝的半導(dǎo)體芯片5的半導(dǎo)體裝置30整體，還可以進(jìn)行 密封工序。密封工序使用密封樹脂進(jìn)行。作為此時(shí)的密封條件，并無特別限定，通常通過在 175°C下進(jìn)行60秒~90秒的加熱，而進(jìn)行密封樹脂的熱固化，但本發(fā)明并不限定于此，例如 可在165°C~185°C下進(jìn)行數(shù)分鐘固化（年1 7 )。
[0153] 作為密封樹脂，優(yōu)選具有絕緣性的樹脂（絕緣樹脂），可以從公知的密封樹脂中適 當(dāng)選擇來使用。
[0154]〈半導(dǎo)體裝置〉
[0155] 在半導(dǎo)體裝置30中，半導(dǎo)體芯片5與被粘接體6借助形成于半導(dǎo)體芯片5上的連 接構(gòu)件4及設(shè)置于被粘接體6上的導(dǎo)電材料7而電連接。另外，在半導(dǎo)體元件5與被粘接 體6之間，以填充其空間的方式配置有底部填充片2。
[0156][切割膠帶一體型底部填充片]
[0157] 本發(fā)明的切割膠帶一體型底部填充片具備切割膠帶、及上述底部填充片。
[0158] 圖3為切割膠帶一體型底部填充片50的剖面示意圖。如圖3所示，切割膠帶一體 型底部填充片50具備切割膠帶41、及層疊于切割膠帶41上的底部填充片42。
[0159] 切割膠帶41具備基材41a、及層疊于基材41a上的粘合劑層41b。作為基材41a， 可使用基材Ia中所例示的基材。作為粘合劑層41b，可使用粘合劑層Ib中所例示的粘合 劑。
[0160] (使用切割膠帶一體型底部填充片的半導(dǎo)體裝置的制造方法）
[0161] 接下來，對(duì)使用切割膠帶一體型底部填充片50的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說 明。圖4為表示使用切割膠帶一體型底部填充片50的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的 圖。具體而言，該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：貼合工序，將兩面形成有具有連接構(gòu)件44的 電路面的半導(dǎo)體晶片43與切割膠帶一體型底部填充片50的底部填充片42貼合；切割工 序，將半導(dǎo)體晶片43切割而形成帶有底部填充片42的半導(dǎo)體芯片45 ;拾取工序，將帶有底 部填充片42的半導(dǎo)體芯片45自切割膠帶41剝離；連接工序，用底部填充片42填充被粘接 體46與半導(dǎo)體芯片45之間的空間、并且借助連接構(gòu)件44而將半導(dǎo)體芯片45與被粘接體 46電連接；及固化工序，使底部填充片42固化。
[0162]〈貼合工序〉
[0163] 在貼合工序中，如圖4A所示，將兩面形成有具有連接構(gòu)件44的電路面的半導(dǎo)體晶 片43與切割膠帶一體型底部填充片50的底部填充片42貼合。需要說明的是，通常半導(dǎo)體 晶片43的強(qiáng)度較弱，因此有時(shí)為了補(bǔ)強(qiáng)而將半導(dǎo)體晶片固定于支承玻璃等支承體（未圖 示）。在該情況下，還可以包括如下工序：在半導(dǎo)體晶片43與底部填充片42的貼合后，將 支承體剝離。關(guān)于將半導(dǎo)體晶片43的哪個(gè)電路面與底部填充片42進(jìn)行貼合而言，根據(jù)目 標(biāo)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行變更即可。
[0164] 半導(dǎo)體晶片43的兩面的連接構(gòu)件44彼此可以電連接，也可以不進(jìn)行連接。連接 構(gòu)件44彼此的電連接，可列舉被稱為TSV形式的利用借助于通孔的連接而進(jìn)行的連接。作 為貼合條件，可采用背面研削用膠帶一體型底部填充片的貼合工序中所例示的條件。
[0165]〈切割工序〉
[0166] 在切割工序中，將半導(dǎo)體晶片43及底部填充片42切割而形成帶有底部填充片42 的半導(dǎo)體芯片45 (參照?qǐng)D4B)。
[0167] 作為切割條件，可采用背面研削用膠帶一體型底部填充片的切割工序中所例示的 條件。
[0168]〈拾取工序〉
[0169] 在拾取工序中，將帶有底部填充片42的半導(dǎo)體芯片45自切割膠帶41剝離（圖 4C) 〇
[0170] 作為拾取條件，可采用背面研削用膠帶一體型底部填充片的拾取