供應(yīng)管線232c連接到冷卻劑存儲(chǔ)部232a。冷卻劑存儲(chǔ)部232a可構(gòu)造用于存儲(chǔ)冷卻劑。冷卻器232b可設(shè)置在冷卻劑存儲(chǔ)部232a中。冷卻器232b可構(gòu)造用于使冷卻劑驟冷到預(yù)設(shè)溫度?？蛇x地，冷卻器232b可設(shè)置在冷卻劑供應(yīng)管線232c上。通過冷卻劑供應(yīng)管線232c供應(yīng)到第二循環(huán)管道232的冷卻劑可通過第二循環(huán)管道232循環(huán)以使支撐板230驟冷。如果支撐板230被驟冷，介電板220和基板W也可被驟冷，這使得將基板W的溫度維持到預(yù)定溫度成為可能。
[0063]聚焦環(huán)240可設(shè)置在靜電吸盤210的邊緣區(qū)域上。聚焦環(huán)240可具有如環(huán)形的形狀且可沿介電板220的圓周設(shè)置。聚焦環(huán)240可設(shè)置為具有階梯結(jié)構(gòu)，例如，聚焦環(huán)240的頂表面的外部240a可置于比聚焦環(huán)240的頂表面的內(nèi)部240b更高的水平。聚焦環(huán)240的頂表面的內(nèi)部240b可置于與介電板220的頂表面同一水平。聚焦環(huán)240的頂表面的內(nèi)部240b可支撐位于介電板220外部的基板W的邊緣區(qū)域。聚焦環(huán)240的外部240a可設(shè)置為環(huán)繞基板W的邊緣區(qū)域。聚焦環(huán)240可構(gòu)造用于，在面向基板W的區(qū)域上匯集在處理腔室100中產(chǎn)生的等離子體。
[0064]絕緣板250可置于支撐板230的下方。絕緣板250可設(shè)置為具有與支撐板230的截面積相同或相似的截面積。絕緣板250可置于支撐板230和下蓋270之間。絕緣板250可由絕緣材料形成，或者絕緣板250可包含絕緣材料，從而將支撐板230從下蓋270電分離。
[0065]下蓋270可設(shè)置在支撐單元200的底部。下蓋270可設(shè)置在向上與殼體110的底表面隔離開的位置。下蓋270可設(shè)置為在其內(nèi)部限定頂部開放的空間。下蓋270的頂部可覆蓋有絕緣板250。在示例性實(shí)施例中，下蓋270可設(shè)置為具有與絕緣板250的外徑基本相等的外徑。升降銷模塊(未示出)可設(shè)置在由下蓋270限定的空間中。例如，當(dāng)基板W裝載在腔室100上時(shí)，升降銷模塊可用于將基板W從外部傳輸構(gòu)件移動(dòng)到靜電吸盤210。
[0066]下蓋270可包括連接構(gòu)件273。連接構(gòu)件273可設(shè)置為將下蓋270的外側(cè)表面連接到殼體110的內(nèi)側(cè)表面。連接構(gòu)件273可包括多個(gè)部件，該多個(gè)部件設(shè)置為彼此隔開，且連接到下蓋270的外側(cè)表面。連接構(gòu)件273可為設(shè)置在處理腔室100中以對支撐單元200進(jìn)行支撐的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，連接構(gòu)件273可連接到殼體110的內(nèi)側(cè)表面，這可允許下蓋270電接地。連接到第一下部電源223a的第一電源線223c、連接到第二下部電源225a的第二電源線225c、連接到傳熱介質(zhì)存儲(chǔ)部231a的傳熱介質(zhì)供應(yīng)管線231b、以及連接到冷卻劑存儲(chǔ)部232a的冷卻劑供應(yīng)管線232c，可通過連接構(gòu)件273的內(nèi)部空間延伸到下蓋270中。
[0067]氣體供應(yīng)單元300可將處理氣體供應(yīng)到處理腔室100中。氣體供應(yīng)單元300可包括氣體供應(yīng)噴嘴310、氣體供應(yīng)管線320和氣體存儲(chǔ)部330。氣體供應(yīng)噴嘴310可包括形成在其底部的噴射口。處理氣體可通過噴射口供應(yīng)到處理腔室100中。氣體供應(yīng)管線320可將氣體供應(yīng)噴嘴310連接到氣體存儲(chǔ)部330。
[0068]氣體供應(yīng)管線320可將存儲(chǔ)在氣體存儲(chǔ)部330中的處理氣體供應(yīng)到氣體供應(yīng)噴嘴310。閥門321可安裝在氣體供應(yīng)管線320上。閥門321可控制氣體供應(yīng)管線320的開啟/關(guān)閉操作，從而控制通過氣體供應(yīng)管線320將要供應(yīng)的處理氣體的流速。
[0069]等離子體源400可構(gòu)造為使腔室100中的處理氣體激發(fā)為等離子體狀態(tài)。在示例性實(shí)施例中，電感耦合等離子體(ICP)源可用作等離子體源400。等離子體源400可包括天線室410、天線420和等離子體電源430。等離子體源400可置于介質(zhì)窗120上。天線室410可設(shè)置在處理腔室100上。天線室410可設(shè)置為底部開放的圓柱體形式。天線室410可在其內(nèi)部限定空的空間。天線室410可設(shè)置為具有與處理腔室100的直徑基本相等的直徑。
[0070]冷卻構(gòu)件411可置于天線室410的外部。冷卻構(gòu)件411可向天線室410供應(yīng)冷卻氣體。
[0071]天線420可設(shè)置在天線室410中。天線420可設(shè)置為具有多個(gè)線圈的螺旋結(jié)構(gòu)且可耦合到等離子體電源430。天線420可被供應(yīng)由等離子體電源430提供的電功率。等離子體電源430可置于處理腔室100外部。在電功率施加到天線420的情況下，在處理腔室100的處理空間中可產(chǎn)生電磁場。處理氣體可由電磁場激發(fā)為等離子體狀態(tài)。
[0072]擋板500可設(shè)置在殼體110的內(nèi)側(cè)表面和支撐單元200之間。擋板500可以圓環(huán)的形式設(shè)置。多個(gè)通孔510可形成為通過擋板500。供應(yīng)到殼體110中的處理氣體可通過擋板500的通孔510排到排氣孔102。擋板500和通孔510的形狀可以有多種變化以控制處理氣體的流動(dòng)。
[0073]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，當(dāng)使用等離子體執(zhí)行基板處理工藝時(shí)，基板處理系統(tǒng)可構(gòu)造為加熱介質(zhì)窗的整個(gè)區(qū)域，這使提高基板處理工藝的處理效率成為可能。
[0074]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，基板處理系統(tǒng)可包括導(dǎo)熱層，導(dǎo)熱層設(shè)置在介質(zhì)窗的頂表面上以允許供應(yīng)到介質(zhì)窗的熱能均勻地分布在介質(zhì)窗的整個(gè)區(qū)域上。導(dǎo)熱層的使用使待執(zhí)行的基板處理工藝效率提高。
[0075]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，基板處理系統(tǒng)可包括構(gòu)造為防止供應(yīng)到介質(zhì)窗的熱能排到外部的絕緣層，從而提高基板處理工藝的處理效率。
[0076]雖然本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例已具體示出和描述，應(yīng)理解的是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在不脫離所附權(quán)利要求書的精神和范圍下做出各種形式和細(xì)節(jié)改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括: 處理腔室，所述處理腔室包括具有開放頂部的殼體和從外部密閉地密封所述殼體的頂部的介質(zhì)窗； 支撐單元，所述支撐單元設(shè)置在所述處理腔室中以支撐基板； 氣體供應(yīng)單元，所述氣體供應(yīng)單元將處理氣體供應(yīng)到所述處理腔室中； 等離子體源，所述等離子體源設(shè)置在所述處理腔室外部，以由供應(yīng)到所述處理腔室的所述處理氣體產(chǎn)生等離子體；以及 加熱單元，所述加熱單元加熱所述介質(zhì)窗， 其中所述加熱單元包括: 加熱器；以及 設(shè)置在所述介質(zhì)窗的一個(gè)表面上的導(dǎo)熱層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)熱層設(shè)置在所述介質(zhì)窗的頂表面上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱單元還包括設(shè)置在所述導(dǎo)熱層的頂表面上的絕緣層。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)熱層由熱導(dǎo)率高于所述介質(zhì)窗的材料形成。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)熱層由熱導(dǎo)率高于所述介質(zhì)窗的材料形成，且所述絕緣層由熱導(dǎo)率低于所述導(dǎo)熱層的材料形成。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱器設(shè)置為加熱所述介質(zhì)窗的邊緣區(qū)域。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述等離子體源設(shè)置在所述介質(zhì)窗上。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述等離子體源包括天線，并且所述基板處理系統(tǒng)還包括: 天線室，所述天線室設(shè)置在所述處理腔室上以容納所述天線；以及 冷卻構(gòu)件，所述冷卻構(gòu)件將冷卻氣體供應(yīng)到所述天線室中。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述導(dǎo)熱層包含含石墨烯的材料。10.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述絕緣層包含硅酸鈉。11.一種處理基板的方法，其特征在于，包括:將處理氣體供應(yīng)到處理腔室中，所述處理腔室具有頂部開放的殼體和介質(zhì)窗；將電功率施加到設(shè)置在所述處理腔室外部的天線，以由在所述處理腔室中的所述處理氣體產(chǎn)生等離子體，然后用所述等離子體處理基板； 其中，所述方法還包括:在所述基板的處理之前或期間，加熱所述介質(zhì)窗，以及使用熱能執(zhí)行所述介質(zhì)窗的加熱，所述熱能由加熱器產(chǎn)生且從所述加熱器供應(yīng)到所述介質(zhì)窗的邊緣部分，并且所述熱能的一部分通過與所述介質(zhì)窗接觸的導(dǎo)熱層傳遞到所述介質(zhì)窗的整個(gè)區(qū)域。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)熱層設(shè)置在所述介質(zhì)窗的頂表面上，且加熱單元還包括設(shè)置在所述導(dǎo)熱層的頂表面上的絕緣層。13.根據(jù)權(quán)利要求10-12任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)熱層由熱導(dǎo)率高于所述介質(zhì)窗的材料形成。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)熱層由熱導(dǎo)率高于所述介質(zhì)窗的材料形成，且所述絕緣層由熱導(dǎo)率低于所述導(dǎo)熱層的材料形成。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述加熱器設(shè)置為加熱所述導(dǎo)熱層的邊緣區(qū)域。
【專利摘要】提供一種用于處理基板的系統(tǒng)和方法。所述基板處理系統(tǒng)可包括處理腔室，所述處理腔室包括具有開放頂部的殼體和從外部密閉地密封所述殼體的頂部的介質(zhì)窗；支撐單元，所述支撐單元設(shè)置在所述處理腔室中以支撐基板；氣體供應(yīng)單元，所述氣體供應(yīng)單元將處理氣體供應(yīng)到所述處理腔室；等離子體源，所述等離子體源設(shè)置在所述處理腔室外部，以由供應(yīng)到所述處理腔室中的處理氣體產(chǎn)生等離子體；以及加熱單元，所述加熱單元加熱所述介質(zhì)窗，加熱單元可包括加熱器和設(shè)置在所述介質(zhì)窗的一個(gè)表面上的導(dǎo)熱層。
【IPC分類】H01L21/67, H01L21/02
【公開號】CN105047527
【申請?zhí)枴緾N201510218764
【發(fā)明人】金瑅鎬
【申請人】細(xì)美事有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年4月30日
【公告號】US20150318146