生產(chǎn)成本、 提高生產(chǎn)效率。例如，當(dāng)采用金屬單質(zhì)和/或合金靶材濺射形成上述的金屬層11后，無需 更換靶材，只需調(diào)節(jié)濺射反應(yīng)氣體（如氧氣O2、氮?dú)釴2)的通入流量即可一次濺射形成上述 的吸光層12、減反射層13,有利于更進(jìn)一步減低生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)效率。
[0063] 在上述基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述導(dǎo)電組件10的制備方法，該方法 包括：
[0064] 在金屬層11的至少一側(cè)表面上，依次形成吸光層12、減反射層13 ;其中，吸光層 12的折射率大于減反射層13的折射率。
[0065] 這里，形成的金屬層11可以主要由金屬單質(zhì)和/或合金構(gòu)成。
[0066] 具體的，形成的吸光層12可以主要由金屬氧化物和/或金屬氮氧化物構(gòu)成；形成 的減反射層13可以主要由金屬氧化物構(gòu)成；其中，由于在金屬氧化物或金屬氮氧化物中， 隨著氧原子含量的提高，形成的膜層的折射率降低，因此，吸光層12中的氧含量小于減反 射層13中的氧含量。
[0067] 這里，可以采用濺射沉積法，通過調(diào)節(jié)濺射反應(yīng)氣體的流量，一次濺射形成上述的 吸光層12與減反射層13,具體包括如下步驟：
[0068] S11、米用金屬祀材，在氧氣氣氛下派射形成吸光層12。
[0069] 其中，金屬革巴材可以為Al、Cr、Cu、Mo、Ti等金屬單質(zhì)，或AlNd、CuMo、MoTa、MoNb等 金屬合金；相應(yīng)地形成的吸光層12即為上述金屬元素的氧化物。
[0070] S12、在形成有吸光層12的反應(yīng)體系中增大通入的氧氣流量，派射形成減反射層 13。
[0071] 這里，考慮到氧氣較為活潑，氣氛控制難度較大，上述制備方法也可采用以下方 式：
[0072] S21、米用金屬祀材，在氧氣和氮氧氣氛下派射形成吸光層12。
[0073] 其中，金屬革巴材可以為Al、Cr、Cu、Mo、Ti等金屬單質(zhì)，或AlNd、CuMo、MoTa、MoNb等 金屬合金；相應(yīng)地形成的吸光層12即為上述金屬元素的氮氧化物。
[0074] S22、在形成有吸光層12的反應(yīng)體系中停止氮?dú)獾耐ㄈ?，且增大通入的氧氣流量?濺射形成減反射層13。
[0075] 這里，在上述步驟S21中，通入的氧氣流量小于lOsccm，通入的氮氧流量小于 3〇 SCCm ;在之后的步驟S22中，由于已經(jīng)形成的一定厚度的吸光層12,即濺射反應(yīng)已經(jīng)發(fā)生 了一定程度，此時(shí)再停止氮?dú)獾耐ㄈ?，且增大通入的氧氣流量（小?〇 SCCm)，氧氣氣氛更 易于控制。
[0076] 這里需要指出的是，上述的一次濺射形成吸光層12與減反射層13是在一個(gè)反應(yīng) 腔內(nèi)，采用同一個(gè)濺射靶材，通過調(diào)節(jié)反應(yīng)氣氛，形成組分部分的膜層。
[0077] 由于形成吸光層12與形成減反射層13使用的是同一金屬靶材，因而形成的吸光 層12與減反射層13的金屬元素相同，而金屬層11與上述兩層中的金屬元素可以相同也可 以不同，例如：金屬層11可以由金屬單質(zhì)Mo構(gòu)成，吸收層12可以由金屬氮氧化物MoON構(gòu) 成，減反射層13可以由金屬氧化物MoO構(gòu)成；或者，金屬層11可以由金屬合金MoNb構(gòu)成， 吸收層12可以由金屬氮氧化物MoNbON構(gòu)成，減反射層13可以由金屬氧化物MoNbO構(gòu)成； 再或者，金屬層11可以由金屬單質(zhì)Al構(gòu)成，吸收層12可以由金屬氮氧化物MoON構(gòu)成，減 反射層13可以由金屬氧化物MoO構(gòu)成。
[0078] 在上述基礎(chǔ)上優(yōu)選的，為了在可見光范圍內(nèi)達(dá)到理想的減反射效果，形成的上述 減反射層13可以為多層結(jié)構(gòu)，即上述的導(dǎo)電組件10包括形成于吸光層12遠(yuǎn)離金屬層11 一側(cè)的至少兩層減反射層13 ;其中，沿由吸光層12指向減反射層13的方向，各層減反射層 13的折射率依次降低。
[0079] 這里，當(dāng)減反射層13由金屬氧化物構(gòu)成時(shí)，沿由吸光層12指向減反射層13的方 向，各層減反射層13中的氧含量依次提高，即折射率依次降低。
[0080] 具體的，可以采用金屬靶材，在氧氣氣氛下逐層濺射形成各層減反射層13 ;其中， 沿由吸光層12指向減反射層13的方向，濺射各層減反射層13時(shí)通入的氧氣的流量依次提 高，以獲得折射率逐漸降低的多層的減反射層13結(jié)構(gòu)。
[0081] 在上述基礎(chǔ)上優(yōu)選的，可以采用濺射沉積法，通過調(diào)節(jié)濺射反應(yīng)氣體的流量，一次 濺射形成上述的金屬層11、吸光層12以及減反射層13,有利于更進(jìn)一步減低生產(chǎn)成本、提 高生產(chǎn)效率。示例的，可以采用以下步驟一次濺射形成上述的金屬層11、吸光層12以及減 反射層13 :
[0082] S31、采用金屬單質(zhì)和/或金屬合金祀材，在氬氣（Ar)氣氛下派射形成金屬層11。
[0083] 這里，由于上述的導(dǎo)電組件10通常是形成于一定的襯底基板之上的，濺射時(shí)襯底 基板的基體溫度例如可為120°C，濺射功率可為12kW，Ar氣氛壓力可為0. 3Pa，Ar氣體流量 可為 lOOsccm。
[0084] 其中，濺射時(shí)的靶材可以為金屬單質(zhì)，如Al、Cr、Cu、Mo、Ti等；也可以為金屬合金， 如AINd、CuMo、MoTa、MoNb等。當(dāng)革El材為金屬單質(zhì)時(shí)，形成的金屬層11即由上述的金屬單 質(zhì)構(gòu)成；當(dāng)革G材為金屬合金時(shí)，形成的金屬層11即由上述的金屬合成構(gòu)成。
[0085] 濺射形成的金屬層11的厚度可以為1而〇-6〇0〇1。
[0086] S32、在形成有金屬層11的反應(yīng)體系中通入氧氣（O2)和氮?dú)猓∟2)，在氧氣和氮?dú)?氣氛下濺射形成吸光層12。
[0087] 這里，濺射的基體溫度、濺射功率、氣氛壓力以及Ar氣體流量等參數(shù)與上述步驟 S21保持不變，O2氣體流量小于lOsccm，N2氣體流量小于30sccm。
[0088] 形成的吸光層12即為上述金屬單質(zhì)和/或金屬合金的氮氧化合物。
[0089] S33、在形成有吸光層12的反應(yīng)體系中停止氮?dú)獾耐ㄈ?，且增大通入的氧氣流量?在氧氣氣氛下濺射形成減反射層13。
[0090] 停止通入N2后，為了保證反應(yīng)體系中有充分的氧可與金屬單質(zhì)和/或金屬合金靶 材相反應(yīng)，以生成由金屬氧化物構(gòu)成的減反射層13,0 2氣體流量可由IOsccm增加至不大于 30sccm〇
[0091] 這里，當(dāng)需要形成的減反射層13為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，可在濺射沉積一定厚度的膜層 (即一層光學(xué)層）后逐漸提高通入氧氣的流量，以獲得具有折射率逐漸降低的多層結(jié)構(gòu)的 減反射層13。
[0092] 這樣一來，通過調(diào)節(jié)濺射反應(yīng)在各階段的反應(yīng)氣體，即可一次濺射形成上述的金 屬層11、吸光層12以及減反射層13,提高了生產(chǎn)效率。
[0093] 在上述基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種基板，該基板包括導(dǎo)電圖案；該導(dǎo)電圖 案由上述的導(dǎo)電組件10構(gòu)成。
[0094] 需要說明的是，第一、在上述導(dǎo)電圖案中，起到導(dǎo)電作用的部分為導(dǎo)電組件10中 的金屬層11。
[0095] 第二、上述的基板例如可以為顯示基板，如陣列基板，集成有彩膜的COA(color filter on array)型陣列基板；或者，也可以為觸控基板。
[0096] 其中，根據(jù)陣列基板中TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管）有源層材料的 不同，上述陣列基板具體可以為Oxide陣列基板（即有源層采用金屬氧化物Oxide構(gòu)成）， LTPS陣列基板（即有源層采用低溫多晶娃Low Temperature Poly Silicon構(gòu)成）以及 a-Si陣列基板（即有源層采用非晶硅a-Si構(gòu)成）等。
[0097] 具體的，當(dāng)上述的基板為觸控基板時(shí)，該導(dǎo)電圖案包括：連接感應(yīng)電極的橋接電 極。
[0098] 當(dāng)上述的基板為陣列基板或COA型陣列基板時(shí)，該導(dǎo)電圖案包括：柵極、柵線以及 柵線引線中的至少一種。這里，優(yōu)選的，包括有柵極、柵線以及柵線引線的柵極圖案層均由 上述導(dǎo)電組件10構(gòu)成，從而使得上述的柵極、柵線以及柵線引線在實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電作用的同時(shí)， 還起到黑矩陣遮光的作用。
[0099] 當(dāng)上述的基板為陣列基板或COA型陣列基板時(shí)，該導(dǎo)電圖案也可包括：源極、漏 極、與源極相連的數(shù)據(jù)線以及數(shù)據(jù)線引線中的至少一種。
[0