顯示裝置的陣列基板的返工方法和通過(guò)其形成的陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于顯示裝置的陣列基板的返工（rework)方法和一種由該返工 方法所形成的陣列基板。特別地，本發(fā)明涉及一種陣列基板的返工方法，其能夠防止在返工 工藝時(shí)由于陣列基板的缺陷而損壞用于互連公共電極層（Vcom ΙΤ0)和非有效區(qū)域的公共 電極（Vcom)金屬線的跳接（jumping)鈍化孔（PAS孔）區(qū)域中的公共電極層。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著信息社會(huì)的發(fā)展，對(duì)顯示圖像的顯示裝置的各種類型的要求在提高。近來(lái)，諸 如液晶顯示器（LCD)、等離子體顯示面板（PDP)以及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置（OLED)的各 種顯示裝置正被使用。
[0003] 在那些顯示裝置之中，液晶顯示器（LCD)裝置包括：陣列基板，該陣列基板包括作 為用于控制每個(gè)像素區(qū)域的開/關(guān)的開關(guān)裝置的薄膜晶體管；上基板，該上基板包括濾色 器和/或黑矩陣；顯示面板，該顯示面板包括形成在陣列基板與上基板之間的液晶層；以及 驅(qū)動(dòng)單元，該驅(qū)動(dòng)單元用于控制薄膜晶體管。在LCD裝置中，根據(jù)在像素區(qū)域處設(shè)置的像素 (PXL)電極和公共電壓（Vcom)電極之間施加的電場(chǎng)來(lái)控制液晶層的配向，以便調(diào)整光的透 射比并且從而形成圖像。
[0004] 在陣列基板中，定義了包括一個(gè)或多個(gè)像素的有效區(qū)域（AA)和非有效區(qū)域（NA)。 此外，多條選通線（GL)和多條數(shù)據(jù)線（DL)彼此交叉以在陣列基板（其通常被稱作下基板） 的有效區(qū)域AA的內(nèi)表面上定義像素（P)，并且在選通線與數(shù)據(jù)線之間的每個(gè)交叉部被設(shè)置 有薄膜晶體管T，其與每個(gè)像素 P中的透明像素電極（未示出）具有一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系并且被 連接到每個(gè)像素 P中的透明像素電極（未示出）。
[0005] 在陣列基板上，多個(gè)層（諸如柵金屬層、半導(dǎo)體層、源/漏金屬層、像素電極層以及 公共電極層）被形成以創(chuàng)建如上面所描述的這樣的薄膜晶體管和電線，并且可以在每個(gè)層 之間形成中間層絕緣層和保護(hù)層。
[0006] 同時(shí)，存在扭曲向列（TN)方案，其中液晶被注入在彼此分離的其上形成有像素電 極的陣列基板和其上形成有公共電壓電極的上基板之間，并且在與基板垂直的方向上驅(qū)動(dòng) 處于向列相的液晶分子。然而，如上面所描述的扭曲向列方案的液晶顯示裝置的缺陷在于 它具有約90度的窄視角。
[0007] 在這點(diǎn)上，存在在與基板平行的方向上驅(qū)動(dòng)液晶分子以從而將視角提高至170度 或更大的面內(nèi)切換（IPS)型液晶顯示裝置。IPS型液晶顯示裝置基本上包括同時(shí)地形成于 下基板或陣列基板上的像素電極和公共電壓電極。然而，存在兩種類型的IPS型液晶顯示 裝置，包括其中像素電極和公共電壓電極兩者都形成于相同層上的一個(gè)類型以及邊緣場(chǎng)切 換（FFS)類型，在FFS類型中，兩個(gè)電極被形成為在它們之間有一個(gè)或多個(gè)絕緣層的情況下 水平地與彼此間隔開并且電極中的一個(gè)具有手指的形狀。
[0008] 此外，可以在在陣列基板的有效區(qū)域（AA)外的非有效區(qū)域（NA)的一部分上形成 用于連接到布置在基板的內(nèi)部或外部處的驅(qū)動(dòng)單元的連接墊、用于施加參考電壓和參考信 號(hào)的信號(hào)施加墊以及用于測(cè)量的各種墊。
[0009] 同時(shí)，在陣列基板的非有效區(qū)域上形成用于施加公共電壓（Vcom)的公共電壓金 屬線，并且這個(gè)公共電壓金屬線應(yīng)該被連接到布置在有效區(qū)域中的公共電極。
[0010] 如上面所描述的，形成了用于電互連非顯示區(qū)域的公共電壓金屬線和公共電極層 的跳接鈍化孔（PAS孔），并且公共電極和像素電極在跳接鈍化孔區(qū)域中與彼此接觸并且堆 疊于彼此上。
[0011] 同時(shí)，當(dāng)在作為陣列基板的最高電極層的像素電極層中發(fā)生缺陷時(shí)，返工工藝被 執(zhí)行以去除并且然后重建像素電極層，即最高電極層。在返工工藝中，可以同時(shí)地去除如上 面所描述的跳接鈍化孔中的公共電極和像素電極以在經(jīng)重建的（返工的）像素電極層與公 共電極層之間引起接觸故障。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 本發(fā)明的一個(gè)方面在于提供陣列基板返工方法和由該返工方法形成的陣列基板， 其能夠在其中跳接像素電極圖案是最高層的用于顯示裝置的陣列基板中在其返工工藝中 防止在跳接像素電極圖案中發(fā)生缺陷。
[0013] 本發(fā)明的另一方面在于提供陣列基板返工方法和由該返工方法形成的陣列基板， 其能夠在用于電互連形成在顯示面板的非有效區(qū)域處的公共電壓金屬線和公共電極層的 跳接鈍化孔區(qū)域中在返工工藝期間防止跳接像素電極圖案和公共電極層的去除，以便最小 化由于跳接像素電極圖案返工工藝而導(dǎo)致的故障。
[0014] 本發(fā)明的另一方面在于提供陣列基板返工方法和由該返工方法形成的陣列基板， 其在返工跳接像素電極圖案（陣列基板的最高層）的工藝中使用具有與跳接鈍化孔區(qū)域相 對(duì)應(yīng)的光阻擋圖案的返工掩模，使得能夠在返工工藝之后維持在跳接鈍化孔區(qū)域中的跳接 像素電極圖案與公共電極層之間的電接觸。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以在其中跳接像素電極圖案被形成為最高層的用于顯 示裝置的陣列基板中在其返工工藝中防止在跳接像素電極圖案中發(fā)生缺陷。
[0016] 更具體地，可以在陣列基板的最高跳接像素電極圖案的返工工藝期間防止用于電 互連公共電極層和形成在顯示面板的非有效區(qū)域處的公共電壓金屬線的跳接鈍化孔區(qū)域 的跳接像素電極圖案和公共電極層的去除，以便最小化由于返工工藝而導(dǎo)致的故障。
[0017] 進(jìn)一步地，本發(fā)明的實(shí)施方式在返工跳接像素電極圖案（陣列基板的最高層）的 工藝中采用具有與跳接鈍化孔區(qū)域相對(duì)應(yīng)的光阻擋圖案的返工掩模，使得能夠在返工工藝 之后維持在跳接鈍化孔區(qū)域中的跳接像素電極圖案與公共電極層之間的電接觸。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 本發(fā)明的上述和其它目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述將是更 顯而易見的，在附圖中：
[0019] 圖1的㈧和⑶例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板的陣列基板，其中，圖 1的（A)是陣列基板的平面圖并且圖1的（B)是陣列基板的截面圖；
[0020] 圖2的（A)和（B)是使用七個(gè)掩模的7掩模基板制造工藝的流程圖和由該工藝所 形成的陣列基板的一部分的截面圖；
[0021] 圖3的（A)和（B)是使用六個(gè)掩模的6掩?；逯圃旃に嚨牧鞒虉D和由該工藝所 形成的陣列基板的一部分的截面圖；
[0022] 圖4是圖1的（A)中的左圓圈部分的放大截面圖，其例示了由柵金屬層所形成的 公共電壓金屬線和透明公共電極（Vcom ΙΤ0)的跳接結(jié)構(gòu)；
[0023] 圖5的㈧和⑶是圖1的㈧中的右圓圈部分的放大截面圖，其例示了由數(shù)據(jù) 金屬層或源/漏金屬層所形成的公共電壓金屬線和透明公共電極層（Vcom ΙΤ0)的跳接結(jié) 構(gòu)；
[0024] 圖6的㈧至（C)是在本發(fā)明的實(shí)施方式能夠被應(yīng)用于的像素電極返工工藝中的 陣列基板的截面圖；
[0025] 圖7是例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的返工方法的流程圖；
[0026] 圖8的（A)和（B)例示了在本發(fā)明的實(shí)施方式中使用的返工掩模的示例；
[0027] 圖9的（A)至（C)是例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的返工工藝的基板的截面圖； 以及
[0028] 圖10的（A)和（B)是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的經(jīng)返工的陣列基板的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029] 在下文中，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式進(jìn)行描述。在通過(guò)附圖標(biāo)記指 明圖的元素時(shí)，盡管它們?cè)诓煌膱D中被示出，但是相同的元素將由相同的附圖標(biāo)記指明。 此外，在本發(fā)明的以下描述中，并入在本文中的已知功能和構(gòu)造的詳細(xì)描述將在它使本發(fā) 明的主題變得非常不清楚時(shí)省略。
[0030] 此外，可以在描述本發(fā)明的組件時(shí)使用諸如第一、第二、A、B、（a)、（b)等的術(shù)語(yǔ)。 這些術(shù)語(yǔ)僅僅被用來(lái)區(qū)分一個(gè)元素和另一元素，并且不限制對(duì)應(yīng)元素的真實(shí)性質(zhì)、順序、次 序、編號(hào)等。應(yīng)該注意的是，如果在本說(shuō)明書中描述了一個(gè)組件被"連接"、"耦合"或者"接 合"到另一組件，則第三組件可以被"連接"、"耦合"以及"接合"在第一和第二組件之間，但 是第一組件可以被直接地連接、耦合或者接合到第二組件。
[0031] 圖1的㈧和⑶例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板的陣列基板，其中，圖 1的（A)是陣列基板的平面圖并且圖1的（B)是陣列基板的截面圖。
[0032] 本發(fā)明的實(shí)施方式能夠被應(yīng)用于的液晶顯示裝置的陣列基板包括：有效區(qū)域 (AA) 11，該有效區(qū)域（AA) 11包括分別形成在多條選通線13和多條數(shù)據(jù)線14彼此交叉的區(qū) 域處的像素15 ;以及設(shè)置在有效區(qū)域外的非有效區(qū)域（NA) 12。
[0033] 每個(gè)像素15包括形成在其中的至少一個(gè)薄膜晶體管15'和像素電極，所述像素電 極由透明導(dǎo)電材料制成并且被連接到包括在薄膜晶體管中的漏電極。
[0034] 同時(shí)，如上面簡(jiǎn)要地描述的那樣，液晶顯示裝置的模式根據(jù)調(diào)整液晶層的配向的 方案包括扭曲向列（TN)模式、垂直配向（VA)模式、面內(nèi)切換（IPS)模式以及邊緣場(chǎng)切換 (FFS)模式。在各模式之中，IPS模式和FFS模式是其中像素電極和公共電極被設(shè)置在下基 板上以通過(guò)在像素電極與公共電極之間的電場(chǎng)來(lái)調(diào)整液晶層的配向的模式。
[0035] 在IPS模式下，像素電極和公共電極交替地平行布置以通過(guò)在兩個(gè)側(cè)面的電極之 間產(chǎn)生面內(nèi)電場(chǎng)來(lái)調(diào)整液晶層的配向。在IPS模式下，不可能調(diào)整液晶層在公共電極和像 素電極的上部的配向，這使光在上部的透射比降低。
[0036] FFS模式是發(fā)明來(lái)解決IPS模式的缺點(diǎn)的模式。在FFS模式下，像素電極和公共電 極用它們之間的絕緣層加以間隔開，其中，兩個(gè)電極中的一個(gè)被形成呈板或圖案狀，而另一 個(gè)電極被形成呈手指狀以便通過(guò)在兩個(gè)電極之間產(chǎn)生的邊緣場(chǎng)來(lái)調(diào)整液晶層的配向。
[0037] 本發(fā)明的實(shí)施方式被應(yīng)用于的顯示裝置可以是FFS模式的液晶顯示裝置，而不將 本發(fā)明限于此。
[0038] 此外，本發(fā)明的實(shí)施方式被應(yīng)用于的顯示裝置包括：背光單元和驅(qū)動(dòng)電路單元，以 用于將光提供到液晶面板，以及陣列背板，其中，驅(qū)動(dòng)電路單元包括定時(shí)控制器（T-con)、數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器（D-IC)、選通驅(qū)動(dòng)器（G-IC)、背光驅(qū)動(dòng)單元以及將電力提供到驅(qū)動(dòng)電路的電源單 元。此外，可以根據(jù)玻璃上芯片（COG)或柔性印刷電路上芯片或膜上芯片（