屬層12A與天線線圈11的一半Ila1重疊，并且第二金屬層12B與天線線圈11的另一半Ila2重疊。
[0079]如上所述，根據(jù)本實施方式的天線裝置6，能夠獲得與在第一實施方式中獲得的相同的效果。也就是說，根據(jù)天線裝置6，第一金屬層12A和第二金屬層12B使天線線圈11的磁通的回路大范圍地傳播，從而增加天線的通信距離。具體而言，第一金屬層12A和第二金屬層12B各自直接形成在基板面上，S卩，沒有粘合劑介于基板10與第一金屬層12A和第二金屬層12B的各個之間，以便可以使天線線圈11與第一金屬層12A和第二金屬層12B彼此接近，從而增強它們之間的磁耦合，引起通信距離的增加。
[0080]圖13A和圖13B是各自示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施方式的天線裝置的配置的平面圖。具體而言，圖13B是當(dāng)從與圖13A相同的方向看時的天線線圈的透明圖。圖14是沿著圖13A的線Y-Y’截取的天線裝置的截面圖。
[0081]如圖13A和圖13B以及圖14所示，天線裝置7包括基板10、形成在基板10上的螺旋天線線圈11、設(shè)置成在平面圖中與天線線圈11重疊的第一金屬層12A和第二金屬層12B、以及設(shè)置在相對于天線線圈11與第一金屬層12A和第二金屬層12B相對的側(cè)的磁片14ο
[0082]基板10是例如由PET樹脂制成的柔性基板，并且具有40mmX50mm的平面尺寸和約30 μ m的厚度。天線線圈11具有大致矩形的螺旋圖案Ila并且主要形成在基板10的一個主面10a(下面)上。天線線圈11可以通過鍍覆或通過預(yù)先形成在基板10的整個面上的金屬層的蝕刻(圖案化)而形成。
[0083]天線線圈11的螺旋圖案Ila的兩端被引線部分Ilc和Ild引到基板10的邊緣。具體而言，螺旋圖案Ila的內(nèi)周端通過跨越螺旋的且穿過基板10的通孔導(dǎo)體Ilf的回路的橋接部分Ile而被引到回路外。天線線圈11的兩端連接于例如主電路基板。連接方法沒有特別限制。例如，引線部分Ilc和Ild可以連同由柔性材料制成的基板10 —起延伸，以便連接于主電路基板?？蛇x地，功率饋電引腳可以用作該連接。
[0084]在本實施方式中，橋接部分Ile形成在基板10的另一個主面1b上。橋接部分Ile的一端和另一端分別通過通孔導(dǎo)體Ilf和Ilf而連接于螺旋圖案Ila的內(nèi)周端和引線部分Ild的一端。天線線圈11僅通過直接形成在基板10的一個主面1a和另一個主面1b上的圖案形成，使得不需要層疊用于橋接部分lie的形成的額外的金屬層，因而便于橋接部分lie的形成。具體而言，由于第二金屬層12B不形成在基板10上，因此橋接部分lie能夠設(shè)置于在平面圖中與第二金屬層12B重疊的位置，從而提供橋接部分lie的容易布局。
[0085]在本實施方式中，第一金屬層12A具有所謂的實心圖案并且形成在基板10的另一個主面1b (上面)上。第一金屬層12A可以通過鍍覆或通過預(yù)先形成在基板10的整個面上的金屬層的蝕刻而形成。當(dāng)采用電鍍時，第一金屬層12A可以與天線線圈11的形成同時形成。當(dāng)采用金屬層的蝕刻時，可以形成具有與天線線圈11的厚度不同的厚度的第一金屬層12A。在任一種情況下，第一金屬層12A不接合于基板面，因而沒有粘合劑(粘合層)介于其中，以便可以使第一金屬層12A接近天線線圈11，從而增強它們之間的磁耦合，這引起通信距離的增加。
[0086]第二金屬層12B設(shè)置在基板10的另一個主面1b上方以便與另一個主面1b相對。第二金屬層12B優(yōu)選是構(gòu)成容納有天線裝置7的移動電子設(shè)備諸如智能手機的外殼的構(gòu)件。第二金屬層12B可以形成在不同于外殼的支撐基板上。
[0087]金屬體15設(shè)置在比磁片14更遠(yuǎn)離天線線圈11的位置。金屬體15是例如移動電子設(shè)備諸如安裝有天線裝置7的智能手機的電池殼。通過將磁片14介于天線線圈11與金屬體15之間，可以減少金屬體15施加在天線線圈11上的影響，從而增加電感，這能夠改善天線特性。
[0088]在本實施方式中，天線線圈11由形成在基板的一個主面1a上的第一圖案(包括螺旋圖案Ila和引線部分Ilc和Ild)與形成在另一個主面1b上的第二圖案(包括橋接部分lie)的組合形成，并且橋接部分lie形成為在平面圖中與第二金屬層12B重疊。根據(jù)該配置，天線線圈11以及第一金屬層12A和第二金屬層12B能夠被有效地布局。
[0089]第一金屬層12A設(shè)置在基板10的在Y方向(第一寬度方向)上在一端側(cè)，并且第二金屬層12B設(shè)置在基板10的在Y方向上的另一端側(cè)。在平面圖中第一金屬層12A和第二金屬層12B設(shè)置在天線線圈11的內(nèi)徑部Ilb的中央的兩側(cè)。
[0090]具有固定寬度的狹縫SL設(shè)置在第一金屬層12A與第二金屬層12B之間，并且第一金屬層12A和第二金屬層12B被狹縫SL電隔離?？pSL的寬度優(yōu)選小于天線線圈11的內(nèi)徑部Ilb的在相同的方向上的寬度。狹縫SL設(shè)置在基板10的在其寬度方向上的中央且天線線圈11的內(nèi)徑部lib。也就是說，天線線圈11被布局成在平面圖中其內(nèi)徑部Ilb與狹縫SL重疊。平行于狹縫SL延伸的天線線圈11的部分優(yōu)選在平面圖中分別與第一金屬層12A和第二金屬層12B重疊。
[0091]在本實施方式中，第一金屬層12A的在X方向(第二方向)上的寬度Wl小于基板10的在X方向上的寬度W4，并且具體而言被設(shè)定成等于或小于天線線圈11的內(nèi)徑部Ilb的在X方向上的寬度W2。因此，第一金屬層12A的平面尺寸小于第二金屬層12B的平面尺寸。
[0092]在平面圖中第一金屬層12A與天線線圈11的第一部分Pl重疊。在平面圖中第二金屬層12B跨越天線線圈11的內(nèi)徑部Ilb而與天線線圈11的跟第一部分Pl相對的第二部分P2重疊。被第一金屬層12A覆蓋的天線線圈11的第一部分Pl的面積小于被第二金屬層12B覆蓋的天線線圈11的第二部分P2的面積。
[0093]為了通過增加磁通的回路尺寸來增加通信距離，優(yōu)選盡可能地增加第一金屬層12A和第二金屬層12B的平面尺寸。然而，當(dāng)使用圖案在基板10上形成第一金屬層12A時，第一金屬層12A的平面尺寸不能增加，除非基板尺寸增加。當(dāng)嘗試使第一金屬層12A的平面尺寸隨受限的基板尺寸增加時，天線線圈11被第一金屬層12A大范圍覆蓋而阻止了磁通的通道，使得天線特性未必得到改善。因此，使要形成在基板10上的第一金屬層12A的寬度變小來減小第一金屬層12A的平面尺寸，以便使磁通容易地穿過天線線圈11的內(nèi)徑部11b，由此減小磁通的損失來增加通信距離。
[0094]在第一金屬層12A和第二金屬層12B兩者的平面尺寸大的常規(guī)的天線裝置中，在天線線圈11與第一金屬層12A和第二金屬層12B的各個之間產(chǎn)生大的浮動電容，由于頻率匹配的電容的增加難以實現(xiàn)目標(biāo)頻率(例如，13.56MHz)的匹配。然而，當(dāng)減小第一金屬層12A的平面尺寸時，可以減小天線線圈11與第一金屬層12A之間的浮動電容，從而便于天線頻率匹配。
[0095]另一方面，第二金屬層12B的在X方向上的寬度W3大于基板10的在X方向上的寬度W4。通過利用第二金屬層12B的尺寸，能夠增加磁通的回路尺寸，從而有助于通信距離的增加。
[0096]圖15和圖16是用于說明第一金屬層12A和第二金屬層12B對天線線圈11的作用的視圖。圖15是平面圖并且圖16是截面圖。
[0097]如圖15和圖16所示，當(dāng)逆時針電流Ia在天線線圈11中流動時，產(chǎn)生穿過天線線圈11的內(nèi)徑部Ilb的磁通Φ。該磁通Φ經(jīng)過布置在第一金屬層12A與第二金屬層12B之間的狹縫SL并且與第一金屬層12A和第二金屬層12B互連。另一方面，在抵消磁通Φ的方向上由磁通產(chǎn)生的電流在第一金屬層12A和第二金屬層12B中流動。該電流通過邊緣效應(yīng)變成渦電流Ib，并且沿著第一金屬層12A和第二金屬層12B的外周流動。渦電流Ib與在天線線圈11中流動的電流Ia同樣地在逆時針方向上流動。
[0098]已經(jīng)通過狹縫SL的磁通Φ趨向于遵循迂回路線，使設(shè)置在第一金屬層12A和第二金屬層12B之間的狹縫SL處于內(nèi)側(cè)并且使第一金屬層12A和第二金屬層12B的外邊緣處于外側(cè)。其結(jié)果，該磁通Φ與讀取器/寫入器的天線線圈互連同時描繪較大的回路，其結(jié)果是天線裝置7被磁耦合到通信方側(cè)的設(shè)備的天線。具體而言，由于包括第一金屬層12A