圖像傳感芯片封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種圖像傳感芯片的封裝方法，尤其是涉及一種無(wú)圍堰圖像傳感芯片的封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖像傳感芯片在封裝過(guò)程中，其感光區(qū)需要隔離，以免感光區(qū)遭受微顆粒的污染?，F(xiàn)有技術(shù)的保護(hù)感光區(qū)工藝是在圖像傳感芯片上鍵合一帶圍堰的透明蓋板，其中圍堰包圍感光區(qū)，使感光區(qū)形成一密封空間。該結(jié)構(gòu)會(huì)增加封裝體的厚度，且需要制作圍堰結(jié)構(gòu)，制程復(fù)雜?，F(xiàn)需尋求一種既能保護(hù)感光區(qū)不受污染，又能降低封裝體的厚度，減少封裝制程。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種圖像傳感芯片封裝方法，封裝工藝簡(jiǎn)單，可減少封裝制程，且能很好的保護(hù)芯片的感光區(qū)，保證成像效果，降低芯片封裝體的厚度。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種圖像傳感芯片封裝方法，包含下列步驟:
[0006]a.提供一具有若干圖像傳感芯片的晶片，晶片的正面為圖像傳感芯片的功能面，晶片的背面為圖像傳感芯片基底的下表面，每個(gè)所述圖像傳感芯片的功能面具有感光區(qū)和位于該感光區(qū)周邊的若干焊墊，所述感光區(qū)上包覆一具有絕緣、高透光、耐拭擦和藥水侵蝕性能的介質(zhì)膜；相鄰兩個(gè)所述圖像傳感芯片之間設(shè)有切割道；
[0007]b.提供一載板，所述載板具有第一表面和與其相對(duì)的第二表面；
[0008]c.設(shè)置粘結(jié)層，粘結(jié)晶片正面的介質(zhì)膜和載板的第一表面；
[0009]d.在晶片背面做向正面延伸的開(kāi)口，暴露出圖像傳感芯片功能面的焊墊，并沿開(kāi)口內(nèi)壁及圖像傳感芯片基底的下表面形成重布線金屬層，所述重布線金屬層電性連接所述焊塾；
[0010]e.在晶片背面設(shè)置焊球，所述焊球電性連接所述重布線金屬層；
[0011]f.去除所述載板和所述粘結(jié)層；
[0012]g.沿切割道切割晶片形成單顆圖像傳感芯片封裝體。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述粘結(jié)層為一雙面均具有粘性的臨時(shí)鍵合膠帶。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，去除所述載板和所述粘結(jié)層的方法是:加熱或激光輻照后揭除。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述介質(zhì)膜暴露出晶片正面上的切割道或/和焊墊所處的位置。
[0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，設(shè)粘結(jié)層前，有步驟:晶片正面焊墊部分裸露時(shí)，在晶片正面的焊墊上鍍金屬凸物。
[0017]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在步驟d前，有步驟:減薄晶片背面到預(yù)設(shè)厚度。
[0018]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在步驟d中，重布線金屬層和圖像傳感芯片的基底之間設(shè)有一絕緣層；在重布線金屬層上設(shè)有保護(hù)層。
[0019]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供一種圖像傳感芯片封裝方法，首先，在圖像傳感芯片的感光區(qū)上包覆一層介質(zhì)膜，該介質(zhì)膜具有高透光、絕緣、抗藥水侵蝕及耐擦拭等特性；然后在該晶片的介質(zhì)膜上直接臨時(shí)鍵合載板，作為芯片背部制程中的支撐，接著，進(jìn)行芯片背部制程，最后，在完成背部制程，解除鍵合，切割即可形成單顆圖像傳感芯片封裝體。由于該封裝方法采用了具有高透光、絕緣、抗藥水侵蝕及耐擦拭特性的介質(zhì)膜包覆芯片的感光區(qū)，因此，可避免劃傷或藥水侵蝕破壞，能很好的保護(hù)芯片的感光區(qū)，保證成像效果。由于該介質(zhì)膜可直接臨時(shí)鍵合載板，因此，本發(fā)明相對(duì)于圍堰及透明蓋板的傳統(tǒng)工藝，具有封裝工藝簡(jiǎn)單，可減少封裝制程的優(yōu)勢(shì)，且該介質(zhì)膜取代了傳統(tǒng)封裝工藝中的圍堰及透明蓋板，因此，能夠降低芯片封裝體的厚度。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1a為本發(fā)明實(shí)施例1步驟a中提供的晶片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖1b為本發(fā)明實(shí)施例1步驟c后晶片封裝結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022]圖1c為本發(fā)明實(shí)施例1步驟e后晶片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖1d為本發(fā)明實(shí)施例1步驟f后晶片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖1e為本發(fā)明實(shí)施例1步驟g中切割晶片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2a為本發(fā)明實(shí)施例2步驟a中提供的晶片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2b為本發(fā)明實(shí)施例2步驟c后晶片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2c為本發(fā)明實(shí)施例2步驟e后晶片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2d為本發(fā)明實(shí)施例2步驟f后晶片封裝結(jié)構(gòu)不意圖；
[0029]圖2e為本發(fā)明實(shí)施例2步驟g中切割晶片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明其他實(shí)施例中介質(zhì)膜與芯片感光區(qū)Microlens共面的晶片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]結(jié)合附圖，作以下說(shuō)明:
[0032]1--感光區(qū)101--Micro lens
[0033]2——介質(zhì)膜3——焊墊
[0034]4 晶片401 晶片的正面
[0035]402 晶片的背面 5 粘結(jié)層
[0036]6--載板7--保護(hù)層
[0037]8——焊球9——重布線金屬層
[0038]10一一切割工具 11一一切割膠帶
[0039]12——開(kāi)口13——金屬凸物
【具體實(shí)施方式】
[0040]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明，其目的僅在于更好理解本發(fā)明的內(nèi)容而非限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0041]實(shí)施例1
[0042]一種圖像傳感芯片封裝方法，按以下步驟進(jìn)行:
[0043]a.參見(jiàn)圖la，提供一具有若干圖像傳感芯片的晶片4，晶片的正面401為圖像傳感芯片的功能面，晶片的背面402為圖像傳感芯片基底的下表面，每個(gè)所述圖像傳感芯片的功能面具有感光區(qū)I和位于該感光區(qū)周邊的若干焊墊3，所述感光區(qū)上包覆一具有絕緣、高透光、耐拭擦和藥水侵蝕性能的介質(zhì)膜2 ;相鄰兩個(gè)所述圖像傳感芯片之間設(shè)有切割道，供切割分離成單顆芯片單元，切割道中心位置如圖1a中虛線所示。
[0044]在本實(shí)施例中，介質(zhì)膜為與晶片表面平行的方體結(jié)構(gòu)，如圖1a所示。在其他實(shí)施例中也可與芯片感光區(qū)的Micro lens共面，如圖3所示。
[0045]b.提供一載板6，所述載板具有第一表面和與其相對(duì)的第二表面。
[0046]c.參見(jiàn)圖lb，設(shè)置粘結(jié)層5，粘結(jié)晶片正面的介質(zhì)膜和載板的第一表面。
[0047]優(yōu)選的，所述粘結(jié)層為一雙面均具有粘性的臨時(shí)鍵合膠帶。粘結(jié)層可先粘結(jié)到載板上，再與晶片正面(功能面)鍵合；也可先粘結(jié)到晶片正面(功能面)上，再與載板鍵合。
[0048]在其他實(shí)施例中，該粘結(jié)層還可為臨時(shí)鍵合膠水，最后依據(jù)鍵合膠水的特性，采用相應(yīng)方法去除。
[0049]d.參見(jiàn)圖lc，在晶片背面做向正面延伸的開(kāi)口 12，暴露出圖像傳感芯片功能面的焊墊，并沿開(kāi)口內(nèi)壁及圖像傳感芯片基底的下表面形成重布線金屬層9，所述重布