重（加荷重）燒成和同等溫度下的退火可促進(jìn)氣孔排出。
[0063] 測定得到的透光性氧化鋁基板在波長200~400nm下的前方全光線透過率的平均 值，為60%，直線透過率的平均值為15%。構(gòu)成操作基板的多晶透光性氧化鋁的氧化鋁純 度為99. 9%。
[0064] 接下來，將該基板按順序用GC (綠碳）磨粒、金剛石磨粒、CMP液體研磨至0. 6mm 厚，得到基材2。
[0065] 接下來，準(zhǔn)備直徑巾4英尺，厚度250 y m的單晶Si基板。然后，將單晶Si基板與 上述基材2通過等離子活性化直接鍵合而貼合。用于鍵合的兩個(gè)基板通過在氮?dú)庵袑?shí)施等 離子化處理，之后水洗處理除去表面的粒子。將兩個(gè)基板按壓端部粘合，在該按壓部位鍵合 的同時(shí)，將其鍵合傳播至整個(gè)面部。該現(xiàn)象是通過兩個(gè)基板相互吸引的力（表面間吸引力） 自動進(jìn)行鍵合，在表面被研磨的非常平滑時(shí)被觀察到。
[0066] 兩個(gè)基板鍵合完成后，將單晶Si基板側(cè)用研磨機(jī)研削直至厚度變?yōu)?0 ym，接下 來，用1 y m的金剛石磨粒和錫錠盤精研直至厚度變?yōu)? ii m。接下來，用膠體二氧化硅和聚 氨酯拋光墊研磨，使厚度為〇. 2 y m。這樣將Si基板薄化后，在30(TC下實(shí)施退火處理，得到 基材2和供體基板3的復(fù)合基板。
[0067] 在這樣得到的復(fù)合基板的供體基板3上，用曝光機(jī)形成細(xì)線圖案4。即，首先，在供 體基板上涂布抗蝕劑，用形成有線寬0. 4 y m的圖案的掩模曝光后，顯影。曝光使用KrF激 光（入=248nm)。
[0068] 在這樣得到的半導(dǎo)體電路基板的電路4的主面上，將單晶Si基板作為支持基板6， 通過紫外線固化型樹脂粘著。將半導(dǎo)體電路基板的背面2b側(cè)用研磨機(jī)，研削至半導(dǎo)體基板 的厚度變?yōu)?20 ym。之后，根據(jù)形成的電路4,按照ImmX 1mm的大小形成切割槽9。
[0069] 接下來，從操作基板2A側(cè)照射300mJ/cm2的中心波長365nm的紫外線，使紫外線 固化型樹脂5固化。接下來，從支持基板6剝離100個(gè)各半導(dǎo)體電路基板10的單片時(shí)，對 于其中1個(gè)發(fā)現(xiàn)了基板10的裂紋和不良剝離。
[0070] (實(shí)施例2) 用與實(shí)施例1相同的方式制作復(fù)合基板。但是，測定得到的透光性氧化鋁基板在波長 200~400nm下的前方全光線透過率的平均值時(shí)，為65%，直線透過率的平均值為10%。構(gòu) 成操作基板的多晶透光性氧化鋁的氧化鋁純度為99. 9 %。不過，為改變前方全光線透過率、 直線透過率，將燒成溫度變?yōu)?710°C，退火溫度及時(shí)間變?yōu)?710°C X12hr。
[0071] 此時(shí)，從操作基板2A側(cè)照射300mJ/cm2的中心波長365nm的紫外線，使紫外線固 化型樹脂5固化。接下來，從支持基板6剝離100個(gè)各半導(dǎo)體電路基板10的單片時(shí)，沒有 觀察到基板10的裂紋和不良剝離。
[0072] (比較例1) 按照與實(shí)施例1同樣的方式，通過紫外線固化型樹脂將半導(dǎo)體電路基板和支持基板粘 著，使紫外線固化型樹脂固化，從支持基板剝離100個(gè)半導(dǎo)體電路基板10。但是，本例中， 操作基板為單晶藍(lán)寶石，200~400nm的波長范圍內(nèi)的前方全光線透過率的平均值為85%， 200~400nm的波長范圍內(nèi)的直線透過率的平均值為80 %。
[0073] 然后，從操作基板2A側(cè)照射30mJ/cm2的、中心波長365nm的紫外線，使紫外線固 化型樹脂5固化，從支持基板6剝離100個(gè)切斷的各半導(dǎo)體電路基板10的單片時(shí)，對于其 中9個(gè)，發(fā)現(xiàn)了基板10的裂紋和不良剝離的發(fā)生。
[0074] (比較例2) 按照與實(shí)施例1同樣的方式，通過紫外線固化型樹脂將半導(dǎo)體電路基板和支持基板粘 著，使紫外線固化型樹脂固化，從支持基板剝離100個(gè)半導(dǎo)體電路基板10。但是，本例中，操 作基板為氧化鋁（99. 5 %純度），200~400nm的波長范圍內(nèi)的前方全光線透過率的平均值 為50 %，200~400nm的波長范圍內(nèi)的直線透過率的平均值為1 %以下。
[0075] 然后，從操作基板2A側(cè)照射300mJ/cm2的、中心波長365nm的紫外線，但紫外線固 化型樹脂5沒有固化，無法從支持基板6剝離切斷的各半導(dǎo)體電路基板10的單片。
[0076] (比較例3) 在比較例2中延長紫外線照射時(shí)間。即從操作基板2A側(cè)照射900mJ/cm2的、中心波長 365nm的紫外線，但紫外線固化型樹脂5沒有固化，無法從支持基板6剝離切斷的各半導(dǎo)體 電路基板10的單片。上述結(jié)果歸納于表1。
[0077][表 1]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體用復(fù)合基板的操作基板，其特征在于， 所述操作基板由多晶透光性氧化鋁構(gòu)成，所述多晶透光性氧化鋁的氧化鋁純度為 99. 9%以上，所述多晶透光性氧化鋁在200~400nm波長范圍內(nèi)的前方全光線透過率的平 均值為60%以上，所述多晶透光性氧化鋁在200~400nm波長范圍內(nèi)的直線透過率的平均 值為15%以下。2. -種半導(dǎo)體用復(fù)合基板，其特征在于，具有權(quán)利要求1記載的操作基板，以及與所述 操作基板的接合面相鍵合的供體基板。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合基板，其特征在于，所述供體基板由單晶硅構(gòu)成。4. 一種半導(dǎo)體電路基板，其特征在于，具有權(quán)利要求2或3記載的半導(dǎo)體用復(fù)合基板， 以及在所述供體基板上所設(shè)的電路。5. -種半導(dǎo)體電路基板的制造方法，所述半導(dǎo)體電路基板具有操作基板、與所述操作 基板的接合面相鍵合的供體基板，以及在所述供體基板上所設(shè)的電路，其特征在于，包括下 列工序： 獲得以下部件的工序：該部件具有由多晶透光性氧化鋁構(gòu)成、具有接合面和相對面的 基材，與該基材的接合面相鍵合的供體基板，以及所述供體基板上所設(shè)的電路，其中，所述 多晶透光性氧化鋁的氧化鋁純度為99. 9%以上，所述多晶透光性氧化鋁在200~400nm的 波長范圍內(nèi)的前方全光線透過率的平均值為60 %以上，所述多晶透光性氧化鋁在200~ 400nm的波長范圍內(nèi)的直線透過率的平均值為15%以下； 從所述相對面?zhèn)乳_始加工所述基材，通過減小所述基材的厚度形成所述操作基板的工 序；以及， 在紫外線固化型樹脂介于所述供體基板和支持基板之間的狀態(tài)下，從所述操作基板側(cè) 向所述紫外線固化型樹脂照射200~400nm波長范圍的紫外線，使所述紫外線固化型樹脂 固化的工序。6. 根據(jù)權(quán)利要求5記載的方法，其特征在于，具有剝離工序：使所述紫外線固化型樹脂 固化后，將所述支持基板從所述半導(dǎo)體電路基板剝離。7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6記載的方法，其特征在于，所述供體基板由單晶硅構(gòu)成。
【專利摘要】半導(dǎo)體用復(fù)合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化鋁構(gòu)成，多晶透光性氧化鋁的氧化鋁純度為99.9％以上，多晶透光性氧化鋁在200～400nm波長范圍內(nèi)的前方全光線透過率的平均值為60％以上，多晶透光性氧化鋁在200～400nm波長范圍內(nèi)的直線透過率的平均值為15％以下。
【IPC分類】H01L27/12, H01L21/02
【公開號】CN105074870
【申請?zhí)枴緾N201480019693
【發(fā)明人】宮澤杉夫, 巖崎康范, 高垣達(dá)朗, 井出晃啟, 中西宏和
【申請人】日本礙子株式會社
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2014年12月16日
【公告號】WO2015098609A1