用于高效熱循環(huán)的模塊化基板加熱器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及一種加熱器，所述加熱器用于支撐在處理腔室中的基 板，所述處理腔室用于電子裝置制造。更具體地，一種模塊化加熱器，所述模塊化加熱器可 用于沉積腔室、注入腔室（implant chamber)、蝕刻腔室或退火腔室中，這些腔室用于電子 裝置制造工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 在電子裝置（諸如半導(dǎo)體裝置、發(fā)光二極管和類似者）的制造中，基板受到許多熱 處理，諸如蝕刻、沉積、注入和退火。這些處理中的許多處理要求基板被加熱至所需溫度，且 在特定處理期間維持所述溫度?；寮訜嵬ǔＳ沙蚧遢椛錈崃康募訜嵫b置提供、通過 傳導(dǎo)將熱傳送至基板而提供、通過感應(yīng)將熱傳送至基板而提供、或者它們的一些組合。在某 些熱處理中，必須將基板快速加熱至所需溫度，以確保膜形成的開始或離子迀移（諸如在 注入處理中）。在許多熱處理期間，遍及基板的表面區(qū)域的溫度均勻性也是所需的，以在基 板上提供均勻的化學(xué)或物理反應(yīng)。
[0003] 但是，許多傳統(tǒng)的基板加熱方案具有慢的加熱上升時(shí)間，以及較差的提供遍及基 板的足夠的溫度均勻性的能力。這導(dǎo)致較長的處理時(shí)間，且也會(huì)導(dǎo)致不完全的處理，這將嚴(yán) 重影響裝置產(chǎn)率和產(chǎn)量。另外，許多傳統(tǒng)的腔室和相關(guān)的加熱裝置并未被配置成以下述方 式使用：能夠適用于不同的加熱方式（heating regime)而不需要大量的返工（rework)和 停工期。
[0004] 因此，需要用于能夠?qū)崿F(xiàn)基板的均勻加熱的改良式基板加熱器的設(shè)備和方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本文所述的實(shí)施方式涉及一種模塊化基板支撐件，所述模塊化基板支撐件可用于 多種腔室和/或多種電子裝置制造工藝中。在一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種用于基板處理腔 室的基板支撐件。所述基板支撐件包括：主體，所述主體具有頂板，所述頂板具有基板接收 表面；和可移動(dòng)的加熱器，所述加熱器設(shè)置于主體中，所述加熱器相對于頂板是可移動(dòng)的。
[0006] 在另一實(shí)施方式中，提供一種用于基板處理腔室的基板支撐件。所述基板支撐件 包括：主體，所述主體具有基板支撐表面和第一圍繞體（enclosure);和加熱器，所述加熱 器設(shè)置于第一圍繞體中，所述加熱器包括第二圍繞體，所述第二圍繞體與第一圍繞體流體 連通。
[0007] 在另一實(shí)施方式中，提供一種處理腔室。所述處理腔室包括殼體，所述殼體包括處 理容積；和基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于處理容積中。所述基板支撐件包括：主體， 所述主體具有基板支撐表面和第一圍繞體；和加熱器，所述加熱器設(shè)置于第一圍繞體中，其 中加熱器與基板支撐表面之間的距離為可調(diào)整的。
[0008] 在另一實(shí)施方式中，提供一種用于處理基板的方法。所述方法包括：將基板傳送至 基板支撐件的基板支撐表面，所述基板支撐件具有設(shè)置于其主體中的加熱器；檢測基板的 溫度；和響應(yīng)于所檢測的溫度，相對于主體和基板移動(dòng)加熱器。
[0009] 在又一實(shí)施方式中，提供一種用于基板處理腔室的基板支撐件，所述基板支撐件 包括設(shè)置于主體中的多個(gè)熱源。所述主體包括頂板，所述頂板具有基板接收表面。設(shè)置于 主體中的多個(gè)熱源被配置成發(fā)射光來加熱頂板，其中多個(gè)熱源的一部分被配置成相對于第 二熱源獨(dú)立地控制由至少第一熱源所發(fā)射的光。
【附圖說明】
[0010] 可通過參照實(shí)施方式（一些實(shí)施方式描繪于附圖中）來詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特 征以及以上簡要概述的有關(guān)本發(fā)明更具體的描述。但是，應(yīng)注意，附圖只圖示本發(fā)明的典型 實(shí)施方式且因此不被視為限制本發(fā)明的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其它等效的實(shí)施方式。
[0011] 圖1為根據(jù)本文所述的實(shí)施方式的基板支撐件的局部分解等距視圖。
[0012] 圖2為圖1中所示的基板加熱器的一個(gè)實(shí)施方式的局部側(cè)視截面圖。
[0013] 圖3A和圖3B為圖2中所示的基板加熱器的一部分的側(cè)視截面圖。
[0014] 圖4為可與根據(jù)本文所述的實(shí)施方式的基板加熱器一起使用的腔室的示意性側(cè) 視截面圖。
[0015] 為了便于了解，已經(jīng)盡可能地使用相同的附圖標(biāo)記來表示各圖中共有的相同元 件。預(yù)期一個(gè)實(shí)施方式中披露的元件可有利地用于其它實(shí)施方式中，而無需具體詳述。
【具體實(shí)施方式】
[0016] 本文所述的實(shí)施方式涉及用于基板支撐件的設(shè)備和方法，所述基板支撐件在設(shè)計(jì) 上是模塊化的，使得在多種電子裝置制造工藝中能夠使用。本文所述的基板支撐件可用于 涉及不同制造工藝的多種處理腔室中。例如，本文所述的基板支撐件可用于沉積腔室、蝕刻 腔室、退火腔室、注入腔室、用于形成發(fā)光二極管的腔室以及其它處理腔室中。所述基板支 撐件可用于可從California(加利福尼亞）州的Santa Clara(圣克拉拉）市的Applied Materials，Inc.(應(yīng)用材料公司）購得的處理腔室中，并且也可用于來自其它制造商的處 理腔室中。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述基板支撐件使用加熱器，所述加熱器設(shè)置于基板支撐件 的主體中。加熱器可包括燈陣列，且加熱器可耦接至控制器和溫度傳感器，控制器和溫度傳 感器能夠?qū)崿F(xiàn)定位于基板支撐件上的基板的溫度的閉環(huán)控制。加熱器也可相對于基板垂直 地和/或旋轉(zhuǎn)地移動(dòng)，以改變與基板之間的間距，且另外減小其中的溫度梯度。本文所述的 基板支撐件能夠?qū)崿F(xiàn)較快的升溫時(shí)間并且增加溫度均勻性，這增加了產(chǎn)量且降低了購置成 本（cost of ownership)〇
[0017] 圖1為根據(jù)本文所述的實(shí)施方式的基板支撐件100的局部分解等距視圖。基板 支撐件1〇〇是模塊化的，使得該設(shè)計(jì)能夠在不同的腔室和/或不同的工藝中使用。在一個(gè) 方面中，基板支撐件100的部件為可互換的，這使得能夠翻新改造（retrofit)至配置用于 不同的沉積或熱處理的多種腔室中。基板支撐件100包括主體105,主體105具有設(shè)置于 其中的加熱器110,加熱器110被主體105的外部側(cè)壁115圍繞。加熱器110可包括平臺(tái) (platform)，平臺(tái)可在主體105的中空部內(nèi)移動(dòng)。頂板120適于由加熱器110周圍的外部 側(cè)壁115來支撐。頂板120被圖示成與外部側(cè)壁115的端部125間隔開，以更清楚地顯示 加熱器110。
[0018] 外部側(cè)壁115的端部125和頂板120的周邊表面130之一或兩者可包括界面結(jié) 構(gòu)，以協(xié)助將頂板120安裝在外部側(cè)壁115上的預(yù)定位置中。通過緊固件（未示出），諸如 螺絲、夾具或其組合，可將頂板120固定至外部側(cè)壁115的端部125,緊固件使頂板120能夠 容易移除和附接。頂板120被配置成模塊化的，且頂板120可在腔室維護(hù)期間和為了整修 (refurbishment)而容易地改變。界面結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式被圖示為肩部135,肩部135設(shè) 置于外部側(cè)壁115的端部125上。肩部135可為溝道、溝槽、錐形表面（tapered surface) 或凹槽（chamfer)。頂板120的周邊表面130也可包括與肩部135配合的溝道、溝槽、錐形表 面或凹槽。頂板120包括底表面136與底表面136相對的基板接收表面138?；褰邮毡?面138的尺寸經(jīng)過設(shè)計(jì)，以在處理期間接收和支撐基板（未示出），諸如具有200毫米（mm) 的直徑、300mm的直徑、450mm的直徑或其它直徑的基板。另外，基板接收表面138可用于支 撐矩形或多邊形的基板。主體105和頂板120可為如圖1所示的