半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為扇出型晶片等級的芯片尺寸封裝體的制法，已知下述方法：通過用密封樹脂 將配置在粘合片上的多個半導(dǎo)體芯片一次性密封，形成具備多個半導(dǎo)體芯片和覆蓋多個半 導(dǎo)體芯片的密封樹脂的密封體后，從密封體上剝離粘合片，接著在密封體的粘貼有粘合片 的面上形成再布線層。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004] 專利文獻
[0005] 專利文獻1 :日本特開2001 - 308116號公報
[0006] 專利文獻2 :美國專利申請公開第2006/0183269號說明書

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的問題
[0008] 有時會在密封體上形成絕緣層。作為絕緣層的形成方法，例如有在密封體上粘貼 干式膜抗蝕劑等薄膜的方法。該方法與使用液狀絕緣材料涂布密封體的以往方法相比，容 易控制膜厚，適合于大型的一次性密封。
[0009] 另一方面，作為一次性密封多個半導(dǎo)體芯片的方法，如果采用使用液狀或顆粒狀 密封樹脂的壓縮成型法，則由于伴隨密封樹脂流動的壓力等，半導(dǎo)體芯片陷入到粘合片中， 在密封體表面上產(chǎn)生高度差。如果在高度差大的密封體上粘貼用于形成絕緣層的薄膜，則 薄膜有時會破裂。薄膜的破損是致命性的缺陷，是成品率下降的主要因素。
[0010] 此外，由于伴隨密封樹脂流動的壓力等，產(chǎn)生了電子部件的位置偏移（沿著粘合 片的面的方向的位置偏移）。電子部件的位置偏移也是成品率下降的主要因素。
[0011] 本發(fā)明目的在于解決前述課題，提供一種可以減少電子部件的位置偏移、同時減 少電子部件向粘合片的陷入的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0012] 解決問題的方法
[0013] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：層疊工序，將樹脂片配置在電子 部件臨時固定體上，該電子部件臨時固定體具備粘合片以及配置于粘合片上的多個電子部 件；和密封工序，在〇. 03~3MPa下對通過層疊工序得到的層疊體進行壓制，形成具備多個 電子部件以及覆蓋多個電子部件的樹脂片的密封體。
[0014] 本發(fā)明中，由于使用樹脂片，并在3MPa以下的較低壓力下進行壓制，因此可以減 少電子部件的位置偏移。此外，可以減少電子部件向粘合片的陷入，從而可以減小密封體表 面的高度差。由此，可以提高成品率。需要說明的是，在使用大型的粘合片進行一次性密封 時，成品率的提高效果特別大。此外，由于在〇. 〇3MPa以上的壓力下進行壓制，因此可以良 好地填埋電子部件間的間隙。
[0015] 密封工序的壓制溫度優(yōu)選為60~150°C。通過在150°C以下進行壓制，可以減少 電子部件的位置偏移，同時可以減少電子部件向粘合片的陷入。此外，通過在60°C以上進行 壓制，可以良好地填埋電子部件間的間隙。
[0016] 優(yōu)選使用在60~150°C下的最低粘度為30~8000Pa ? S的樹脂片。通過使用最 低粘度為30Pa *s以上的樹脂片，可以抑制密封時的樹脂流動，并且可以防止樹脂向密封區(qū) 外部溢出。此外，通過使用最低粘度為8000Pa*s以下的樹脂片，可以減少電子部件的位置 偏移，同時可以減少電子部件向粘合片的陷入。此外，可以良好地填埋電子部件間的間隙。
[0017] 本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，通常還包括從密封體上剝離粘合片的剝離工 序。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，可以在密封體中使電子部件與樹脂片的高度差 為3 ym以下。如果高度差為3 ym以下，則可以防止絕緣層形成用薄膜的破損。
[0018] 所述密封工序前后的所述電子部件的偏移（芯片位移）優(yōu)選為15 ym以下。
[0019] 發(fā)明效果
[0020] 根據(jù)本發(fā)明，可以減少電子部件的位置偏移，同時可以減少電子部件向粘合片的 陷入。
【附圖說明】
[0021] 圖1是電子部件臨時固定體的剖面示意圖。
[0022] 圖2是電子部件臨時固定體的俯視示意圖。
[0023] 圖3是樹脂片的剖面示意圖。
[0024] 圖4是表不半導(dǎo)體裝置的個制造工序的不意圖。
[0025] 圖5是表示半導(dǎo)體裝置的一個制造工序的示意圖。
[0026] 圖6是表不半導(dǎo)體裝置的個制造工序的不意圖。
[0027] 圖7(a)是密封體的剖面示意圖。圖7(b)是（a)的2點劃線部分的放大圖。
[0028] 圖8是表不半導(dǎo)體裝置的個制造工序的不意圖。
[0029] 圖9是表不半導(dǎo)體裝置的個制造工序的不意圖。
[0030] 圖10是表不半導(dǎo)體裝置的個制造工序的不意圖。
[0031] 圖11是表不半導(dǎo)體裝置的個制造工序的不意圖。
【具體實施方式】
[0032] 以下，詳細說明本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個例子。
[0033] [準備工序]
[0034] 首先，準備電子部件臨時固定體32和樹脂片31。
[0035] (電子部件臨時固定體32)
[0036] 如圖1、2所示，電子部件臨時固定體32具備粘合片3和配置在粘合片3上的電子 部件33。
[0037] 粘合片3具備支承體3b和層疊在支承體3b上的粘合劑層3a (參照圖1)。在粘合 劑層3a上配置多個電子部件33 (參照圖1、2)。
[0038] 作為電子部件33,沒有特別限定，可以列舉半導(dǎo)體、電容器、傳感設(shè)備、發(fā)光元件、 振動元件等。其中，從容易獲得使用樹脂片31的大型成型所帶來的高效生產(chǎn)的優(yōu)點來看， 優(yōu)選半導(dǎo)體芯片。
[0039] 配置在粘合片3上的電子部件數(shù)只要為2個以上就沒有特別限定。例如為100個 以上。此外，電子部件數(shù)的上限沒有特別限定，通常為10000個以下。電子部件33的布局 沒有特別限定。
[0040] 作為粘合劑層3a，沒有特別限定，可以使用熱剝離性粘合劑層、放射線固化型粘合 劑層、紫外線固化型粘合劑層等。作為支承體3b的材料，沒有特別限定。例如為SUS等金 屬材料、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚醚酮、聚醚砜等塑料材料等。
[0041] 粘合片3的形狀沒有特別限定，可以使用大致多邊形、大致圓形等。需要說明的 是，所謂大致多邊形、大致圓形，是指對粘合片3進行俯視時的形狀。
[0042] 大致多邊形不僅包括多邊形，還包括類似多邊形。具體而言，大致多邊形除了多邊 形以外，還包括至少一部分角帶有弧度的類似多邊形、至少一部分邊或該邊的一部分為曲 線的類似多邊形等。作為大致多邊形，優(yōu)選大致矩形、大致正方形。
[0043] 作為這種大致多邊形的粘合片3,優(yōu)選至少一邊的長度為300mm以上。由此，可以 高效地制造半導(dǎo)體裝置38。一邊長度的上限沒有特別限定，例如為700mm以下。
[0044] 大致圓形不僅包括圓形，還包括圓形類似形狀。具體而言，大致圓形除了真圓形以 外，還包括橢圓形、圓周的至少一部分形成為凹凸部的圓形類似形狀、圓周的至少一部分形 成為線狀部（直線狀部）的圓形類似形狀、圓周的至少一部分形成為波線狀部的圓形類似 形狀等。
[0045] 作為這種大致圓形的粘合片3,優(yōu)選其直徑或短徑為300mm以上。由此，可以高效 地制造半導(dǎo)體裝置38。直徑或短徑的上限沒有特別限定，例如為16英寸以下。
[0046] 從可以尚效地制造半導(dǎo)體裝置38的觀點考慮，粘合片3的面積（對粘合片3進行 俯視時的面積）例如優(yōu)選為7〇〇〇〇_ 2~500000mm2。
[0047] 需要說明的是，在粘合片3上配置多個電子部件33的方法沒有特別限定，例如，使 用倒裝片焊接機、芯片接合機等即可。
[0048] (樹脂片 31)
[0049] 如圖3所示，樹脂片31的形態(tài)為片狀。
[0050] 樹脂片31在60~150°C下的最低粘度優(yōu)選為30Pa ? s以上，更優(yōu)選為2000Pa ? s 以上，進一步優(yōu)選為5000Pa *s以上。如果為30Pa *s以上，則可以抑制密封時的樹脂流動， 并且可以防止樹脂向密封區(qū)域外部溢出。此外，最低粘度優(yōu)選為8000Pa*s以下，更優(yōu)選為 7000Pa *s以下。如果為8000Pa *s以下，則可以減少電子部件33的位置偏移，同時可以減 少電子部件33向粘合片3的陷入。此外，可以良好地填埋電子部件33間的間隙。
[0051] 60~150°C下的最低粘度可以通過實施例中記載的方法進行測定。
[0052] 60~150°C下的最低粘度可以通過二氧化硅填料的含量等進行控制。例如，通過 增大二氧化硅填料的含量，可以提高最低粘度。
[0053] 本發(fā)明中使用的樹脂片31優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂。
[0054] 作為環(huán)氧樹脂，沒有特別限定。例如，可以使用三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛 型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、改性雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹 月旨、改性雙酚F型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)