而不限于這種結(jié)構(gòu)。只要是工作臺(tái)11與框架保持單元12在鉛直方向上相對(duì)移動(dòng)規(guī)定的距離，從而使得擴(kuò)張膜S擴(kuò)張的結(jié)構(gòu)即可。例如，既可以是工作臺(tái)11相對(duì)于框架保持單元12上升而擴(kuò)張擴(kuò)張膜S，也可以是工作臺(tái)11上升而框架保持單元12下降，從而擴(kuò)張擴(kuò)張膜S。
[0045]如圖6所示，在芯片間隔擴(kuò)張步驟后實(shí)施吸附保持步驟。在吸附保持步驟中，開閉閥14開啟而使得吸附源13與支撐面21連通，在工作臺(tái)11上的支撐面21上產(chǎn)生吸附力。此時(shí)，擴(kuò)張膜S延展，因此通過(guò)工作臺(tái)11隔著擴(kuò)張膜S吸附保持住被加工物W，從而維持住相鄰芯片C間的間隔。如此，在芯片間隔的擴(kuò)張時(shí)，并未以不妨礙擴(kuò)張膜S的擴(kuò)張的方式通過(guò)工作臺(tái)11吸附保持?jǐn)U張膜S，而是以在芯片間隔的擴(kuò)張后維持芯片間隔的方式通過(guò)工作臺(tái)11吸附保持?jǐn)U張膜S。
[0046]如圖7所示，在吸附保持步驟的后實(shí)施隆起部形成步驟。在隆起部形成步驟中，框架保持單元12從下降位置起上升，從而解除了工作臺(tái)11相對(duì)于框架保持單元12的頂起。通過(guò)工作臺(tái)11的頂起的解除，通過(guò)擴(kuò)張膜S擴(kuò)張而形成的多余部位隆起，從而在被加工物W的外周側(cè)形成隆起部R。此時(shí)，在工作臺(tái)11上吸附保持有擴(kuò)張膜S，因此即使被加工物W的周圍的擴(kuò)張膜S松弛，工作臺(tái)11上的擴(kuò)張膜S也不會(huì)產(chǎn)生松弛。
[0047]如圖8所示，在隆起部形成步驟后實(shí)施加熱收縮步驟。如圖8A所示，在加熱收縮步驟中，通過(guò)按壓?jiǎn)卧?3從下側(cè)按壓擴(kuò)張膜S，而擴(kuò)張膜S的隆起部R向加熱單元41的熱照射口 45的正下方移動(dòng)。例如，憑借按壓?jiǎn)卧?3在加熱單元41的熱照射口 45的正下方制作出新的隆起部R，從而使得產(chǎn)生于被加工物W的外周附近的隆起部R移動(dòng)。接著，如圖SB所示，憑借來(lái)自加熱單元41的熱照射口 45的遠(yuǎn)紅外線的點(diǎn)照射而使得擴(kuò)張膜S的隆起部R加熱收縮(熱縮)。然后，多個(gè)加熱單元41圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)，擴(kuò)張膜S的隆起部R在全周范圍加熱收縮。
[0048]如上，在憑借存在于擴(kuò)張膜S內(nèi)部的張力的偏差而使得產(chǎn)生于被加工物W的周圍的隆起部R偏離加熱單元41的照射位置時(shí)，擴(kuò)張膜S會(huì)憑借按壓?jiǎn)卧?3向加熱單元41的照射位置移動(dòng)。由此，憑借加熱單元41的點(diǎn)照射而使得擴(kuò)張膜S的隆起部R高效地?zé)崾湛s。在加熱收縮步驟中，僅被加工物W的周圍的擴(kuò)張膜S的隆起部R熱收縮，因此即使解除了工作臺(tái)11的吸附保持，也能以維持相鄰芯片C的間隔的狀態(tài)固定。
[0049]如上，在本實(shí)施方式的芯片間隔維持裝置I中，被加工物W保持于工作臺(tái)11上，環(huán)狀框架F保持于框架保持單元12上，擴(kuò)張膜S進(jìn)行擴(kuò)張，從而在芯片間形成間隔。而且，在憑借工作臺(tái)11的吸附而在被加工物W的芯片C間維持間隔的狀態(tài)下解除擴(kuò)張膜S的擴(kuò)張，從而使得擴(kuò)張膜S的松弛造成的多余部分在被加工物W的外周與環(huán)狀框架F的內(nèi)周之間隆起而形成隆起部R。此時(shí)，憑借存在于擴(kuò)張膜S內(nèi)部的張力的偏差，在產(chǎn)生于被加工物W的周圍的隆起部R偏離熱照射口 45的正下方時(shí)，由按壓?jiǎn)卧?3按壓擴(kuò)張膜S而使得隆起部R向熱照射口 45的正下方移動(dòng)。由于隆起部R向熱照射口 45的附近移動(dòng)，因此能夠從熱照射口 45起向隆起部R照射遠(yuǎn)紅外線，能夠使隆起部R高效地?zé)崾湛s。
[0050]另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變更并實(shí)施。上述實(shí)施方式的內(nèi)容不限于附圖中所示的大小和形狀，可以在發(fā)揮本發(fā)明效果的范圍內(nèi)適當(dāng)變更。此外，在不脫離本發(fā)明目的的范圍內(nèi)可以適當(dāng)變更并實(shí)施。
[0051]例如，在本實(shí)施方式的芯片間隔擴(kuò)張步驟中，構(gòu)成為通過(guò)擴(kuò)張膜S的擴(kuò)張而將被加工物W分割為多個(gè)芯片C，并且在多個(gè)芯片C間形成間隔，然而不限于這種結(jié)構(gòu)。例如，在被加工物W已被分割的情況下，在芯片間隔擴(kuò)張步驟中，只要通過(guò)擴(kuò)張膜S的擴(kuò)張而在多個(gè)芯片C間形成間隔即可。
[0052]此外，在本實(shí)施方式中，加熱單元41構(gòu)成為對(duì)擴(kuò)張膜S的隆起部R點(diǎn)照射遠(yuǎn)紅外線而使該隆起部R熱收縮，然而不限于這種結(jié)構(gòu)。加熱單元41只要能夠使隆起部R熱收縮，就能采用任意結(jié)構(gòu)。
[0053]此外，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成為框架保持單元12憑借載置工作臺(tái)31和罩板33夾入環(huán)狀框架F，然而不限于這種結(jié)構(gòu)?？蚣鼙３謫卧?2只要能夠保持環(huán)狀框架F即可，例如，框架保持單元12可以構(gòu)成為將被空氣致動(dòng)器等驅(qū)動(dòng)的夾持部設(shè)置于載置工作臺(tái)31的四邊，以保持環(huán)狀框架F的四邊。
[0054]此外，在本實(shí)施方式中，通過(guò)多個(gè)可動(dòng)銷構(gòu)成按壓?jiǎn)卧?3，然而不限于這種結(jié)構(gòu)。按壓?jiǎn)卧?3只要構(gòu)成為按壓擴(kuò)張膜S的隆起部R，并使其移動(dòng)至加熱單元41的熱照射口45的附近，就能采用任意結(jié)構(gòu)。例如，按壓?jiǎn)卧?3可以構(gòu)成為使筒狀的周壁從工作臺(tái)11的支撐面21起突出，并在全周范圍按壓擴(kuò)張膜S的隆起部R。
[0055]如上所述，本發(fā)明具有能夠在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確地去除由于擴(kuò)張膜的擴(kuò)張而產(chǎn)生的松弛的效果，尤其適用于維持?jǐn)U張了小芯片、大口徑的被加工物的多個(gè)芯片間隔的狀態(tài)的芯片間隔維持方法。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種芯片間隔維持裝置，其將構(gòu)成被加工物的多個(gè)芯片的間隔維持為擴(kuò)張狀態(tài)，其中，該被加工物貼附于擴(kuò)張膜上而安裝于環(huán)狀框架上， 該芯片間隔維持裝置的特征在于，具有: 工作臺(tái)，其具有支撐被加工物的支撐面，并且隔著擴(kuò)張膜以能夠吸附保持的方式支撐被加工物； 框架保持單元，其具有在該工作臺(tái)的周圍保持環(huán)狀框架的保持面； 擴(kuò)張單元，其通過(guò)擴(kuò)張?jiān)摂U(kuò)張膜而在多個(gè)該芯片間形成間隔； 加熱單元，其從上方側(cè)對(duì)隆起部照射熱而使該隆起部進(jìn)行收縮，其中，該隆起部是在該工作臺(tái)隔著該擴(kuò)張膜吸附保持被該擴(kuò)張單元擴(kuò)張了該擴(kuò)張膜而在該芯片間形成有間隔的多個(gè)該芯片的同時(shí)，通過(guò)解除該擴(kuò)張單元的擴(kuò)張而在被加工物的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間由該擴(kuò)張膜的多余部分隆起而成的；以及 按壓?jiǎn)卧?，其配設(shè)于與該加熱單元的熱照射口相對(duì)的隔著該擴(kuò)張膜的正下方，且從該擴(kuò)張膜的下方朝該加熱單元的該熱照射口的方向按壓該擴(kuò)張膜，使該隆起部向該加熱單元的該熱照射口的附近移動(dòng)。2.—種芯片間隔維持方法，使用權(quán)利要求1所述的芯片間隔維持裝置，將構(gòu)成被加工物的多個(gè)芯片的間隔維持為擴(kuò)張狀態(tài)，其中，該被加工物貼附于擴(kuò)張膜上而安裝于環(huán)狀框架上， 該芯片間隔維持方法，由如下步驟構(gòu)成: 保持步驟，在該工作臺(tái)上隔著該擴(kuò)張膜載置被加工物，并且通過(guò)該框架保持單元保持該環(huán)狀框架； 芯片間隔擴(kuò)張步驟，在實(shí)施了該保持步驟后，使該工作臺(tái)和該框架保持單元在鉛直方向上相對(duì)移動(dòng)規(guī)定的距離，使該工作臺(tái)相對(duì)于該框架保持單元頂起而延展該擴(kuò)張膜，從而在該多個(gè)芯片間形成間隔； 吸附保持步驟，在實(shí)施了該芯片間隔擴(kuò)張步驟后，通過(guò)該工作臺(tái)隔著該擴(kuò)張膜吸附保持被加工物，從而維持相鄰的該芯片間的間隔； 隆起部形成步驟，在開始了該吸附保持步驟后，使該工作臺(tái)和該框架保持單元在鉛直方向上相對(duì)移動(dòng)，解除該工作臺(tái)相對(duì)于該框架保持單元的頂起，形成該擴(kuò)張膜擴(kuò)張而形成的該擴(kuò)張膜的多余部位在被加工物的外周側(cè)向該擴(kuò)張膜的正面?zhèn)嚷∑鸲傻穆∑鸩?；以及加熱收縮步驟，在實(shí)施了該隆起部形成步驟后，通過(guò)該按壓?jiǎn)卧磯簲U(kuò)張膜，使該隆起部移動(dòng)至該加熱單元的該熱照射口的正下方，并且通過(guò)該加熱單元對(duì)該隆起部進(jìn)行加熱而使其收縮。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片間隔維持方法，其特征在于， 在設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線的被加工物上，沿著該分割預(yù)定線形成有分割起點(diǎn)， 在該芯片間隔擴(kuò)張步驟中，被加工物被分割為多個(gè)芯片，并且在芯片間形成有間隔。
【專利摘要】本發(fā)明提供芯片間隔維持裝置以及芯片間隔維持方法，能夠在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確地去除擴(kuò)張的擴(kuò)張膜的松弛。芯片間隔維持裝置是通過(guò)擴(kuò)張狀態(tài)維持隔著擴(kuò)張膜(S)而支撐于環(huán)狀框架(F)上的被加工物(W)的多個(gè)芯片(C)的間隔的裝置，其構(gòu)成為具有：吸附保持被加工物的工作臺(tái)(11)；在工作臺(tái)的周圍保持環(huán)狀框架的框架保持單元(12)；使保持工作臺(tái)與框架保持單元在鉛直方向上相對(duì)移動(dòng)并擴(kuò)張擴(kuò)張膜，在被加工物的多個(gè)芯片間形成間隔的擴(kuò)張單元(37)；向由于解除膨脹帶的擴(kuò)張而產(chǎn)生于被加工物的周圍的隆起部(R)照射熱的加熱單元(41)；以及從下方按壓加熱單元在擴(kuò)張膜上的熱照射位置的按壓?jiǎn)卧?23)。
【IPC分類】H01L21/301, H01L21/304
【公開號(hào)】CN105097479
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510229164
【發(fā)明人】植木篤
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社迪思科
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年5月7日