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      一種晶圓版圖的cdsem測量方法

      文檔序號(hào):9377871閱讀:1784來源:國知局
      一種晶圓版圖的cdsem測量方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,具體地,本發(fā)明涉及一種晶圓版圖的CDSEM測量方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]集成電路制造技術(shù)是一個(gè)復(fù)雜的工藝,技術(shù)更新很快。表征集成電路制造技術(shù)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)為最小特征尺寸,即關(guān)鍵尺寸(critical dimens1n,⑶),關(guān)鍵尺寸的大小從最初的125微米發(fā)展到現(xiàn)在的0.13微米,甚至更小,正是由于關(guān)鍵尺寸的減小才使得每個(gè)芯片上設(shè)置百萬個(gè)器件成為可能。
      [0003]隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小,所述器件的邏輯區(qū)故障排除(Logic areadebug)變得更加困難,因?yàn)楣收蠀^(qū)域或者具有缺陷的地方很難找到,現(xiàn)有技術(shù)中尋找缺陷點(diǎn)(weak point)的方法通常為先將所述設(shè)計(jì)后的版圖輸入,查找關(guān)鍵層(critical layer)的缺陷點(diǎn)(weak point),包括有源區(qū)(AA)、接觸孔(CT)、通孔(VIA)等,現(xiàn)有技術(shù)中大都通過測量關(guān)鍵尺寸的掃描電子顯微鏡(CDSEM)對圖案的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行測量,以便查找到所述圖案中的存在的缺陷點(diǎn)。
      [0004]在該過程中,由于版圖中的圖案都非常相近,在進(jìn)行缺陷點(diǎn)的檢查時(shí)通常需要將其中的一個(gè)被測圖案A作為另一個(gè)被測圖案B的定位圖案(addressing pattern),將A作為參照,對圖案B進(jìn)行測量,特別是在缺陷點(diǎn)相鄰很近的時(shí)候,所述方法具有較高的效率。但是所述方法仍存在很多不足,其中被測圖案A作為另一個(gè)被測圖案B的定位圖案在進(jìn)行CDSEM測量時(shí)受到電子的轟擊,而在對被測圖案A進(jìn)行測量時(shí),需要再次對所述被測圖案A進(jìn)行電子轟擊,所以被測圖案A在整個(gè)測量過程中將受到兩次電子的轟擊,使得被測圖案A的測量結(jié)果不夠產(chǎn)生偏差,不夠準(zhǔn)確。
      [0005]因此,現(xiàn)有技術(shù)中對于缺陷點(diǎn)檢測時(shí),其中某些被測圖案成為定位圖案被電子轟擊,在測量時(shí)會(huì)被再次轟擊導(dǎo)致測量結(jié)果不夠準(zhǔn)確,而現(xiàn)有技術(shù)中并沒有方法能夠確保測試圖案不被作為定位圖案,所以需要對現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn),以便消除上述難題,提高測量的準(zhǔn)確度。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]在
      【發(fā)明內(nèi)容】
      部分中引入了一系列簡化形式的概念,這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
      【發(fā)明內(nèi)容】
      部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征,更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
      [0007]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供了一種晶圓版圖的CDSHM測量方法,包括:
      [0008]步驟(a)選擇測量圖案,并檢查所述測量圖案是否已經(jīng)用作定位圖案;
      [0009]步驟(b)選擇所述測量圖案的定位圖案,并檢測所述定位圖案是否為所有測量圖案中的一個(gè),以防止所述測量圖案作為另一測量圖案的定位圖案在CDSEM測量中被電子放射多次。
      [0010]作為優(yōu)選,在所述步驟(a)中,若所述測量圖案已經(jīng)用作定位圖案,則發(fā)出警告,并查找到選用所述測量圖案作為定位圖案的點(diǎn),對所述點(diǎn)重新選擇定位圖案,選用測量圖案以外的圖案作為所述定位圖案;
      [0011]若所述測量圖案沒有用作定位圖案,執(zhí)行步驟(b)。
      [0012]作為優(yōu)選,在所述步驟(b)中,若所述定位圖案為所有測量圖案中的一個(gè),則發(fā)出警告,并對所述定位圖案進(jìn)行重新選擇,選用測量圖案以外的圖案作為所述定位圖案。
      [0013]作為優(yōu)選,若所述定位圖案沒有用作測量圖案,則對所述定位圖案進(jìn)行編輯。
      [0014]作為優(yōu)選,所述方法還包括對所述測量圖案進(jìn)行編輯測量的步驟。
      [0015]在本發(fā)明中通過兩個(gè)步驟對測量圖案進(jìn)行檢查,所述兩個(gè)步驟分別為檢查所述版圖中測量圖案是否已經(jīng)用作定位圖案,同時(shí)檢測所述定位圖案是否已經(jīng)作為測量圖案,以防止測量圖案作為另一測量圖案的定位圖案,在CDSEM測量中被電子放射多次,以確保所述測量圖案測量的準(zhǔn)確性。
      【附圖說明】
      [0016]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述,用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中,
      [0017]圖1為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中晶圓版圖的CDSHM測量方法的框架圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0018]在下文的描述中,給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是,本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中,為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆,對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
      [0019]應(yīng)予以注意的是,這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實(shí)施例,而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的,除非上下文另外明確指出,否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外,還應(yīng)當(dāng)理解的是,當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí),其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件,但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
      [0020]現(xiàn)在,將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而,這些示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來實(shí)施,并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是,提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整,并且將這些示例性實(shí)施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中,為了清楚起見,使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件,因而將省略對它們的描述。
      [0021]本發(fā)明中為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所述測量圖案通常作為另一測量圖案的定位圖案,被轟擊兩次甚至多次,導(dǎo)致測量結(jié)果不夠準(zhǔn)確的問題,提供了一種新的檢測方法,所述通過兩個(gè)步驟來檢查,以確保所述測量圖案不會(huì)被用作定位圖案,所述兩個(gè)步驟包括:
      [0022]步驟(a)選擇測量圖案,并檢查所述測量圖案是否已經(jīng)用作定位圖案;
      [0023]步驟(b)選擇所述測量圖案的定位圖案,并檢測所述定位圖案是否為所述晶圓版圖的所有測量圖案中的一個(gè),以防止所述測量圖案作為另一測量圖案的定位圖案,在CDSEM測量中被電子放射多次。
      [0024]其中所述多次為兩次或者兩次以上,若所述測量圖案作為另外一個(gè)測量圖案的定位圖案,則該測量圖案會(huì)被放射兩次,若再次用作其他測量圖案的定位圖案時(shí),則可能被放射3次或者更多,因此本申請通過上述方法可以避免該測量圖案被放射多次。
      [0025]具體
      當(dāng)前第1頁1 2 
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