一種晶圓反應(yīng)腔室及晶圓反應(yīng)腔室之晶圓保護(hù)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓反應(yīng)腔室及晶圓反應(yīng)腔室之晶圓保護(hù)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著晶圓制造技術(shù)日趨復(fù)雜，在晶圓制造過程中便會存在越來越多的因素可能會導(dǎo)致晶圓制造過程的中斷。特別地，針對需要真空環(huán)境的制造過程，中斷勢必會導(dǎo)致反應(yīng)腔室內(nèi)真空度發(fā)生變化，或者在反應(yīng)重啟后其反應(yīng)腔室內(nèi)真空度發(fā)生變化。明顯地，不同時段的真空度變化都會導(dǎo)致真空反應(yīng)腔室外的大氣沖擊真空反應(yīng)腔室內(nèi)的晶圓，進(jìn)而使得晶圓表面形成大量的顆粒物污染。
[0003]常規(guī)的晶圓反應(yīng)腔室，例如原位蒸汽氧化器(ISSG)的反應(yīng)腔室，在機(jī)臺報警導(dǎo)致反應(yīng)過程中斷時，反應(yīng)腔室會自動關(guān)閉閥門，使反應(yīng)腔室保持真空環(huán)境。但是，當(dāng)反應(yīng)重啟時，所關(guān)閉之閥門便會自動打開，外界的大氣必將沖擊反應(yīng)腔室內(nèi)的晶圓，導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)表面顆粒物污染。
[0004]對于晶圓表面之顆粒物污染，業(yè)界通常采用濕法清洗進(jìn)行去除。雖然濕法清洗可以將晶圓表面之顆粒物污染去除，但是如果晶圓表面較為脆弱，在不能采用濕法清洗工藝的時候，該被顆粒污染之晶圓只能報廢。
[0005]尋求一種因機(jī)臺出現(xiàn)異常而中斷時，可自動保護(hù)晶圓，避免形成表面顆粒物污染的反應(yīng)腔室及其晶圓的保護(hù)方法已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題之一。
[0006]故針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本案設(shè)計人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗，積極研究改良，于是有了本發(fā)明一種晶圓反應(yīng)腔室及晶圓反應(yīng)腔室之晶圓保護(hù)方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的晶圓反應(yīng)腔室在工藝機(jī)臺發(fā)生故障時真空度變化，導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)顆粒物污染，甚至報廢等缺陷提供一種晶圓反應(yīng)腔室及晶圓反應(yīng)腔室之晶圓保護(hù)方法。
[0008]本發(fā)明之第二目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的晶圓反應(yīng)腔室在工藝機(jī)臺出現(xiàn)故障時真空度變化，導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)顆粒物污染，甚至報廢等缺陷提供一種晶圓反應(yīng)腔室之晶圓保護(hù)方法。
[0009]為實現(xiàn)本發(fā)明之目的，本發(fā)明提供一種晶圓反應(yīng)腔室，所述晶圓反應(yīng)腔室，包括:反應(yīng)腔室本體，設(shè)置進(jìn)氣閥門和出氣閥門，并圍閉形成待工藝處理之晶圓的容置腔；托環(huán)載體，呈面向設(shè)置在所述反應(yīng)腔室本體之底板處，并在所述托環(huán)載體之呈面向設(shè)置的一側(cè)形成由第一空間和第二空間縱向疊置的“凸”型空間，且所述托環(huán)載體在驅(qū)動電機(jī)的作用下進(jìn)行移動；晶圓托環(huán)，設(shè)置在所述托環(huán)載體之異于所述底板的一側(cè)；密封墊圈，設(shè)置在所述托環(huán)載體之異于所述底板的一側(cè)，且位于所述托環(huán)載體之內(nèi)邊緣；第一伸縮支架，設(shè)置在由所述托環(huán)載體形成的“凸”型空間內(nèi)；真空隔離燈罩，與所述待工藝處理之晶圓呈面向設(shè)置，并可伸縮式的設(shè)置在所述反應(yīng)腔室本體之頂板處。
[0010]可選地，所述托環(huán)載體在驅(qū)動電機(jī)的作用下進(jìn)行相向移動，以實現(xiàn)所述托環(huán)載體的合并，或在驅(qū)動電機(jī)的作用下進(jìn)行反向移動，以實現(xiàn)所述托環(huán)載體的分離。
[0011]可選地，所述“凸”型空間之第一空間小于所述“凸”型空間之第二空間。
[0012]可選地，所述第一伸縮支架的數(shù)量為3根。
[0013]可選地，所述真空隔離燈罩通過設(shè)置在所述反應(yīng)腔室本體之頂板上的第二伸縮支架可伸縮式的與所述反應(yīng)腔室本體之頂板相連。
[0014]為實現(xiàn)本發(fā)明之第二目的，本發(fā)明提供一種晶圓反應(yīng)腔室之晶圓的保護(hù)方法，所述晶圓反應(yīng)腔室之晶圓保護(hù)方法，包括:
[0015]執(zhí)行步驟S1:所述晶圓反應(yīng)腔室之進(jìn)氣閥門和出氣閥門關(guān)閉，保持所述反應(yīng)腔室本體內(nèi)真空狀態(tài)；
[0016]執(zhí)行步驟:所述第一伸縮支架伸展，并頂持所述待工藝處理之晶圓，且所述托環(huán)載體和所述晶圓托環(huán)在驅(qū)動電機(jī)的作用下背向移動，并使得所述“凸”型空間之第一空間大于所述待工藝處理之晶圓的尺寸；
[0017]執(zhí)行步驟S3:所述第一伸縮支架收縮，并承載所述待工藝處理之晶圓向下運(yùn)動至所述“凸”型空間之第二空間內(nèi)，且所述托環(huán)載體和所述晶圓托環(huán)在驅(qū)動電機(jī)的作用下相向移動，使得所述托環(huán)載體和所述晶圓托環(huán)均合并密封；
[0018]執(zhí)行步驟S4:所述真空隔離燈罩在所述第二伸縮支架的伸展作用力下沿著所述待工藝處理之晶圓的方向移動，并頂持所述密封墊圈，以形成由所述真空隔離燈罩、密封墊圈和托環(huán)載體構(gòu)成的密閉空間，所述晶圓反應(yīng)腔室之進(jìn)氣閥門和出氣閥門打開，外界大氣沖擊所述反應(yīng)腔室本體；
[0019]執(zhí)行步驟S5:重新建立真空環(huán)境，并通入反應(yīng)氣體，將所述待工藝處理之晶圓從由述真空隔離燈罩、密封墊圈和托環(huán)載體構(gòu)成的密閉空間內(nèi)回至所述晶圓托環(huán)處。
[0020]可選地，所述托環(huán)載體之異于反應(yīng)腔室本體之底板的一側(cè)為可配合成圓的雙半圓狀。
[0021]可選地，所述晶圓托環(huán)為可配合成圓的雙半圓狀。
[0022]可選地，所述第一伸縮支架的伸縮量為當(dāng)所述第一伸縮支架在伸展時可頂持待工藝處理之晶圓，當(dāng)所述第一伸縮支架在壓縮時可承載待工藝處理之晶圓進(jìn)入所述“凸”型空間之第二空間內(nèi)。
[0023]可選地，所述密封墊圈呈倒“八”字設(shè)置在所述托環(huán)載體之異于所述底板一側(cè)的內(nèi)邊緣。
[0024]綜上所述，本發(fā)明晶圓反應(yīng)腔室在機(jī)臺故障時，可自動形成由所述真空隔離燈罩、密封墊圈和托環(huán)載體構(gòu)成的密閉空間，并在重新建立真空環(huán)境，并通入反應(yīng)氣體時，將所述待工藝處理之晶圓從由述真空隔離燈罩、密封墊圈和托環(huán)載體構(gòu)成的密閉空間內(nèi)回至所述晶圓托環(huán)處，不僅結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，而且有效避免沖擊過程中形成顆粒物污染，提高產(chǎn)品良率。
【附圖說明】
[0025]圖1所示為本發(fā)明晶圓反應(yīng)腔室的側(cè)視圖；
[0026]圖2(a)?圖2(b)所述為本發(fā)明晶圓反應(yīng)腔室的階段性俯視圖；
[0027]圖3(a)?圖3(d)所示為本發(fā)明晶圓反應(yīng)腔室之晶圓保護(hù)的階段性示意圖。
【具體實施方式】
[0028]為詳細(xì)說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效，下面將結(jié)合實施例并配合附圖予以詳細(xì)說明。
[0029]請參閱圖1、圖2(a)?圖2(b)，圖1所示為本發(fā)明晶圓反應(yīng)腔室的側(cè)視圖。圖2(a)?圖2(b)所述為本發(fā)明晶圓反應(yīng)腔室的階段性俯視圖。所述晶圓反應(yīng)腔室1，包括:反應(yīng)腔室本體11，所述反應(yīng)腔室本體11設(shè)置進(jìn)氣閥門(未圖示)和出氣閥門(未圖示)，并圍閉形成待工藝處理之晶圓2的容置腔111 ;托環(huán)載體12，所述托環(huán)載體12呈面向設(shè)置在所述反應(yīng)腔室本體11之底板112處，并在所述托環(huán)載體12之呈面向設(shè)置的一側(cè)形成由第一空間121和第二空間122縱向疊置的“凸”型空間120，且所述托環(huán)載體12在驅(qū)動電機(jī)(未圖示)的作用下進(jìn)行相向移動，以實現(xiàn)所述托環(huán)載體12的合并，或在驅(qū)動電機(jī)的作用下進(jìn)行反向移動，以實現(xiàn)所述托環(huán)載體12的分離；晶圓托環(huán)13，所述晶圓托環(huán)13設(shè)置在所述托環(huán)載體12之異于所述底板112的一側(cè)；密封墊圈14，所述密封墊圈14設(shè)置在所述托環(huán)載體12之異于所述底板112的一側(cè)，且位于所述托環(huán)載體12之內(nèi)邊緣；第一伸縮支架15，所述第一伸縮支架15設(shè)置在由所述托環(huán)載體12形成的“凸”型空間120內(nèi)；真空隔離燈罩16，所述真空隔離燈罩16與所述待工藝處理之晶圓2呈面向設(shè)置，并可伸縮式的設(shè)置在所述反應(yīng)腔室本體11之頂板113處。
[0030]請參閱圖1，并結(jié)合參閱圖3(a)?圖3(d)，圖3(a)?圖3(d)所示為本發(fā)明晶圓反應(yīng)腔室之晶圓保護(hù)的階段性示意圖。為了更直觀的揭露本發(fā)明之技術(shù)方案，凸顯本發(fā)明之有益效果，現(xiàn)結(jié)合【具體實施方式】，對本發(fā)明之晶圓反應(yīng)腔室及其晶圓反應(yīng)腔室之晶圓的保護(hù)方法進(jìn)行闡述。作為具體的實施方式，本發(fā)明之晶圓反應(yīng)腔室的尺寸、元部件數(shù)量等僅為列舉，不應(yīng)視為對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。非限制性地，為了實現(xiàn)平衡，例如所述第一伸縮支架15的數(shù)量為3根。所述真空隔離燈罩16通過設(shè)置在所述反應(yīng)腔室本體11之頂板113上的第二伸縮支架17可伸縮式的與所述反應(yīng)腔室本體11之頂板1