一種顯示面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示面板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，液晶顯示技術(shù)發(fā)展迅速，薄膜晶體管的應(yīng)用，使得液晶顯示器成為了平面顯示器的主流，應(yīng)用于個(gè)人電腦、監(jiān)視器、游戲機(jī)等產(chǎn)品。非晶硅薄膜晶體管由于可在200 °C -300°C的低溫生成，因此得到廣泛使用，但非晶硅的載流子迀移率低，使得非晶硅薄膜晶體管不能滿足目前高速組件應(yīng)用的需求，因此當(dāng)前較多的使用多晶硅薄膜晶體管，其相對較高的載流子迀移率和低溫敏感性使其更適用于高速組件。
[0003]當(dāng)前得到多晶硅的方式是:利用激光退火工藝使非晶硅晶化得到多晶硅。然而在非晶硅晶化的過程中，由于多晶硅與非晶硅晶粒密度的不同，在晶化后容易形成較多空穴，造成晶粒和晶粒之間的晶界比較多，因此載流子迀移率不高，相應(yīng)顯示面板的性能較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決現(xiàn)有技術(shù)顯示面板的多晶硅膜中晶粒較小，晶界較多造成的載流子迀移率較小的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種顯示面板的制造方法，該制造方法包括步驟:在基板上形成一非晶硅膜，該非晶硅膜包括至少兩非晶硅層，相鄰的兩非晶硅層的晶粒密度不同；將非晶硅膜轉(zhuǎn)化為一多晶硅膜。
[0006]其中，在基板上形成一非晶硅膜的步驟包括:在基板上形成晶粒密度較小的第一非晶硅層；在第一非晶硅層上形成晶粒密度較大的第二非晶硅層。
[0007]其中，在基板上形成一非晶硅膜的步驟包括:在基板上形成晶粒密度較大的第一非晶硅層；在第一非晶硅層上形成晶粒密度較小的第二非晶硅層。
[0008]其中，在基板上形成一非晶硅膜的步驟包括:利用氣相沉積法在基板上形成非晶娃膜。
[0009]其中，利用氣相沉積法在基板上形成非晶硅膜的步驟包括:在基板上形成第一非晶硅層；改變所述氣相沉積法的參數(shù)，在第一非晶硅層上形成第二非晶硅層，使得第二非晶硅層的晶粒密度不同于第一非晶硅層的晶粒密度。
[0010]其中，參數(shù)包括氣壓、電壓和/或氣體流量。
[0011]其中，將非晶硅膜轉(zhuǎn)化為一多晶硅膜的步驟包括:利用激光退火工藝將非晶硅膜轉(zhuǎn)化為多晶硅膜。
[0012]其中，在基板上形成一非晶硅膜的步驟之前包括:在基板上形成緩沖層；在基板上形成一非晶硅膜的步驟包括:在緩沖層上形成一非晶硅膜。
[0013]其中，在基板上形成緩沖層的步驟包括:在基板上形成一氮化硅層；在氮化硅層上形成一氧化硅層。
[0014]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種顯示面板，該顯示面板包括基板以及設(shè)置于基板上的一多晶硅膜，多晶硅膜由包括至少兩非晶硅層的非晶硅膜轉(zhuǎn)化而成，非晶硅膜中相鄰兩非晶硅層的晶粒密度不同。
[0015]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明首先在基板上形成一非晶硅膜，該非晶硅膜包括至少兩非晶硅層，相鄰的兩所述非晶硅層的晶粒密度不同；然后將該非晶硅膜轉(zhuǎn)化為一多晶硅層。晶粒密度不同的兩非晶硅層在轉(zhuǎn)化為多晶硅膜時(shí)，密度較大的在晶化過程中體積縮小、密度較小的體積擴(kuò)大，兩者結(jié)合能夠減少晶界，形成較大的晶粒，從而提尚多晶娃I旲的載流子遷移率，相應(yīng)的提尚顯不面板的性能。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明顯示面板的制造方法第一實(shí)施方式的流程示意圖；
[0017]圖2是圖1所示制造方法第一實(shí)施方式中基板及第一種非晶硅膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是圖1所示制造方法第一實(shí)施方式中基板及第二種非晶硅膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4是圖2中第一種非晶硅膜轉(zhuǎn)化為多晶硅膜的示意圖；
[0020]圖5是本發(fā)明顯示面板的制造方法第二實(shí)施方式的流程示意圖；
[0021]圖6是圖5所示制造方法第二實(shí)施方式中基板上形成各個(gè)膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖7是本發(fā)明顯示面板第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖8是本發(fā)明顯示面板第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]參閱圖1，圖1是本發(fā)明顯示面板的制造方法第一實(shí)施方式的流程示意圖，本實(shí)施方式中的制造方法主要包括以下步驟:
[0025]SlOl:在基板上形成一非晶硅膜。
[0026]基板可選擇石英基板或玻璃基板，石英基板相對于玻璃基板可承受的溫度更大，在傳統(tǒng)工藝中，將非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч钑r(shí)，需要600°C以上的溫度，在這個(gè)溫度下，玻璃基板容易軟化變形，因此一般使用石英基板。然而石英基板相對玻璃基板的價(jià)格高很多，當(dāng)顯示面板的尺寸越來越大，即需要的基板也越來越大時(shí)，基于成本的考慮，必須使用玻璃基板，此時(shí)則需要的采用低溫工藝來將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅。本實(shí)施方式中采用玻璃基板。
[0027]在玻璃基板上形成的非晶硅膜包括至少兩非晶硅層，其中相鄰的兩非晶硅層的晶粒密度不同。具體請參閱圖2和圖3，圖2是圖1所述制造方法第一實(shí)施方式中基板及第一種非晶硅膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖1所示制造方法第一實(shí)施方式中基板及第二種非晶硅膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖2中，玻璃基板11上形成非晶硅膜12，該非晶硅膜12包括第一非晶硅層121和第二非晶硅層122，且圖2中a-Si為非晶硅，同樣在其他附圖中a-Si也表示非晶硅。
[0029]具體的，通過化學(xué)氣相沉積法，在基板11上形成晶粒密度較小的第一非晶硅層121 ;然后改變化學(xué)氣相沉積法的參數(shù)，比如:氣壓、電壓和/或氣體流量，繼續(xù)在第一非晶硅層121上形成晶粒密度較大的第二非晶硅層122。
[0030]在實(shí)際的生產(chǎn)過程中，有專門的化學(xué)氣相沉積設(shè)備來實(shí)現(xiàn)這一過程，相應(yīng)的有兩種方式:第一種，在化學(xué)氣相沉積設(shè)備中一次形成非晶硅膜12。具體地，將基板11放入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，在基板11的表面上沉積形成第一非晶硅層121 ;待第一非晶硅層121在化學(xué)氣相沉積設(shè)備的真空腔體中凝固后，調(diào)節(jié)化學(xué)氣相沉積設(shè)備參數(shù)，然后在第一非晶硅層121上沉積形成第二非晶硅層122。第二種方法具體包括，將基板11放入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，在基板11的表面沉積形成第一非晶硅層121，將沉積了第一非晶硅層121的基板11自設(shè)備中取出，并在大氣環(huán)境中對第一非晶硅層121進(jìn)行干燥處理，然后調(diào)節(jié)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的參數(shù)，再將基板11放入設(shè)備中，并在第一非晶硅層121的表面形成第二非晶硅層122。以上兩種方式相比較，第一種比第二種花費(fèi)的時(shí)間更長；而第一種方式中非晶硅層是在真空腔體中凝固，第二種方式中非晶硅層在大氣環(huán)境下干燥，相比來說，大氣環(huán)境下干燥容易出現(xiàn)氧化等問題，因此第一種方式中非晶硅膜轉(zhuǎn)化形成的多晶硅膜相較于第二種性能更好。
[0031]同理可知，也可在基板11上形成晶粒密度較大的第一非晶硅層121后，然后在第一非晶硅層121上形成晶粒密度較小的第二非晶硅層122。
[0032]圖3中，玻璃基板21上形成有非晶硅膜22，該非晶硅膜22包括第一非晶硅層221、第二非晶硅層222以及第三非晶硅層223。
[0033]圖3中非晶硅層的形成方式與圖2中的相同，而在圖3中，第一非晶硅層221晶粒密度較小、第二非晶硅層222晶粒密度較大、第三非晶硅層223晶粒密度較?。煌砣齻€(gè)非晶硅層的晶粒密度組合也可為較大-較小-較大；當(dāng)非晶硅膜中包括4個(gè)、5個(gè)或多個(gè)非晶硅層時(shí)，可進(jìn)