組合的qfn和qfp半導體封裝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體封裝，尤其是，涉及組合的QFN(四方扁平無引線)和QFP(四方扁平封裝)半導體封裝。
【背景技術】
[0002]可獲得的半導體器件封裝有很多種。公知的一種常用的封裝類型為QFN或四方扁平無引線封裝。在這種基于引線框架的封裝類型中，露出的器件接觸與封裝殼體的底邊和側邊齊平。另外一種基于引線框架的封裝類型是QFP或四方扁平封裝。在這種封裝類型中，引線從封裝殼體的側面凸出。
[0003]為了提供具有附加輸入/輸出的半導體器件，具有組合QFN和QFP引線的半導體封裝會是有利的。
【附圖說明】
[0004]以示例的方式對本發(fā)明進行說明，并且本發(fā)明不限于在附圖中所示的其實施例，在附圖中相似的附圖標記表示類似的元件。附圖中的元件是為了簡單和清楚而示出的，并且不一定按比例繪制。
[0005]圖1A是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝的底部平面圖；
[0006]圖1B是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝的底視圖；
[0007]圖2A是圖1A的半導體封裝沿著A-A線的橫截面?zhèn)纫晥D；
[0008]圖2B是圖1B的半導體封裝沿著B-B線的橫截面?zhèn)纫晥D；
[0009]圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的QFN引線框架的頂部平面圖；
[0010]圖4A是圖3中所示的QFN引線框架在經(jīng)歷預模制工藝后的頂視圖；
[0011]圖4B是圖4A的預模制QFN引線框架沿著C-C線的橫截面?zhèn)纫晥D；
[0012]圖4C是圖4A的預模制QFN引線框架的一部分沿著D-D線的橫截面?zhèn)纫晥D；
[0013]圖5A是根據(jù)本發(fā)明的實施例的預模制組件的頂視圖；
[0014]圖5B是圖5A的預模制組件沿著E-E線的橫截面?zhèn)纫晥D；
[0015]圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有至少一個樹脂流動槽(resin bleedingslot)的預模制組件的底部平面圖；
[0016]圖7是圖6的預模制組件沿著F-F線的橫截面?zhèn)纫晥D；
[0017]圖8是包括管芯焊盤和引線的預模制QFN組件和QFP引線框架的組合的橫截面?zhèn)纫晥D；
[0018]圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有電源和接地條(ground bar)的預模制組件的頂部平面圖；以及
[0019]圖10是根據(jù)本發(fā)明的實施例裝配組合的QFN和QFP封裝的方法的流程圖。【具體實施方式】
[0020]對附圖的詳細說明是旨在作為對本發(fā)明當前的優(yōu)選實施例的說明，而并不是旨在表示本發(fā)明可以實現(xiàn)的唯一形式。應當理解的是，相同或等同的功能可以通過旨在包含在本發(fā)明的精神和范圍內的不同實施例來實現(xiàn)。
[0021]在一個實施例中，本發(fā)明提供了一種半導體封裝，其包括管芯焊盤，集成電路，多條第一封裝類型引線，多條第二封裝類型引線，以及模制蓋。管芯焊盤具有上表面和下表面，并且集成電路附著于管芯焊盤的上表面上。第一封裝類型引線圍繞管芯焊盤并且通過第一接合線電連接到集成電路。第二封裝類型引線設置在第一封裝類型引線之上并且通過第二接合線電連接到集成電路。第二封裝類型不同于第一封裝類型。模制蓋至少部分地覆蓋管芯焊盤、集成電路、第一和第二封裝類型引線、以及第一和第二接合線。
[0022]在另一個實施例中，本發(fā)明提供了一種裝配半導體封裝的方法。該方法包括提供包含第一封裝類型引線框架的預模制組件，以及將第二封裝類型引線框架設置于預模制組件之上。預模制組件包括具一多條第一封裝類型引線的第一封裝類型引線框架，以及用于設置第一封裝類型引線的預模制部分。第一封裝類型不同于第二封裝類型。第二封裝類型引線框架包括管芯焊盤和圍繞管芯焊盤的多條第二封裝類型引線。第二封裝類型引線由預模制部分支撐。該方法還包括將集成電路附著在管芯焊盤的上表面上，通過第一接合線將第一封裝類型引線電連接到集成電路，通過第二接合線將第二封裝類型引線電連接到集成電路，以及形成模制蓋，所述模制蓋至少部分地覆蓋預模制組件、第二封裝類型引線框架、集成電路以及第一和第二接合線。
[0023]之前已經(jīng)相當寬泛地概述了本發(fā)明的特征和技術優(yōu)勢，因此接下來的對本發(fā)明的詳細說明可以被更好地理解。本發(fā)明的附加特征以及優(yōu)勢將在下面闡述，其形成了本發(fā)明的權利要求的主題。本領域技術人員應當理解，所公開的概念和【具體實施方式】可以容易地作為用于實現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的所進行的修改或設計其他結構或工藝的基礎。本領域技術人員還應當認識到這種等同的結構不會脫離如所附權利要求所闡述的本發(fā)明的精神和范圍。
[0024]圖1A是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝10的底視圖，以及圖2A是圖1A的半導體封裝10沿著A-A線的橫截面?zhèn)纫晥D。半導體封裝10是QFN封裝和QFP封裝的組合。在所示的實施例中，半導體封裝10是不暴露焊盤(EP)類型封裝。然而，對本領域技術人員來說顯而易見的是，本發(fā)明也可以具有暴露的焊盤，如圖1B和圖2B中所示。圖1B是根據(jù)本發(fā)明實施例的具有暴露的管芯焊盤20’的半導體封裝10’的底視圖，以及圖2B是圖1B的半導體封裝10’沿著B-B線的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0025]如圖1A和2A中所示，半導體封裝10包括管芯焊盤20、集成電路30、多條第一封裝類型引線40、多條第二封裝類型引線50以及模制蓋或封裝體60。在當前的優(yōu)選實施例中，第一封裝類型是QFN封裝，即第一封裝類型引線40是QFN引線，并且第二封裝類型是QFP封裝，即第二封裝類型引線50是QFP引線。
[0026]在一個實施例中，管芯焊盤20與QFP引線50 —起形成，并且具有上表面22和下表面24。用管芯粘合劑或銀糊膏將集成電路30附著在管芯焊盤20的上表面22上，如本領域所公知。集成電路30可以是任何類型的集成電路，例如處理器、控制器、存儲器、片上系統(tǒng)(SOC)、或專用集成電路(ASIC)。
[0027]QFN引線40圍繞管芯焊盤20設置。QFN引線40通過第一接合線42電連接到集成電路30的電極或管芯接合焊盤。QFP引線50具有第一端或近端(接近于集成電路)，其位于QFN引線40上方并由QFN引線40支撐(如將在下面被更詳細地描述)，具有從模制蓋60凸出的中間部分，以及具有在模制蓋60的外側并且位于與QFN引線40相同的平面中的遠端。雖然圖2中所示的QFP引線50具有急劇的彎曲(90° )，使得遠端位于與QFN引線40相同的平面中，但是本領域技術人員應該理解該彎曲可以小于90°。
[0028]QFP引線50的近端位于QFN引線40之上并且由QFN引線40支撐。如將被更詳細地描述地，QFP引線50被優(yōu)選地用粘合劑14固定到QFN引線40。粘合劑14可以包括管芯粘附膜、環(huán)氧樹脂或粘合帶。每條QFP引線50通過第二接合線52電連接到集成電路30。第一和第二接合線42、52可以包括裸導線(例如金或銅導線)、電鍍導線、絕緣導線或者其組合。將接合線42、52附著到集成電路30和引線40、50的使用商業(yè)上可獲得的導線接合裝置的方法是本領域技術人員所公知的。
[0029]如圖所示，QFN引線40在封裝體10的底部露出并且QFP引線50凸出到模制蓋60的側面之外。QFN引線40和QP引線50分別提供在集成電路30和外部器件(未示出，例如其上安裝半導體封裝10的電路板)之間的電連接。模制蓋60覆蓋管芯焊盤20、集成電路30、第一和第二接合線42和52、以及QFN和QFP引線的一部分。
[0030]為了裝配半導體封裝10，首先形成預模制組件44(圖2A)。預模制組件44包括QFN引線40和用于設置QFN引線40的預模制部分46 (圖5_8中所示)。
[0031]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的裝配半導體封裝10方法的流程圖。現(xiàn)在將參考圖3-5以及圖10討論裝配預模制組件44和半導體封裝10的工藝。方法70開始于步驟72,在該步驟提供QFN引線框架48。圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括QFN引線40的QFN弓丨線框架48的頂視圖。QFN引線通之外部連接條60和內部連接條62連接。
[0032]在步驟74，預模制QFN引線框架48。圖4A是圖3中所示的預模制QFN引線框架48的頂視圖，其具有預模制部分46。圖4B是圖4A的預模制QFN引線框架48沿著C-C線的橫截面?zhèn)纫晥D，并且圖4C是圖4A的預模制QFN引線框架48的一部分的沿著D-D線