陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)已成為平板顯示器件的主流，TFT是由源極、漏極和柵極組成的三極管，打開(kāi)TFT，在柵極和源極加上電壓后，經(jīng)由三極管給予漏極一定的電壓，漏極再將電壓傳給像素電極，相對(duì)的公共電極的電壓由外部提供，由像素電極和公共電極之間形成的電壓差進(jìn)行驅(qū)動(dòng)液晶分子，以達(dá)到顯示的目的，TFT關(guān)閉后，像素需要保持一幀的畫(huà)面，因此需要利用存儲(chǔ)電容保持液晶分子不動(dòng)，以達(dá)到顯示一幀畫(huà)面的目的，因此存儲(chǔ)電極和像素電極形成的存儲(chǔ)電容就尤其重要。
[0003]為了保證更好的保持一幀的畫(huà)面，需要增加存儲(chǔ)電容以提高電壓保持率，并降低相應(yīng)的漏電流，在現(xiàn)有的技術(shù)條件下，要增大存儲(chǔ)電容，一般是降低絕緣膜厚度和增加存儲(chǔ)電極的寬度，絕緣膜的厚度在工藝條件確定后很少再做變更，因此存儲(chǔ)電容的大小主要取決于存儲(chǔ)電極的寬度，但增大存儲(chǔ)電極的寬度，同時(shí)增加了 TFT的負(fù)載容量，并且會(huì)降低像素的開(kāi)口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個(gè)目的在于克服上述技術(shù)問(wèn)題。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括:基底以及形成在基底上的開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形；其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管陣列包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個(gè)第一電極、所述第二電極圖形包括多個(gè)第二電極；其中，每一個(gè)第二電極連接一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，并與一個(gè)第一電極構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容。
[0006]進(jìn)一步的，每一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管包括一個(gè)柵極，所述第一電極圖形中的第一電極與各個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管的柵極同層形成。
[0007]進(jìn)一步的，具有納米通道結(jié)構(gòu)的電極所屬的電極圖形通過(guò)氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝形成。
[0008]進(jìn)一步的，所述陣列基板為扭曲向列型陣列基板、共平面切換型陣列基板、垂直排列型陣列基板和邊緣電場(chǎng)切換型陣列基板中的一種。
[0009]第二方面，本發(fā)明提供了一種制作陣列基板的方法，在基底上形成開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形的步驟；其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管陣列包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個(gè)第一電極、所述第二電極圖形包括多個(gè)第二電極；其中，每一個(gè)第二電極連接一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，并與一個(gè)第一電極構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所述的電極的表面積；其中，
[0010]形成具有納米通道結(jié)構(gòu)的電極所屬的電極圖形的步驟包括:
[0011]通過(guò)氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝沉積電極材料層，使所形成的電極材料層的表面具有納米通道結(jié)構(gòu)；
[0012]對(duì)所述電極材料層進(jìn)行圖案化得到相應(yīng)的電極圖形。
[0013]進(jìn)一步的，所形成的開(kāi)關(guān)晶體管陣列中的每一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管均包括一個(gè)柵極，在基底上形成開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形的步驟包括:
[0014]通過(guò)圖案化工藝，同層形成第一電極圖形中的第一電極以及各個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管中的柵極。
[0015]進(jìn)一步的，所述對(duì)所述電極材料層進(jìn)行圖案化得到相應(yīng)的電極圖形包括:
[0016]在所述電極材料層上涂覆光刻膠層；
[0017]采用掩膜板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影得到光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域；
[0018]以剩余的光刻膠作為掩膜刻蝕掉光刻膠去除區(qū)域的電極材料層，得到相應(yīng)的電極圖形。
[0019]進(jìn)一步的，所述方法用以制作扭曲向列型陣列基板、共平面切換型陣列基板、垂直排列型陣列基板和邊緣電場(chǎng)切換型陣列基板中的一種。
[0020]第三方面，本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0021]第四方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，其特征在于，包括上述的液晶顯示面板。
[0022]本發(fā)明提供的陣列基板中，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的第一電極和第二電極中至少有一個(gè)在朝向相對(duì)的電極的一面上具有納米通道結(jié)構(gòu)，這樣可以提高電容的電極板的面積，在不降低絕緣膜厚度或者增加存儲(chǔ)電極的寬度的前提下增大電容的容值。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為本發(fā)明提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為圖1中的陣列基板中的部分結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他的實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0026]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括:基底以及形成在基底上的開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形；其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管陣列包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個(gè)第一電極、所述第二電極圖形包括多個(gè)第二電極；其中，每一個(gè)第二電極連接一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，并與一個(gè)第一電極構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所屬的電極的表面積。
[0027]第二方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，該方法可以用于制作第一方面所述的陣列基板，該方法包括:在基底上形成開(kāi)關(guān)晶體管陣列、第一電極圖形和第二電極圖形的步驟；其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管陣列包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一電極圖形包括多個(gè)第一電極、所述第二電極圖形包括多個(gè)第二電極；其中，每一個(gè)第二電極連接一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，并與一個(gè)第一電極構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)電容；所述第一電極朝向所述第二電極的一面和/或所述第二電極朝向所述第一電極的一面具有納米通道結(jié)構(gòu)，所述納米通道結(jié)構(gòu)適于增大所述的電極的表面積；其中，
[0028]形成具有納米通道結(jié)構(gòu)的電極所屬的電極圖形的步驟包括:
[0029]通過(guò)氣相沉淀工藝或者射頻濺射工藝沉積電極材料層，使所形成的電極材料層的表面具有納米通道結(jié)構(gòu)；
[0030]對(duì)所述電極材料層進(jìn)行圖案化得到相應(yīng)的電極圖形。
[0031]本發(fā)明提供的陣列基板以及利用本發(fā)明提供的陣列基板制作方法制作的陣列基板中，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的第一電極和第二電極中至少有一個(gè)在朝向相對(duì)的電極的一面上具有納米通道結(jié)構(gòu)，這樣可以提高電容的電極板的面積，在不降低絕緣膜厚度或者增加存儲(chǔ)電極的寬度的前提下增大電容的容值。
[0032]不難理解的是，這里所指的納米通道是指相應(yīng)的通道的直徑的尺寸為納米級(jí)，一般為幾個(gè)納米到幾十個(gè)納米。
[0033]在具體實(shí)施時(shí)，上述的陣列基板除了包括上述的各個(gè)結(jié)構(gòu)之外，還可能包含其他結(jié)構(gòu)，比如用于將第一電極圖形和第二電極圖形間隔開(kāi)的絕緣層等。另外，上述的各個(gè)結(jié)構(gòu)一般構(gòu)成多個(gè)基本的像素單元實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的顯示功能。具體來(lái)說(shuō)，上述的開(kāi)關(guān)晶體管陣列中的一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管與第一電極圖形中的一個(gè)第一電極以及第二電極圖形中的一個(gè)第二電極會(huì)構(gòu)成一個(gè)基本的像素單元，用于實(shí)現(xiàn)發(fā)光顯示。此時(shí)，這里的第二電極相當(dāng)于像素電極。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的其中一種陣列基板在一個(gè)像素單元處的結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明。
[0034]參考圖1，該陣列基板在一個(gè)像素單元處的結(jié)構(gòu)包括基底100、形成在基底100上的開(kāi)關(guān)晶體管200、形成在基底上的第一電極300和第二電極400，另外還包括間隔在開(kāi)關(guān)晶體管200、第一電極300和第二電極400之間的第一絕緣層500和第二絕緣層600 ;該開(kāi)關(guān)晶體管200包括柵極210、源極221和漏極222 ;柵極210和第一電極300同層形成在基底100上，第一絕緣層500覆蓋在該柵極210和第一電極300上，源極221和漏極222以及有源層230形成在第一絕緣層500上，源極221和漏極222被有源層230分隔開(kāi)；第二絕緣層600在源極221和漏極222以及有源層230之上，其中形成有過(guò)孔，第二電極400通過(guò)該過(guò)孔與漏極222相連。參見(jiàn)圖2為第一電極300的上表面(朝向第二電極400的一面)或者第二電極400的下表面(朝向第一電極300的