陶瓷電子部件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及使用了陶瓷芯片作為部件主體的陶瓷電子部件。
【背景技術(shù)】
[0002]對于使用陶瓷芯片作為部件主體的陶瓷電子部件，例如電容器、電感器和寄存器等，一般都是在大致長方體形狀的陶瓷芯片的外表面設(shè)置兩個以上的外部電極。各外部電極具有:位于規(guī)定陶瓷芯片的長度尺寸或?qū)挾瘸叽绲拿嫔系囊粋€第一面狀部分；和與位于規(guī)定所述陶瓷芯片的至少高度尺寸的面上且與所述第一面狀部分連續(xù)的至少一個第二面狀部分，沿著其高度方向的截面形狀大致成3字形狀或者大致成L字形狀。
[0003]這種陶瓷電子部件，利用粘接劑等接合材料將作為各外部電極的主要部分的第二面狀部分與基板的導(dǎo)體焊墊電連接，由此將其安裝在該基板上。但是，在該安裝狀態(tài)下，如果因熱沖擊等原因在基板發(fā)生翹曲，則因該翹曲所產(chǎn)生的應(yīng)力通過導(dǎo)體焊墊、接合材料和外部電極傳遞到陶瓷芯片，因該應(yīng)力在陶瓷芯片的陶瓷部分和設(shè)置于陶瓷芯片的內(nèi)外的導(dǎo)體部分發(fā)生龜裂和變形等，結(jié)果是，有可能引起陶瓷電子部件的性能下降。
[0004]在下述專利文獻I的圖1中，公開了以下內(nèi)容:為了防止因與上述應(yīng)力相應(yīng)的應(yīng)力而在陶瓷元件I產(chǎn)生裂紋，在外部端子電極5a和5b的繞入部15a和15b上設(shè)置有與陶瓷兀件I的主面11和12分離的前端分離部15a2和15b2。但是，外部電阻電極5a和5b的繞入部15a和15b具有與陶瓷元件I的主面11和12接合的基端側(cè)接合部15al和15bl，因此，難以抑制與上述應(yīng)力相應(yīng)的應(yīng)力通過外部端子電極5a和5b傳遞到陶瓷元件I。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2010-109238號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的課題
[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種陶瓷電子部件，在陶瓷電子部件被安裝在基板的狀態(tài)下，即使因熱沖擊等原因?qū)е禄灏l(fā)生翹曲，也能抑制因該翹曲所產(chǎn)生的應(yīng)力傳遞到陶瓷芯片。
[0010]用于解決課題的方法
[0011]為了達到所述目的，本發(fā)明的陶瓷電子部件包括兩個以上的外部電極，上述外部電極包括:位于規(guī)定大致長方體形狀的陶瓷芯片的長度尺寸或者寬度尺寸的面上的一個第一面狀部分；和位于規(guī)定上述陶瓷芯片的至少高度尺寸的面上的與所述第一面狀部分連續(xù)的至少一個第二面狀部分，上述第二面狀部分至少包括:鍍覆金屬膜；和用于緩解上述鍍覆金屬膜與成膜上述鍍覆金屬膜的面的緊貼力的緊貼力緩解膜。
[0012]發(fā)明效果
[0013]根據(jù)本發(fā)明，提供一種陶瓷電子部件，在陶瓷電子部件被安裝在基板上的狀態(tài)下，即使因熱沖擊等原因?qū)е禄灏l(fā)生翹曲，也能抑制因該翹曲所產(chǎn)生的應(yīng)力傳遞到陶瓷芯片。
[0014]通過以下的說明與附圖，本發(fā)明的所述目的及其他目的、基于各個目的的特征和效果將會更加明確。
【附圖說明】
[0015]圖1是表示在層疊陶瓷電容器中應(yīng)用本發(fā)明的實施方式的沿著高度方向的截面圖。
[0016]圖2是圖1的主要部分放大圖。
[0017]圖3是圖1和圖2所示的實施方式的作用和效果的說明圖。
[0018]圖4是表示圖1和圖2所示的實施方式的第I變形例的圖2對應(yīng)圖。
[0019]圖5是表示圖1和圖2所示的實施方式的第2變形例的圖2對應(yīng)圖。
[0020]圖6是表示圖1和圖2所示的實施方式的第3變形例的圖2對應(yīng)圖。
[0021]圖7是表示圖1和圖2所示的實施方式的第4變形例的圖2對應(yīng)圖。
[0022]圖8是表示圖1和圖2所示的實施方式的第5變形例的圖2對應(yīng)圖。
[0023]圖9是表示圖1和圖2所示的實施方式的第6變形例的圖2對應(yīng)圖。
[0024]圖10是表示圖1和圖2所示的實施方式的第7變形例的圖2對應(yīng)圖。
[0025]圖11是表示圖1和圖2所示的實施方式的第8變形例的圖2對應(yīng)圖。
【具體實施方式】
[0026]首先，引用圖1和圖2，對在層疊陶瓷電容器中應(yīng)用本發(fā)明的實施方式進行說明。
[0027]由圖1可知，層疊陶瓷電容器10(以下簡稱為電容器10)在大致呈長方體形狀的陶瓷芯片11的外表面設(shè)置有兩個外部電極12。
[0028]陶瓷芯片11具有長度尺寸(圖1中的左右方向尺寸)>寬度尺寸(圖1中的前后方向尺寸)=高度尺寸(圖1中的上下方向尺寸)，或者長度尺寸>寬度尺寸>高度尺寸的尺寸關(guān)系，在八個角部帶有圓角。陶瓷芯片11具有:隔著電容形成層Ila在高度方向上層疊的多個(圖1中是16個)內(nèi)部電極層Ilb ;和以分別覆蓋高度方向兩側(cè)的內(nèi)部電極層Ilb的方式設(shè)置的保護層He。多個內(nèi)部電極層Ilb的一部分(從圖1的上方起第奇數(shù)個)的端部與外部電極12中的一方(圖1的左側(cè))連接，且其他部分(從圖1的上方起第偶數(shù)個)的端部與外部電極12中的另一方(圖1中的右側(cè))連接。在圖1中，為了便于圖示，內(nèi)部電極層Ilb的總數(shù)為16個，但實際的總數(shù)比其多。
[0029]陶瓷芯片11的除了各內(nèi)部電極層Ilb的部分、即各電容形成層Ila和各保護層Ilc的材料使用了電介質(zhì)陶瓷，優(yōu)選ε > 1000或者CLASS2(2類)(高介電率)的電介質(zhì)陶瓷，各電容形成層Ila的厚度尺寸大致相同，各保護用電介質(zhì)層Ilc的厚度尺寸也大致相同。作為各電容形成層Ila和各保護層Ilc所使用的電介質(zhì)陶瓷的具體例子，有鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇或者氧化鈦等。另外，電介質(zhì)芯片11的各內(nèi)部電極層Ilb的材料使用了金屬，各內(nèi)部電極層Ila的厚度尺寸與俯視形狀(大致呈矩形)大致相同。作為各內(nèi)部電極層Ilb所使用的金屬的具體例，有鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、或者它們的合金。
[0030]另一方面，各外部電極12具有:位于規(guī)定陶瓷芯片11的長度尺寸的面上的大致矩形輪廓的一個第一面狀部分SEa ;位于規(guī)定陶瓷芯片11的高度尺寸的兩個面上和規(guī)定寬度尺寸的兩個面上、并且與第一面狀部分SEa連續(xù)的大致矩形輪廓的四個第二面狀部分SEb。即，各外部電極12為大致矩形輪廓的一個第一面狀部分SEa與大致成四角筒狀的四個第二面狀部分SEb連續(xù)的形狀，沿著其高度方向的截面形狀為大致3字形。另外，陶瓷芯片11的8個角部具有圓角，因此，第一面狀部分SEa與各個第二面狀部分SEb的邊界處存在帶有圓角的環(huán)狀部分SEc (以下稱作邊界部分SEc)。
[0031]此外，上述邊界部分SEc是第一面狀部分SEa與各第二面狀部分SEb的共有部分，因此，在本說明書和請求保護的范圍中，并不將其作為外部電極12的一部分。但是，為了便于理解地說明外部電極12的膜結(jié)構(gòu)，在以下的記載中，將邊界部分SEc作為表示外部電極12的部分區(qū)域的用語。
[0032]由圖2可知，第一面狀部分SEa和邊界部分Sec包括:在陶瓷芯片11的外表面成膜的印制(焼付U )金屬膜12a ;和在印制金屬膜12a的外表面成膜的鍍覆金屬膜12b。另夕卜，第二面狀部分SEb包括:在陶瓷芯片11的外表面成膜的印制金屬膜12a ;和隔著緊貼力緩解膜12c在印制金屬膜12a的外面成膜的鍍覆金屬膜12b。另外，構(gòu)成第一面狀部分SEa的印制金屬膜12a與構(gòu)成第二面狀部分SEb的印制金屬膜12a是連續(xù)的一個印制金屬膜，構(gòu)成第一面狀部分SEa的鍍覆金屬膜12b與構(gòu)成第二面狀部分SEb的鍍覆金屬膜12b是連續(xù)的一個鍍覆金屬膜。
[0033]印制金屬膜12a是通過涂敷包含金屬粉末的膏體并實施烘烤處理而形成的金屬膜，作為印制金屬膜12a所使用的金屬的具體例子，有鎳、銅、鈀、鉑、銀、金或者它們的合金。另外，鍍覆金屬膜12b是使用電解電鍍和無電解電鍍等鍍覆法來形成的金屬膜，作為鍍覆金屬膜12b所使用的金屬的具體例子，有錫、銀、鈀、金或者銅。緊貼力緩解膜12c是采用濺射和真空蒸鍍等物理氣相生長法(PVD)來形成的金屬膜，作為緊貼力緩解膜12c所使用的金屬的具體例子，有錫、銀、鈀、金或者銅。重要的一點在于，作為緊貼力緩解膜12c，使用和與鍍覆金屬膜12b的內(nèi)面的緊貼力相比，與印制金屬膜12a的外表面的緊貼力(密接力)低的金屬膜。
[0034]下面，使用圖3，對根據(jù)圖1和圖2所示的實施方式(電容器10)所獲得的作用和效果進行說明。
[0035]利用粘接劑等接合材料30將作為各外部電極12的主要部分的第二面狀部分SEb與基板20的導(dǎo)體焊墊21電連接，從而將上述電容器10安裝在該基板20。如圖3所示，在導(dǎo)體焊墊21的端部比各外部電極12向外側(cè)突出的情況下，接合材料30侵潤在各外部電極12的第一面狀部分SEa的外面，由此形成填角30a。
[0036]在該安裝狀態(tài)下，如果因熱沖擊等原因在基板20上產(chǎn)生翹曲BE (參照圖3的粗線箭頭)，則基于該翹曲BE的應(yīng)力通過導(dǎo)體焊墊21、接合材料30和外部電極12傳遞到陶瓷芯片11，因該應(yīng)力在陶瓷芯片11的各電容形成層Ila以及各保護層Ilc和設(shè)置于陶瓷芯片11內(nèi)的各內(nèi)部電極層Ilb上產(chǎn)生龜裂和變形等，結(jié)果有可能引起電