樹脂組合物例如可以如下制造。即，將上述A~C成分、還有固化 促進(jìn)劑和脫模劑、以及根據(jù)需要而使用的各種添加劑適當(dāng)配混后，使用混煉機(jī)等進(jìn)行熔融 混合，接著，將其冷卻、固化、粉碎，由此可以制造粉末狀的熱固性樹脂組合物。
[0078] 接著，作為通過對上述得到的熱固性樹脂組合物進(jìn)行例如傳遞成型或注射成型而 得到的固化物，其光反射率在波長450~800nm下優(yōu)選為80%以上，更優(yōu)選為90%以上。 另外，上限通常為100%。具體而言，上述固化物在波長450nm下的光反射率優(yōu)選為85~ 98%。上述光反射率例如可如下測定。即，可以通過以規(guī)定的固化條件、例如175ΓΧ2分 鐘的成型后、175°C X3小時的后固化制作厚度Imm的熱固性樹脂組合物的固化物，使用分 光光度計（例如，日本分光株式會社制造的分光光度計V-670)在室溫（25±10°C )下測定 上述范圍內(nèi)的波長下的上述固化物的光反射率。
[0079] 使用本發(fā)明的熱固性樹脂組合物而成的光半導(dǎo)體裝置例如可如下制造。即，將金 屬引線框設(shè)置在傳遞成型機(jī)的模具內(nèi)，使用上述熱固性樹脂組合物通過傳遞成型形成反射 器。如此制作以包圍光半導(dǎo)體元件搭載區(qū)域的周圍的方式形成環(huán)狀的反射器的光半導(dǎo)體裝 置用的金屬引線框。接著，在上述反射器的內(nèi)部的、金屬引線框上的光半導(dǎo)體元件搭載區(qū)域 搭載光半導(dǎo)體元件，使用鍵合引線將光半導(dǎo)體元件與金屬引線框電連接。接著，使用有機(jī) 硅樹脂等對包括上述光半導(dǎo)體元件的反射器的內(nèi)側(cè)區(qū)域進(jìn)行樹脂封裝，由此形成封裝樹脂 層。如此制作例如圖1所示的立體狀（杯型）的光半導(dǎo)體裝置。該光半導(dǎo)體裝置如前所述， 呈如下構(gòu)成：在由第1板部1和第2板部2形成的金屬引線框的第2板部2上搭載光半導(dǎo) 體元件3,以包圍上述光半導(dǎo)體元件3的周圍方式形成由本發(fā)明的熱固性樹脂組合物所形 成的光反射用的反射器4。接著，在上述金屬引線框和反射器4的內(nèi)周面形成的凹部5中形 成封裝光半導(dǎo)體元件3的具有透明性的封裝樹脂層6。在該封裝樹脂層6中根據(jù)需要而含 有熒光體。在圖1中，7、8是將金屬引線框與光半導(dǎo)體元件3電連接的鍵合引線。
[0080] 另外，在本發(fā)明中，可以代替上述圖1的金屬引線框使用各種基板。作為上述各種 基板，例如可列舉出：有機(jī)基板、無機(jī)基板、柔性印刷基板等。此外，可以代替上述傳遞成型 通過注射成型形成反射器。
[0081] 此外，作為與上述構(gòu)成不同的光半導(dǎo)體裝置，可列舉出使用板狀的光半導(dǎo)體裝置 用引線框的、例如圖2和圖3(圖2的X-X'箭頭方向剖視圖）所示的光半導(dǎo)體裝置。即，該 光半導(dǎo)體裝置為如下構(gòu)成：分別在相互隔開間隔配置的金屬引線框10的厚度方向的單面 的規(guī)定位置搭載光半導(dǎo)體元件3,在上述金屬引線框10間的間隙形成由本發(fā)明的熱固性樹 脂組合物所形成的光反射用的反射器11。此外，如圖3所示，在金屬引線框10的間隙形成 多處填充本發(fā)明的熱固性樹脂組合物并固化而成的反射器11。需要說明的是，在圖2和圖 3中，12是將上述光半導(dǎo)體元件3與金屬引線框10電連接的鍵合引線。這種光半導(dǎo)體裝置 將上述金屬引線框10設(shè)置在傳遞成型機(jī)的模具內(nèi)，通過傳遞成型在與隔開間隔配置的金 屬引線框10的間隙和金屬引線框10的光半導(dǎo)體元件3搭載面相反一面所形成的凹部填充 熱固性樹脂組合物并使其固化，由此分別形成反射器11。接著，在作為上述金屬引線框10 的規(guī)定位置的光半導(dǎo)體元件搭載區(qū)域搭載光半導(dǎo)體元件3后，使用鍵合引線12將光半導(dǎo)體 元件3與金屬引線框10電連接。如此制作圖2和圖3所示的光半導(dǎo)體裝置。
[0082] 〈封裝型光半導(dǎo)體元件〉
[0083] 進(jìn)而，圖4示出將本發(fā)明的熱固性樹脂組合物用作反射器形成材料而得到的封裝 型光半導(dǎo)體元件。即，該封裝型光半導(dǎo)體元件為如下構(gòu)成：在光半導(dǎo)體元件3的側(cè)面整面形 成由本發(fā)明的熱固性樹脂組合物所形成的光反射用的反射器15,進(jìn)一步將上述光半導(dǎo)體元 件3的上部（發(fā)光面或者受光面）用封裝層16被覆。在圖中，17是連接用電極（凸塊）。 此外，上述封裝層16通過環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、或者玻璃、陶瓷等無機(jī)材料形成，在上述 封裝層16中可以含有熒光體，也可以配混有熒光體。
[0084] 這種封裝型光半導(dǎo)體元件例如可以如下制造。即，在切割膠帶等的粘合面上，將倒 裝芯片型的光半導(dǎo)體（發(fā)光）元件3 (例如藍(lán)色LED芯片等）以在與其發(fā)光面相反一面設(shè) 置的連接用電極（凸塊）17埋入上述膠帶面的狀態(tài)下隔開一定的間隔配置。接著，使用壓 縮成型機(jī)、傳遞成型機(jī)或注射成型機(jī)，使用本發(fā)明的熱固性樹脂組合物包埋上述光半導(dǎo)體 元件3的側(cè)面整面、進(jìn)而發(fā)光面。接著，通過干燥機(jī)等進(jìn)行后加熱，由此使上述熱固性樹脂 組合物的熱固化反應(yīng)結(jié)束，在光半導(dǎo)體元件3的側(cè)面整面形成由本發(fā)明的熱固性樹脂組合 物所形成的光反射用的反射器15。接著，通過將在發(fā)光面上形成的反射器15磨削去除來使 發(fā)光面露出，在該露出的發(fā)光面上在用圍堰材料包圍周圍的狀態(tài)下注入有機(jī)硅樹脂等封裝 材料，或者將片狀的封裝材料貼附于發(fā)光面，形成封裝層16。接著，通過將光半導(dǎo)體元件3 彼此間的中央線使用刀片切片機(jī)進(jìn)行切割來單片化成單個的元件。接著，將切割膠帶擴(kuò)張 拉伸來減小粘合性，將切割膠帶上的形成有反射器15的封裝型的光半導(dǎo)體元件3彼此完全 分離，進(jìn)行單片化，由此可以制造圖4所示的封裝型的光半導(dǎo)體元件3。
[0085] 作為使用了如此得到的封裝型的光半導(dǎo)體元件3的構(gòu)成的光半導(dǎo)體裝置，例如可 列舉出具備如下構(gòu)成的光半導(dǎo)體裝置：在布線電路基板的形成電路的規(guī)定位置通過上述光 半導(dǎo)體元件3的連接用電極17進(jìn)行搭載，由此形成的構(gòu)成。
[0086] 實(shí)施例
[0087] 接著，與比較例一并對實(shí)施例進(jìn)行說明。不過，本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。
[0088] 首先，在制作熱固性樹脂組合物之前先準(zhǔn)備下述所示的各成分。
[0089] [環(huán)氧樹脂]
[0090] 三縮水甘油基異氰脲酸酯（環(huán)氧當(dāng)量100)
[0091] [固化性成分]
[0092] 4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐（酸酐當(dāng)量168)
[0093] [白色顏料bl]
[0094] 氧化鋅（帶隙3. 3eV、折射率2. 0、平均粒徑2. 9 μπι) (HakusuiTech Co.，Ltd.制造、 氧化鋅1種）
[0095] [白色顏料b2]
[0096] 氧化鋯（帶隙4~5eV、折射率2. 1、平均粒徑4. 3 μ HuFe2O3含量0.001質(zhì)量％、單 斜晶）（第一稀元素化學(xué)工業(yè)株式會社制造、SG氧化鋯）
[0097] [白色顏料V ]
[0098] 金紅石型氧化鈦（帶隙3. OeV、折射率2. 7、單一粒徑0· 2 μ m)(石原產(chǎn)業(yè)株式會社 制造、CR-97)
[0099] [無機(jī)填充劑]
[0100] 熔融球狀二氧化硅粉末（平均粒徑20 μ m)
[0101] [固化促進(jìn)劑]
[0102] 四正丁基溴化鱗 [0103][脫模劑]
[0104] C (碳數(shù)）>14、乙氧基化醇/乙烯均聚物（丸菱油化工業(yè)株式會社制造、UNT750)
[0105] [偶聯(lián)劑]
[0106] 3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷（信越化學(xué)工業(yè)株式會社制造、KBM-403)
[0107] [實(shí)施例1~15、比較例1]
[0108] 將后述的表1~表3所示的各成分按該表所示的比例配混，用捏合機(jī)進(jìn)行熔融混 煉（溫度100~130°C )，熟化后，冷卻至室溫（25°C )進(jìn)行粉碎，由此制得目標(biāo)的粉末狀的 熱固性樹脂組合物。
[0109] 使用如此得到的實(shí)施例和比較例的熱固性樹脂組合物，按照下述方法進(jìn)行各種評 價[初始光反射率、長期耐光性]的測定。其結(jié)果示于后述的表1~表3。
[0110][初始光反射率]
[0111] 使用上述各熱固性樹脂組合物，在規(guī)定的固化條件（條件：175°C X2分鐘的成 型+175°C X3小時固化）下制作厚度Imm的試驗(yàn)片，使用該試驗(yàn)片（固化物）測定在室 溫（25°C )下的光反射率。另外，作為測定裝置使用日本分光株式會社制造的分光光度計 V-670,在室溫（25°C )下測定波長450nm的光反射率。
[0112] [長期耐光性]
[0113] 使用與上述同樣制作的各試驗(yàn)片，在室溫（25°C )下測定波長600nm的光反射率。 然后，對該試驗(yàn)片在用110°c的加熱板加熱的狀態(tài)下以lW/cm2的強(qiáng)度照射15分鐘436nm的 光后，與上述同樣測定波長600nm的光反射率（加速試驗(yàn)）。接著，算出在上述加速試驗(yàn)前 后的光反射率的降低度（加熱?光照射后的