基丁基、正戊氧基丁 基、正己氧基丁基、正庚氧基丁基、正辛氧基丁基、正壬氧基丁基和正癸氧基丁基。所述烷氧 基烷基優(yōu)選包括甲氧基甲基、乙氧基甲基、正丙氧基甲基、正丁氧基甲基、正戊氧基甲基、正 己氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、正丙氧基乙基、正丁氧基乙基、正戊氧基乙基、正己 氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、正丙氧基丙基、正丁氧基丙基、正戊氧基丙基、正己氧 基丙基、甲氧基丁基、乙氧基丁基、正丙氧基丁基、正丁氧基丁基、正戊氧基丁基、正己氧基 丁基、正庚氧基丁基、正辛氧基丁基、正壬氧基丁基和正癸氧基丁基。
[0081] 式（1)中XJPX2以及RJPR2的優(yōu)選組合是上述優(yōu)選基團的組合，其更優(yōu)選的組 合是上述更優(yōu)選基團的組合。在這種情況下，m和η各自獨立地表示O或1。
[0082] 由式（1)表示的化合物的典型實例包括如下化合物。
[0083] [式 3]
[0084]
[0085] [式 4]
[0086]
[0087] [式 5]
[0088]
[0089] [式 6]
[0090]
[0091] [式 7]
[0092]
[0093] [式 8]
[0094]
[0095] [式 9]
[0096]
[0097] [式 10] CN 105122492 A 說明書 9/17 頁
[0098]
[0099] 通過例如在 Journal of the American Chemical Society, 2007, 129, 15732 和 Advanced Materials, 2011，23, 1222中所述的已知方法能夠合成由式（I)表示的化合物。 對由式（1)表示的化合物進行精制的方法沒有具體限制，但包括已知方法如重結(jié)晶、柱色 譜和真空升華精制。根據(jù)需要，可以將這些方法合并。
[0100] 有機半導體溶液是其中將有機半導體化合物溶在或分散在溶劑中的溶液。所使 用的溶劑沒有具體限制，只要能夠在基板上形成包含所述化合物的膜即可，但優(yōu)選為有機 溶劑，其可單獨或作為兩種以上的混合物使用。所述有機溶劑包括：鹵代烴如二氯甲烷、 氯仿和二氯乙烷；醚如二乙醚、茴香醚和四氫呋喃；酰胺類如二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺 和N-甲基吡咯烷酮；腈類如乙腈、丙腈和芐腈；醇類如甲醇、乙醇、異丙醇和丁醇；氟化醇 類如八氟戊醇和五氟丙醇；酯類如乙酸乙酯、乙酸丁酯、苯甲酸乙酯和碳酸二乙酯；芳烴如 苯、甲苯、二甲苯、氯苯、均三甲苯、乙苯、二氯苯、氯萘和四氫萘；以及烴類如己烷、環(huán)己烷、 辛烷、癸烷和四氫化萘。包含在所述有機半導體溶液中的有機半導體材料的濃度通常為 0.01%~10%，優(yōu)選0.1%~8%，更優(yōu)選0.2%~5%。
[0101] 在有機半導體溶液中，能夠?qū)⒌头肿影雽w化合物和高分子半導體化合物混合。 所述高分子半導體化合物是特征為展示半導電性的高分子化合物。高分子半導體化合物的 具體實例包括聚乙炔聚合物、聚二乙炔聚合物、聚對苯撐聚合物、聚苯胺聚合物、聚噻吩聚 合物、聚吡咯聚合物、聚噻吩乙炔聚合物、聚苯胺聚合物、聚奧聚合物、聚芘聚合物、聚咔唑 聚合物、聚硒吩聚合物、聚呋喃聚合物、聚（對苯撐）聚合物、聚吲哚聚合物、聚噠嗪聚合物、 聚硫化物聚合物、聚對苯撐乙炔聚合物、聚乙烯二氧噻吩聚合物、核酸及其衍生物。
[0102] 在有機半導體溶液中，還能夠?qū)⒌头肿影雽w化合物與絕緣高分子化合物混合。 所述絕緣高分子化合物是特征為展示絕緣性的高分子化合物，上述導電或半導電性聚合材 料之外的大部分聚合材料是絕緣聚合材料。其具體實例更優(yōu)選丙烯酸類聚合物、聚乙烯聚 合物、聚甲基丙烯酸酯聚合物、聚苯乙烯聚合物、聚對苯二甲酸乙二醇酯聚合物、尼龍聚合 物、聚酰胺聚合物、聚酯聚合物、維尼綸聚合物、聚異戊二烯聚合物、纖維素聚合物和共聚的 聚合物、及其衍生物。
[0103] 如果使用聚合材料，則聚合材料如半導電性高分子化合物和絕緣高分子化合物在 有機半導體溶液中的添加量通常為0. 5 %~95 %，優(yōu)選1 %~90 %，還更優(yōu)選3 %~75 %， 最優(yōu)選5%~50%。可不使用所述聚合物材料。
[0104] 在有機半導體溶液中，可以添加其他添加劑，只要不損害有益的效果即可，所述其 他添加劑包括載流子發(fā)生劑、導電性物質(zhì)、粘度調(diào)節(jié)劑、表面張力調(diào)節(jié)劑、均化劑、浸透劑、 潤濕調(diào)節(jié)劑和流變調(diào)節(jié)劑。相對于有機半導體材料的總量1，通常以0. 01~10重量％、優(yōu) 選0. 05~5重量％且更優(yōu)選0. 1~3重量％的量添加所述添加劑。
[0105] 根據(jù)本發(fā)明的有機半導體溶液可以包含其他添加劑，但即使不含其他添加劑，仍 能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點。
[0106] 有機半導體薄膜能夠用于有機電子裝置。有機電子裝置的實例包括有機晶體管、 光電轉(zhuǎn)換裝置、有機太陽能電池裝置、有機EL裝置、有機發(fā)光晶體管裝置和有機半導體激 光裝置。通過根據(jù)本發(fā)明的形成薄膜的方法，能夠容易地得到結(jié)晶薄膜。因此在適當?shù)挠?機電子裝置中包含有機晶體管、有機激光裝置等。將對有機晶體管進行詳細說明。
[0107] 所述有機晶體管為如下裝置：其中兩個電極（源極和漏極）與有機半導體接觸，且 通過施加到稱作柵電極的另一電極上的電壓來控制在電極之間流動的電流。
[0108] 通常，對于有機晶體管裝置，通常使用其中利用絕緣膜使柵電極絕緣的結(jié)構(gòu)（金 屬-絕緣體-半導體，MIS結(jié)構(gòu)）。使用金屬氧化物膜作為絕緣膜的MIS結(jié)構(gòu)稱作MOS結(jié) 構(gòu)。盡管另外存在其中通過肖特基勢皇形成柵電極的結(jié)構(gòu)（MES結(jié)構(gòu)），但在有機晶體管的 情況下，通常使用MIS結(jié)構(gòu)。
[0109] 下文中，利用附圖對有機晶體管進行更詳細說明，但本發(fā)明不限于這些結(jié)構(gòu)。
[0110] 圖1顯示了有機晶體管裝置的一些實施方案。
[0111] 在圖1中的各個實施方案中，參考數(shù)字1是源極；參考數(shù)字2是半導體層；參考數(shù) 字3是漏極；參考數(shù)字4是絕緣層；參考數(shù)字5是柵電極；且參考數(shù)字6是基板。此處，各 個層和電極的排列能夠根據(jù)裝置的應(yīng)用適當?shù)剡M行選擇。在A~D和F中，由于電流在與 基板平行的方向上流動，所以將這些稱作橫向晶體管。A稱作底部-接觸底部-柵結(jié)構(gòu)；且 B稱作頂部-接觸底部-柵結(jié)構(gòu)。此外，C具有源極和漏極以及設(shè)置在半導體上的絕緣層， 并具有進一步設(shè)置在絕緣層上的柵電極，并被稱作頂部-接觸頂部柵結(jié)構(gòu)。D是稱作頂部和 底部-接觸底部-柵型晶體管的結(jié)構(gòu)。F是底部-接觸頂部-柵結(jié)構(gòu)。E是具有垂直結(jié)構(gòu) 的晶體管即靜電感應(yīng)晶體管（SIT)的示意圖。在這種SIT中，由于電流的流動平面擴散，所 以能夠一次迀移大量載流子。此外由于源極和漏極垂直排列，所以使得電極之間的距離短， 從而響應(yīng)速度高。因此，這能夠適當應(yīng)用于其中使大電流流動、其中實施高速轉(zhuǎn)換等的應(yīng)用 中。此處，在圖1中的E中，未描繪基板，但在通常情況下，將基板設(shè)置在由圖IE中的參考 數(shù)字1和3所表示的源極或漏極外部。
[0112] 將對各個實施方案中的各構(gòu)成元件進行說明。
[0113] 基板6需要在各個層不分離的情況下保持在其上形成的各個層。能夠用于其的材 料為例如：絕緣材料如樹脂板、膜、紙、玻璃、石英或陶瓷；具有通過涂布等形成在其上的絕 緣層的金屬或合金的導電基板；和樹脂和無機材料的多種組合的材料。可使用的樹脂膜的 實例包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸 酯、三乙酸纖維素和聚醚酰亞胺。當使用樹脂膜或紙時，可以使裝置具有柔性并變得柔軟且 質(zhì)輕，且實用性提高?；宓暮穸韧ǔ? μ m~10mm，優(yōu)選10 μ m~2mm〇
[0114] 對于源極1、漏極3和柵電極5,使用具有導電性的材料。能夠使用例如：金屬如 鉑、金、銀、鋁、鉻、鎢、鉭、鎳、鈷、銅、鐵、鉛、錫、鈦、銦、鈀、鉬、鎂、鈣、鋇、鋰、鉀和鈉、以及含 有這些的合金；導電氧化物如In02、Zn02、Sn0#P ITO ;導電高分子化合物如聚苯胺、聚吡咯、 聚噻吩、聚乙炔、聚對苯撐乙炔和聚二乙炔；半導體如硅、鍺和砷化鎵；以及碳材料如炭黑、 富勒稀、碳納米管、石墨和石墨稀。此外，可以摻雜導電高分子化合物和半導體。摻雜劑的 實例包括：無機酸如鹽酸和硫酸；具有酸性官能團的有機酸如磺酸；路易斯酸如PF 5、AsF#P FeCl3;鹵原子如碘；和金屬原子如鋰、鈉和鉀。在許多情況下，將硼、磷、砷等用作無機半導 體如硅的摻雜劑。
[0115] 此外，還使用導電復合材料，其中將炭黑、金屬粒子等分散在上述摻雜劑中。對于 與半導體直接接觸的源極1和漏極3,為了降低接觸電阻，合適的逸出功、表面處理等的選 擇變得重要。
[0116] 此外，源極與漏極之間的距離（通道長度）是決定裝置性質(zhì)的重要因素。通道長 度通常為0.01~300 μ m，優(yōu)選0. 1~100 μ m。在通道長度短的情況下，盡管可提取電流量 增大，但相反地由于產(chǎn)生包括接觸電阻影響的短通道效應(yīng)以由此使控制困難，所以需要一 個合理的通道長度。源極與漏極之間的寬度（通道寬度）通常為1~1000 μm，優(yōu)選5~ 200 μπι。另外關(guān)于通道寬度，通過使電極的結(jié)構(gòu)呈梳型等，能夠形成較長的通道寬度；且根 據(jù)所需的電流量、裝置結(jié)構(gòu)等確定需要的合適長度。
[0117] 將對源極和漏極的各自結(jié)構(gòu)（形狀）進行說明。源極和漏極的結(jié)構(gòu)可以相同或不 同。
[0118] 在底部-接觸結(jié)構(gòu)的情況下，通常通過使用平板印刷術(shù)制造各個電極，且優(yōu)選以 長方體的形式形成各個電極。近來已經(jīng)對各種印刷方法的印刷精度進行了改進且通過使用 諸如噴墨印刷、凹版印刷或絲網(wǎng)印刷的手段能夠在良好精度下制造電極。在其中電極在半 導體上的頂部-接觸結(jié)構(gòu)的情況下，通過使用蔭罩等能夠氣相沉積電極。通過使用諸如噴 墨的手段，能夠直接印刷并形成電極圖案。電極的長度與上述通道寬度相等。電極的寬度沒 有具體規(guī)定，但為了使得裝置的面積小，優(yōu)選在能夠使電性質(zhì)穩(wěn)定的范圍內(nèi)的更小的寬度。 電極寬度通常為〇. 1~1000 μ m，優(yōu)選0. 5~100 μ m。電極的厚度通常為0. 1~lOOOnm，優(yōu) 選1~500nm，還更優(yōu)選5~200nm。將互連線連接到各個電極1、3和5,且也由幾乎與電極 相同的材料制造所述互連線。
[0119] 將具有絕緣性的材料用作絕緣層4。能夠使用例如：聚合物如聚對二甲苯、聚丙烯 酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯基苯酚、聚烯烴、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、 聚酯、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯、聚氨酯、聚砜、氟樹脂、環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂；以及其組合的共 聚物；金屬氧化物如氧化硅、氧化鋁、氧化鈦和氧化鉭；鐵電金屬氧化物如SrTiOjPBaTiO 3; 電介質(zhì)如氮化物，如氮化硅和氮化鋁、硫化物、氟化物以及其中分散這些電介質(zhì)粒子的聚合 物。作為絕緣層，優(yōu)選使用具