承載裝置、濕法刻蝕設備及其使用方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別涉及一種承載裝置、濕法刻蝕設備及其使用方法。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的濕法刻蝕設備，為了改善大面積待處理基板的濕刻均勻度，通常將待處理基板呈現(xiàn)傾斜放置，以使刻蝕液在待處理基板上能夠在重力作用下沿待處理基板的表面流動，從而保持良好的液體交換率，以避免刻蝕液在待處理基板表面的停滯造成刻蝕速率不均一的問題。
[0003]然而，在實際操作中發(fā)現(xiàn)，在待處理基板上處于較低位置的區(qū)域，原本噴灑的刻蝕液以及由高處流下的刻蝕液二者匯集，從而使得待處理基板上處于較低位置的區(qū)域會有刻蝕液堆積的現(xiàn)象，造成該處刻蝕液流動交換效率較低，(刻蝕液流動交換效率與刻蝕速率成正比)從而使得較底位置處的刻蝕速率較慢。與此同時，在待處理基板上處于較高位置的區(qū)域，由于不存在刻蝕液堆積的現(xiàn)象，因此在較高位置處的刻蝕速率正常。
[0004]由上述內(nèi)容可見，現(xiàn)有技術中的這種傾斜式濕法刻蝕仍存在刻蝕速率不均一的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種承載裝置、濕法刻蝕設備及其使用方法，可有效的提升傾斜式濕法刻蝕過程中刻蝕速率的均一性。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種承載裝置，用于在濕法刻蝕過程中承載待處理基板，所述承載裝置包括:
[0007]承載主體，設置于所述待處理基板的下方，用于承載所述待處理基板，且使得所述待處理基板呈傾斜放置；
[0008]加熱單元，設置于所述待處理基板的下方，用于對所述待處理基板進行加熱，以使得所述待處理基板上沿傾斜方向由頂部至底部所對應的溫度逐漸升高。
[0009]可選地，所述加熱單元包括:若干個熱光源，所述熱光源產(chǎn)生的光線射向所述待處理基板的背面。
[0010]可選地，每個熱光源與所述待處理基板之間的距離相等，每個所述熱光源的輸出功率相同，所述待處理基板的頂部在所述加熱單元上的投影為第一位置，所述待處理基板的底部在所述加熱單元上的投影為第二位置；
[0011]所述加熱單元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向，所設置的熱光源的密度逐漸增大。
[0012]可選地，每個熱光源與所述待處理基板之間的距離相等，全部所述熱光源均勻分布，所述待處理基板的頂部在所述加熱單元上的投影為第一位置，所述待處理基板的底部在所述加熱單元上的投影為第二位置；
[0013]所述加熱單元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向，所設置的熱光源的輸出功率逐漸增大。
[0014]可選地，每個所述熱光源的輸出功率相等，全部所述熱光源均勻分布，所述待處理基板的頂部在所述加熱單元上的投影為第一位置，所述待處理基板的底部在所述加熱單元上的投影為第二位置；
[0015]所述加熱單元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向，各熱光源與所述待處理基板之間的距離逐漸減小。
[0016]可選地，所述熱光源產(chǎn)生的光線垂直射向所述待處理基板的背面。
[0017]可選地，所述熱光源為LED燈。
[0018]可選地，所述承載主體包括:若干個滾輪，全部所述滾輪的滾軸均平行且處于同一傾斜平面。
[0019]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種濕法刻蝕設備，包括:承載裝置，該承載裝置采用上述的承載裝置。
[0020]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種濕法刻蝕設備的使用方法，其中，所述濕法刻蝕設備采用上述的濕法刻蝕設備，所述使用方法包括:
[0021 ] 將所述待處理基板傾斜放置于所述承載主體上；
[0022]利用加熱單元對所述待處理基板進行加熱，以使得所述待處理基板上由頂部至底部所對應的溫度逐漸升高；
[0023]將刻蝕液噴灑在所述待處理基板的正面。
[0024]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0025]本發(fā)明提供了一種承載裝置、濕法刻蝕設備及其使用方法，其中，該承載裝置用于在濕法刻蝕過程中承載待處理基板，該承載裝置包括:承載主體和加熱單元，加熱單元用于對待處理基板進行加熱，以使得待處理基板上由頂部至底部所對應的溫度逐漸升高，從而可提高位于待處理基板底部的刻蝕液的刻蝕速率，解決了位于待處理基板底部的刻蝕液因流動交換效率較低而造成刻蝕速率偏低的問題，進而提升了傾斜式濕法刻蝕過程中刻蝕速率的均一性。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種承載裝置的示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實施例一中加熱單元的一種結(jié)構示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明實施例一中加熱單元的又一種結(jié)構示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明實施例一中加熱單元的另一種結(jié)構示意圖；
[0030]圖5為本發(fā)明實施例三提供的一種濕法刻蝕設備的使用方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0031]為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的承載裝置、濕法刻蝕設備及其使用方法進行詳細描述。
[0032]圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種承載裝置的示意圖，如圖1所示，該承載裝置用于在濕法刻蝕過程中承載待處理基板1，具體地，該承載裝置包括:承載主體2和加熱單元3，其中，承載主體2和加熱單元3均設置于待處理基板I的下方，承載主體2與所述待處理基板I的背面(非處理面)接觸，用于承載待處理基板I且使得待處理基板I呈傾斜放置；加熱單元3用于對待處理基板I進行加熱，以使得待處理基板I上沿傾斜方向由頂部至底部所對應的溫度逐漸升高。
[0033]需要說明的是，本發(fā)明中的處理基板I的頂部具體是指，待處理基板I呈傾斜放置時，待處理基板I上位于最高點所對應的部位；本發(fā)明中的處理基板I的底部具體是指，待處理基板I呈傾斜放置時，處理基板I上位于最低點所對應的部位。
[0034]本發(fā)明的技術方案，通過在待處理基板I的下方設置加熱單元3，加熱單元3在濕法刻蝕過程中對待處理基板I進行加熱，以使得呈傾斜狀態(tài)的待處理基板I由頂部至底部所對應的溫度逐漸升高，從而使得位于待處理基板I底部的刻蝕液4的溫度高于位于待處理基板I頂部的刻蝕液4的溫度。與此同時，由于隨著刻蝕液4的溫度的提升，相應的刻蝕速率提升，因此位于待處理基板I底部的刻蝕液4的刻蝕速率可以得到相應提升，從而解決了位于待處理基板I底部的刻蝕液4因流動交換效率較低而造成刻蝕速率偏低的問題，進而提升了在進行傾斜式濕法刻蝕過程中刻蝕速率的均一性。
[0035]在本實施例中，承載主體2包括:若干個滾輪5，全部滾輪5的滾軸均平行且處于同一傾斜平面。此時將待處理基板I置于滾輪5上，可實現(xiàn)對待處理基板I的傾斜放置。當然，滾輪5的設計還可以方便對承載主體2進行移動。
[0036]需要說明的是，上述承載主體2采用滾輪5設計的情況僅為本實施例中的一種可選方案，這并不會對本申請的技術方案產(chǎn)生限制。
[0037]在現(xiàn)有技術中，操作人員為實現(xiàn)對刻蝕過程進行觀察或監(jiān)測，往往是在待處理基板I的上方設置一光源，然后將光源產(chǎn)生的光線射向待處理基板I的正面(處理面)，最后通過人眼對待處理基板I的刻蝕過程進行觀察。然而，在實際操作過程中，這種基于正面光源的觀察或監(jiān)測，容易受刻蝕液4流動的視覺干擾，再加上對于金屬導線密度較高的產(chǎn)品或是進行小部位(例如:溝道部位)的刻蝕工序，操作人員的肉眼觀察會更加困難，進而影響判斷。
[0038]為解決上述技術問題，可選地，加熱單元3包括:若干個熱光源6，熱光源6產(chǎn)生的光線射向待處理基板I的背面。本實施例中利用熱光源6來構成加熱單元3，不僅能實現(xiàn)對待處理基板I進行加熱，而且還能為操作人員提供背面光源(若干個熱光源6)，該背面光源所產(chǎn)生光線不會受到刻蝕液4流動的干擾，可方便操作人員對刻蝕過程進行觀察。
[0039]需要說明的是，上述利用熱光源6來構成加熱單元3的情況僅為本實施例中的一種優(yōu)選方案，其在實現(xiàn)對待處理基板I進行加熱的同時，還能為操作人員提供檢測光源，因此無需再為刻蝕設備單獨配置檢測光源，從而能有效的降低設備的生產(chǎn)成本。上述技術手段不會對本申請的技術方案產(chǎn)生限制，本申請中的加熱單元3還可以為其他結(jié)構，當然也可以在待處理基板I的下方獨立設置一背面光源，這些也應屬于本申請技術方案所保護的范圍。
[0040]本實施例中，可選地，熱光源6為LED燈。
[0041]當利用熱光源6來構成加熱單元3時，為實現(xiàn)待處理基板I上由頂部至底部所對應的溫度逐漸升高，本實施例中的加熱單元3可采用如下幾種方案:
[0042]圖2為本發(fā)明實施例一中加熱單元的一種結(jié)構示意圖，如圖2所示，每個熱光源6與待處理基板I之間的距離相等，每個熱光源6的輸出功率相同，待處理基板I的頂部在加熱單元3上的投影為第一