的每顆晶粒的接觸區(qū)域上制作導(dǎo)電凸塊2;
步驟b、減薄；所述減薄是對(duì)經(jīng)步驟a制備的晶圓I的背面進(jìn)行磨片減薄至芯片設(shè)計(jì)厚度；
步驟C、涂覆絕緣保護(hù)膠層；所述涂覆絕緣保護(hù)膠層是對(duì)經(jīng)步驟b制備的晶圓I的背面涂覆絕緣保護(hù)膠，并在晶圓背面形成絕緣保護(hù)膠層3 ;
步驟d、切割；所述切割是將經(jīng)步驟c制備的晶圓I的絕緣保護(hù)膠層3的背面貼到貼膜4上固定，然后沿著晶圓I上的劃片溝槽進(jìn)行第一次切割，且切割深度為晶圓的厚度和絕緣保護(hù)膠層的厚度的總和；
步驟e、二次涂覆絕緣保護(hù)膠層；所述二次涂覆絕緣保護(hù)膠層是對(duì)經(jīng)步驟d制備的晶圓I的正面和劃片溝槽涂覆絕緣保護(hù)膠，且將導(dǎo)電凸塊2端部裸露在外，而在晶圓I正面形成絕緣保護(hù)膠層5 ;
步驟f、二次切割；所述二次切割是對(duì)經(jīng)步驟e后制備的晶圓I采用電磁波探測(cè)儀探測(cè)步驟d的劃片溝槽的位置進(jìn)行二次切割，且二次切割寬度小于步驟d的第一次切割寬度，爾后將每一個(gè)晶粒從貼膜上剝離，制備已封裝的器件。
[0017]如圖3所示，本發(fā)明所述步驟b中減薄后的晶圓I的厚度控制在200um~230um范圍內(nèi)。
[0018]本發(fā)明所述步驟c中晶圓背面形成絕緣保護(hù)膠層，是將涂覆絕緣保護(hù)膠后的晶圓放置在烘箱內(nèi)烘燥后取出所形成的，所述烘箱的溫度控制在145~155°C范圍內(nèi)，烘燥的時(shí)間控制在1.5-2.5小時(shí)范圍內(nèi)。
[0019]本發(fā)明所述步驟e中晶圓正面形成絕緣保護(hù)膠層，是將涂覆絕緣保護(hù)膠后的晶圓放置在烘箱內(nèi)烘燥后取出所形成的，所述烘箱的溫度控制在145~155°C范圍內(nèi)，烘燥的時(shí)間控制在1.5-2.5小時(shí)范圍內(nèi)。
[0020]本發(fā)明所述步驟c和步驟e所用的絕緣保護(hù)膠是黑膠、或者是環(huán)氧樹脂。
[0021]如圖6所示，本發(fā)明所述步驟e中晶圓正面的絕緣保護(hù)膠層的厚度與導(dǎo)電凸塊的高度是相等的，所述導(dǎo)電凸塊的高度是50um~100um。
[0022]本發(fā)明的所述晶圓上的每顆晶粒的接觸區(qū)域都有金屬鍍層而且該金屬鍍層的區(qū)域便于制備導(dǎo)電凸塊，導(dǎo)電凸塊可以通過金屬沉積生成法和電鍍工藝來形成，所述導(dǎo)電凸塊的材料是金屬合金，如鎳鈷、鎳銅或者鎳金。
[0023]所述晶圓的劃片溝槽就是相鄰晶粒之間分隔的區(qū)域，且該區(qū)域是沒有電路的，保證了在切割晶圓時(shí)不會(huì)使晶粒受到損傷。所述晶圓上的劃片溝槽的深度小于晶圓的厚度，且晶圓上所有劃片溝槽的深度是相等的。
[0024]本發(fā)明小試效果顯示，采用本發(fā)明的封裝方法，不僅簡(jiǎn)單、合理，而且生產(chǎn)投入成本低，生產(chǎn)效率高，可大批量生產(chǎn)制造。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種芯片級(jí)封裝方法，以多顆晶粒集成為一體，且相鄰晶粒之間設(shè)有劃片溝槽的晶圓為加工對(duì)象；其特征在于:所述封裝方法的具體步驟是: 步驟a、制備導(dǎo)電凸塊；所述制備導(dǎo)電凸塊，是在所述晶圓上的每顆晶粒的接觸區(qū)域上制作導(dǎo)電凸塊； 步驟b、減?。凰鰷p薄是對(duì)經(jīng)步驟a制備的晶圓的背面進(jìn)行磨片減薄至芯片設(shè)計(jì)厚度； 步驟C、涂覆絕緣保護(hù)膠層；所述涂覆絕緣保護(hù)膠層是對(duì)經(jīng)步驟b制備的晶圓的背面涂覆絕緣保護(hù)膠，并在晶圓背面形成絕緣保護(hù)膠層； 步驟d、切割；所述切割是將經(jīng)步驟c制備的晶圓的絕緣保護(hù)膠層的背面貼到貼膜上固定，然后沿著晶圓上的劃片溝槽進(jìn)行第一次切割，且切割深度為晶圓的厚度和絕緣保護(hù)膠層的厚度的總和； 步驟e、二次涂覆絕緣保護(hù)膠層；所述二次涂覆絕緣保護(hù)膠層是對(duì)經(jīng)步驟d制備的晶圓的正面和劃片溝槽涂覆絕緣保護(hù)膠，且將導(dǎo)電凸塊端部裸露在外，而在晶圓正面形成絕緣保護(hù)膠層； 步驟f、二次切割；所述二次切割是對(duì)經(jīng)步驟e后制備的晶圓采用電磁波探測(cè)儀探測(cè)步驟d的劃片溝槽的位置進(jìn)行二次切割，且二次切割寬度小于步驟d的第一次切割寬度，爾后將每一個(gè)晶粒從貼膜上剝離，制備已封裝的器件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于:所述步驟b中減薄后的晶圓的厚度控制在200um~230um范圍內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于:所述步驟c中晶圓背面形成絕緣保護(hù)膠層，是將涂覆絕緣保護(hù)膠后的晶圓放置在烘箱內(nèi)烘燥后取出所形成的，所述烘箱的溫度控制在145~155°C范圍內(nèi)，烘燥的時(shí)間控制在1.5-2.5小時(shí)范圍內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于:所述步驟e中晶圓正面形成絕緣保護(hù)膠層，是將涂覆絕緣保護(hù)膠后的晶圓放置在烘箱內(nèi)烘燥后取出所形成的，所述烘箱的溫度控制在145~155°C范圍內(nèi)，烘燥的時(shí)間控制在1.5-2.5小時(shí)范圍內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于:所述步驟c和步驟e所用的絕緣保護(hù)膠是黑膠、或者是環(huán)氧樹脂。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級(jí)封裝方法，其特征在于:所述步驟e中晶圓正面的絕緣保護(hù)膠層的厚度與導(dǎo)電凸塊的高度是相等的，所述導(dǎo)電凸塊的高度是50um~100um。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種芯片級(jí)封裝方法，以設(shè)有劃片溝槽的晶圓為加工對(duì)象；所述封裝方法的具體步驟是：步驟a、制備導(dǎo)電凸塊；步驟b、減?。徊襟Ec、涂覆絕緣保護(hù)膠層；步驟d、切割；所述切割是將經(jīng)步驟c制備的晶圓的絕緣保護(hù)膠層的背面貼到貼膜上固定，然后沿著晶圓上的劃片溝槽進(jìn)行第一次切割，且切割深度為晶圓的厚度和絕緣保護(hù)膠層的厚度的總和；步驟e、二次涂覆絕緣保護(hù)膠層；步驟f、二次切割；所述二次切割是對(duì)經(jīng)步驟e后制備的晶圓采用電磁波探測(cè)儀探測(cè)步驟d的劃片溝槽的位置進(jìn)行二次切割，且二次切割寬度小于步驟d的第一次切割寬度，爾后將每一個(gè)晶粒從貼膜上剝離，制備已封裝的器件。本發(fā)明的制備方法合理，且生產(chǎn)效率高，投入成本低。
【IPC分類】H01L21/683, H01L21/78, H01L21/304
【公開號(hào)】CN105140184
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510457801
【發(fā)明人】賈東慶
【申請(qǐng)人】常州銀河世紀(jì)微電子有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年7月30日