半導體襯底、半導體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體襯底、半導體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體襯底多使用預浸合成纖維(Pre-pregnatedcomposite fibers/Prepreg/P.P.)作為電介質(zhì)層的材料。由于預浸合成纖維的主要成分是樹脂和玻璃纖維，因此在設(shè)計上需要相對較厚的電介質(zhì)層以維持半導體襯底的結(jié)構(gòu)強度，也因此增加襯底的厚度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一實施例涉及一種半導體襯底。半導體襯底包含第一圖案化金屬層、第二圖案化金屬層、第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層以及載體層。第二圖案化金屬層位于第一圖案化金屬層下方。第一電介質(zhì)層位于第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層之間并且包括至少一個導通孔。所述至少一個導通孔從第一圖案化金屬層延伸到第二圖案化金屬層。第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層是通過所述至少一個導通孔電連接。第二電介質(zhì)層鄰接于第一電介質(zhì)層且包覆第二圖案化金屬層。第二電介質(zhì)層具有多個第一開口以暴露所述第二圖案化金屬層。載體層鄰接于第二電介質(zhì)層并具有多個第二開口。所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實質(zhì)上相對應(yīng)。
[0004]本發(fā)明的另一實施例涉及一種半導體襯底。半導體襯底包含第一圖案化金屬層、第二圖案化金屬層、電介質(zhì)層以及載體層。第二圖案化金屬層位于第一圖案化金屬層下方。電介質(zhì)層位于第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層之間并且包覆第二圖案化金屬層。電介質(zhì)層具有多個第一開口以暴露第二圖案化金屬層。電介質(zhì)層包括至少一個導通孔。所述至少一個導通孔從第一圖案化金屬層延伸到第二圖案化金屬層。第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層是通過所述至少一個導通孔電連接。載體層鄰接于電介質(zhì)層并具有多個第二開口。所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實質(zhì)上相對應(yīng)。
[0005]本發(fā)明的一實施例涉及一種半導體襯底的制造方法。半導體襯底的制造方法包含以下步驟:提供襯底，所述襯底包含:第一圖案化金屬層、第二圖案化金屬層、第一電介質(zhì)層以及第二電介質(zhì)層。第二圖案化金屬層位于第一圖案化金屬層下方。第一電介質(zhì)層位于第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層之間并且包括至少一個導通孔。所述至少一個導通孔從第一圖案化金屬層延伸到第二圖案化金屬層。第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層是通過所述至少一個導通孔電連接。第二電介質(zhì)層鄰接于第一電介質(zhì)層且包覆第二圖案化金屬層。第二電介質(zhì)層具有多個第一開口以暴露所述第二圖案化金屬層。在所述第二電介質(zhì)層上提供載體層，載體層具有多個第二開口，所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實質(zhì)上相對應(yīng)。
[0006]本發(fā)明的另一實施例涉及一種半導體襯底的制造方法。半導體襯底的制造方法包含以下步驟:提供襯底，所述襯底包含:第一圖案化金屬層、第二圖案化金屬層、電介質(zhì)層。第二圖案化金屬層位于第一圖案化金屬層下方。電介質(zhì)層位于第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層之間并且包覆第二圖案化金屬層。電介質(zhì)層具有多個第一開口以暴露第二圖案化金屬層。電介質(zhì)層包括至少一個導通孔。所述至少一個導通孔從第一圖案化金屬層延伸到第二圖案化金屬層。第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層是通過所述至少一個導通孔電連接。在所述電介質(zhì)層上提供載體層，所述載體層具有多個第二開口，所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實質(zhì)上相對應(yīng)。
[0007]本發(fā)明的一實施例涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。半導體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包含以下步驟:提供半導體襯底，所述半導體襯底包含:第一圖案化金屬層、第二圖案化金屬層、第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層以及載體層。第二圖案化金屬層位于第一圖案化金屬層下方。第一電介質(zhì)層位于第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層之間并且包括至少一個導通孔。所述至少一個導通孔從第一圖案化金屬層延伸到第二圖案化金屬層。第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層是通過所述至少一個導通孔電連接。第二電介質(zhì)層鄰接于第一電介質(zhì)層且包覆第二圖案化金屬層。第二電介質(zhì)層具有多個第一開口以暴露所述第二圖案化金屬層。載體層鄰接于第二電介質(zhì)層并具有多個第二開口。所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實質(zhì)上相對應(yīng)。將裸片接合到所述第一圖案化金屬層；以及去除所述載體層
[0008]本發(fā)明的另一實施例涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。半導體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包含以下步驟:提供半導體襯底，所述半導體襯底包含:第一圖案化金屬層、第二圖案化金屬層、電介質(zhì)層以及載體層。第二圖案化金屬層位于第一圖案化金屬層下方。電介質(zhì)層位于第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層之間并且包覆第二圖案化金屬層。電介質(zhì)層具有多個第一開口以暴露第二圖案化金屬層。電介質(zhì)層包括至少一個導通孔。所述至少一個導通孔從第一圖案化金屬層延伸到第二圖案化金屬層。第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層是通過所述至少一個導通孔電連接。載體層鄰接于電介質(zhì)層并具有多個第二開口。所述第二開口的位置與所述第一開口的位置實質(zhì)上相對應(yīng)。將裸片接合到所述第一圖案化金屬層；以及去除所述載體層。
[0009]本發(fā)明的一實施例涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu)。半導體封裝結(jié)構(gòu)包含:半導體襯底，其包含:第一圖案化金屬層；第二圖案化金屬層，其位于所述第一圖案化金屬層下方；第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層位于所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層之間并且包括至少一個導通孔，所述至少一個導通孔從所述第一圖案化金屬層延伸到所述第二圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層是通過所述至少一個導通孔電連接；第二電介質(zhì)層，其鄰接于所述第一電介質(zhì)層且包覆所述第二圖案化金屬層，并且所述第二電介質(zhì)層具有多個第一開口以暴露所述第二圖案化金屬層，其中所述第二電介質(zhì)層的表面為粗糙表面；以及裸片，其電連接到所述第一圖案化金屬層。
[0010]本發(fā)明的另一實施例涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu)。半導體封裝結(jié)構(gòu)包含:半導體襯底，其包含:第一圖案化金屬層；第二圖案化金屬層，其位于所述第一圖案化金屬層下方；電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層位于所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層之間并且包覆所述第二圖案化金屬層，所述電介質(zhì)層具有多個第一開口以暴露所述第二圖案化金屬層，所述電介質(zhì)層包括至少一個導通孔，所述至少一個導通孔從所述第一圖案化金屬層延伸到所述第二圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層是通過所述至少一個導通孔電連接，其中所述電介質(zhì)層的表面為粗糙表面；以及裸片，其電連接到所述第一圖案化金屬層。
[0011]在本發(fā)明中，由于電介質(zhì)層與載體層具有開口且載體層緊密地形成在電介質(zhì)層上，因此所述開口可用來進行電性測試以及植入焊料凸點。與使用鋼版膜植入焊料凸點的方式相比較，不僅節(jié)省了鋼版膜的費用，而且避免了植入焊料凸點過程中因鋼版膜與襯底間隙而產(chǎn)生的短路現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0012]圖1A為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的半導體襯底的示意圖。
[0013]圖1B為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的半導體襯底的示意圖。
[0014]圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的半導體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0015]圖2B為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的半導體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0016]圖3A到3H為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的半導體襯底的制造方法的示意圖。
[0017]圖31為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的半導體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0018]圖3J為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的半導體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0019]圖4顯示圖31中的封裝結(jié)構(gòu)2a沿著方向D的示意圖。
[0020]圖5為包括根據(jù)本發(fā)明的一實施例的半導體封裝結(jié)構(gòu)的模塊的示意圖。
[0021]圖5A為圖5中的區(qū)域L的放大圖。
【具體實施方式】
[0022]參看圖1A，圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的半導體襯底的示意圖。如圖1A所示，在本發(fā)明的一實施例中，半導體襯底Ia包含:第一圖案化金屬層13、第一電介質(zhì)層14、第二圖案化金屬層15、導電物質(zhì)15a、第二電介質(zhì)層16及載體層17。
[0023]第一圖案化金屬層13可包括(但不限于)銅或其它金屬。第一圖案化金屬層13所形成的線路的最小線距和線寬可為15微米(μ m)。第一圖案化金屬層13具有從5微米到20微米的厚度。
[0024]第二圖案化金屬層15位于第一圖案化金屬層13下方。第二圖案化金屬層15可包括(但不限于)銅或其它金屬。第二圖案化金屬層15具有從5微米到30微米的厚度。
[0025]第一電介質(zhì)層14位于第一圖案化金屬層13與第二圖案化金屬層15之間。第一電介質(zhì)層14具有從10微米到100微米的厚度。第一電介質(zhì)層14可包括(但不限于)感光(photosensitive)材料,例如綠漆、阻(防)焊劑或聚酰亞胺(Polyimide,PI)等。第一電介質(zhì)層14的上表面暴露第一圖案化金屬層13。第一電介質(zhì)層14包括至少一個導通孔14ο。在本發(fā)明的另一實施例中，第一電介質(zhì)層14可包括(但不限于)液態(tài)樹脂(liquidresin)。
[0026]所述至少一個導通孔14ο從第一圖案化金屬層13延伸到第二圖案化金屬層1