導(dǎo)電材質(zhì)與金屬、鈍化層以及襯底基板的粘附性均較高，使得該透明導(dǎo)電材質(zhì)能夠作為接觸層，在制造陣列基板時(shí)，僅需在鈍化層上形成一層透明導(dǎo)電材質(zhì)層，并采用一次構(gòu)圖工藝形成接觸層和像素電極，且該像素電極與接觸層的材質(zhì)為同一透明導(dǎo)電材質(zhì)，無需在鈍化層和襯底基板上依次形成與氧化硅、銅的粘附性均較強(qiáng)的材質(zhì)層和金屬層，所以，簡(jiǎn)化了制造陣列基板的步驟。
[0161]進(jìn)一步的，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板O的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，襯底基板01上形成有源層02、公共電極03和源漏極金屬圖案04，形成有有源層02、公共電極03和源漏極金屬圖案04的襯底基板01上形成有鈍化層05。
[0162]其中，有源層02由半導(dǎo)體化的IGZO制成；公共電極03由導(dǎo)體化的IGZO制成，且該有源層02和公共電極03位于同一層，該透明導(dǎo)電材質(zhì)為ITO或ΙΖ0。由于有源層02的材質(zhì)為半導(dǎo)體化的IGZ0，公共電極03的材質(zhì)為導(dǎo)體化的IGZ0，且IGZO的迀移率較大，所以，由半導(dǎo)體化的IGZO制成的有源層02和由導(dǎo)體化的IGZO制成的公共電極03所構(gòu)成的陣列基板O的TFT特性較好。
[0163]如圖2-2所示，可以通過一次構(gòu)圖工藝，在該襯底基板01上形成了由半導(dǎo)體化的IGZO制成的有源層02、由導(dǎo)體化的IGZO制成的公共電極03和源漏極金屬圖案04。具體的，該一次構(gòu)圖工藝可以包括:涂覆光刻膠、曝光工藝、刻蝕工藝、灰化工藝和剝離工藝，在襯底基板上形成有源層、公共電極和源漏極金屬圖案具體可以包括:
[0164]如圖2-21所示，在襯底基板上形成IGZO材質(zhì)層X，并對(duì)該IGZO材質(zhì)層X進(jìn)行導(dǎo)體化工藝處理，使得該襯底基板上的IGZO材質(zhì)層X變?yōu)閷?dǎo)體化的IGZO材質(zhì)層X。示例的，在形成IGZO材質(zhì)層時(shí)，可以通過涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或者化學(xué)氣相沉積等方法形成IGZO材質(zhì)層，實(shí)際應(yīng)用中，還可以其他方法形成IGZO材質(zhì)層，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。可選的，對(duì)IGZO材質(zhì)層進(jìn)行導(dǎo)體化工藝處理可以包括:對(duì)IGZO材質(zhì)層進(jìn)行加氫去氧工藝處理，該加氫去氧工藝可以為向該IGZO材質(zhì)層中摻雜氫離子，增加該IGZO材質(zhì)層中自由電子的數(shù)目，從而增強(qiáng)該IGZO材質(zhì)層的導(dǎo)電能力，形成導(dǎo)體化的IGZO材質(zhì)層。
[0165]如圖2-22所示，在形成有導(dǎo)體化的IGZO材質(zhì)層X的襯底基板上形成金屬材質(zhì)層Yo優(yōu)選的，該金屬可以為銅，形成的金屬材質(zhì)層可以為銅材質(zhì)層，需要說明的是，該金屬還可以為除銅以外的其他金屬，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0166]如圖2-23所示，在形成有金屬材質(zhì)層Y的襯底基板上形成光刻膠層M，示例的，可以在形成有金屬材質(zhì)層Y的襯底基板上涂覆光刻膠層M0
[0167]如圖2-24所示，采用多色掩膜板對(duì)形成有該光刻膠層的襯底基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成第一光刻膠圖形Z，該第一光刻膠圖形Z可以包括:第一光刻膠區(qū)Z1、第二光刻膠區(qū)Z2、第三光刻膠區(qū)Z3和第一光刻膠完全去除區(qū)Z4，該第一光刻膠區(qū)Z1、該第二光刻膠區(qū)Z2、該第三光刻膠區(qū)Z3和該第一光刻膠完全去除區(qū)TA的光刻膠的厚度依次減小，該第一光刻膠區(qū)Zl對(duì)應(yīng)待形成的該源漏極金屬圖案的區(qū)域，該第二光刻膠區(qū)Z2對(duì)應(yīng)待形成的該公共電極的區(qū)域，該第三光刻膠區(qū)Z3對(duì)應(yīng)待形成的該有源層的區(qū)域，該第一光刻膠完全去除區(qū)Z4對(duì)應(yīng)該其他區(qū)域。具體的，該多色掩模版上可以設(shè)置有多個(gè)不同透光度的區(qū)域，可以將該多色掩膜板覆蓋在形成有光刻膠層M的襯底基板上，并用對(duì)該襯底基板和該多色掩膜板進(jìn)行曝光，光線照射在該多色掩膜板上的不同透光度區(qū)域之后，可以使得該光刻膠層M受到不同的曝光程度，使得該光刻膠層M在被光照之后呈現(xiàn)不同的厚度，從而形成包括第一光刻膠Z1、第二光刻膠Z2、第三光刻膠Z3和第一光刻膠完全去除區(qū)TA的第一光刻膠圖形Z。
[0168]如圖2-25所示，可以采用刻蝕工藝，去除該第一光刻膠完全去除區(qū)TA對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體化的IGZO材質(zhì)層X和金屬材質(zhì)層Y，形成由導(dǎo)體化的IGZO制成的初始源層，以及由導(dǎo)體化的IGZO制成的公共電極03。
[0169]如圖2-26所示，可以采用灰化工藝，去除該第三光刻膠區(qū)Z3的光刻膠，需要說明的是，由于灰化是對(duì)所有的光刻膠進(jìn)行灰化，且第一光刻膠區(qū)Zl與第二光刻膠區(qū)Z2的光刻膠的厚度大于第三光刻膠區(qū)Z3的光刻膠的厚度，所以在去除該第三光刻膠區(qū)Z3的光刻膠的同時(shí)，不會(huì)去除該第一光刻膠區(qū)Zl的光刻膠和第二光刻膠區(qū)Z2的光刻膠，且該第一光刻膠區(qū)Zl的光刻膠和第二光刻膠區(qū)Z2的光刻膠的厚度會(huì)相應(yīng)減小。
[0170]如圖2-27所示，可以采用刻蝕工藝，去除第三光刻膠區(qū)Z3對(duì)應(yīng)的金屬材質(zhì)層Y，形成源漏極金屬圖案04。
[0171]然后對(duì)由導(dǎo)體化的IGZO制成的初始源層進(jìn)行半導(dǎo)體化工藝處理，形成由半導(dǎo)體化的IGZO制成的有源層。需要說明的是，由于該源漏極金屬圖案和公共電極上均覆蓋有光刻膠，因此，在對(duì)該由導(dǎo)體化的IGZO制成的初始源層進(jìn)行半導(dǎo)體化工藝處理時(shí)，該光刻膠可以有效防止源漏極金屬圖案和公共電極的半導(dǎo)體化。可選的，對(duì)該由導(dǎo)體化的IGZO制成的初始源層進(jìn)行半導(dǎo)體化工藝處理為由導(dǎo)體化的IGZO制成的初始源層進(jìn)行加氧工藝處理，該加氧工藝可以為向該由導(dǎo)體化的IGZO制成的初始源層中摻雜氧離子，減少該由導(dǎo)體化的IGZO制成的初始源層中自由電子的數(shù)目，從而減弱該由導(dǎo)體化的IGZO制成的初始源層的導(dǎo)電能力，該加氧工藝還可以為笑氣(一氧化二氮)處理、氧化退火等工藝，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0172]如圖2-28所示，可以采用灰化工藝，去除第二光刻膠區(qū)Z2的光刻膠。需要說明的是，由于灰化時(shí)是對(duì)所有的光刻膠進(jìn)行灰化，且第二光刻膠區(qū)Z2的光刻膠的厚度小于第一光刻膠區(qū)Zl的光刻膠的厚度，所以在去除該第二光刻膠區(qū)Z2的光刻膠的同時(shí)，不會(huì)去除該第一光刻膠區(qū)Zl的光刻膠，且該第一光刻膠區(qū)Zl的光刻膠的厚度會(huì)相應(yīng)減小。
[0173]如圖2-29所示，可以采用刻蝕工藝，去除第二光刻膠區(qū)Z2對(duì)應(yīng)的金屬材質(zhì)層Y。
[0174]最后，可以采用剝離工藝，去除第一光刻膠區(qū)Zl的光刻膠，得到如圖2-2所示的結(jié)構(gòu)。
[0175]如圖2-3所示，在襯底基板01上形成由半導(dǎo)體化的IGZO制成的有源層02、由導(dǎo)體化的IGZO制成的公共電極03和源漏極金屬圖案04之后，可以在形成有有源層02、公共電極03和源漏極金屬圖案04的襯底基板01上通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層05。
[0176]—方面，相關(guān)技術(shù)中采用硅作為有源層，由于硅與金屬之間的粘附性較差，源漏極金屬圖案無法有效的粘附在有源層上，為了使得源漏極金屬圖案有效的粘附在有源層上，通常在有源層與源漏極金屬圖案之間形成與硅和金屬之間的粘附性均較強(qiáng)的接觸層。本發(fā)明實(shí)施例中，由于該半導(dǎo)體氧化物與襯底基板01和源漏極金屬圖案04之間的粘附性均較強(qiáng)，所以無需在該有源層02和源漏極金屬圖案04之間形成接觸層，因此簡(jiǎn)化了制造該陣列基板的步驟。另一方面，由于相關(guān)技術(shù)中有源層和公共電極的材質(zhì)不同，所以分別通過兩次構(gòu)圖工藝在該襯底基板上分別形成有源層和公共電極，本發(fā)明實(shí)施例中，由于該有源層02和公共電極03均采用半導(dǎo)體氧化物制成，所以在襯底基板01上形成有源層02和公共電極03僅需要采用一次構(gòu)圖工藝即可，減少了在襯底基板上形成有源層和公共電極時(shí)所需的構(gòu)圖工藝的次數(shù)，簡(jiǎn)化了制造該陣列基板的步驟。
[0177]形成有鈍化層05的襯底基板01上形成有接觸層06、像素電極09、柵極金屬圖案07、電極金屬圖案10和防氧化層08，其中，柵極金屬圖案07和電極金屬圖案10位于接觸層06的上方，防氧化層08位于柵極金屬圖案07和電極金屬圖案10的上方。
[0178]可選的，如圖2-4所示，在形成有鈍化層05的襯底基板01上，可以依次形成透明導(dǎo)電材質(zhì)層a、金屬材質(zhì)層b和防氧化材質(zhì)層C，該透明導(dǎo)電材質(zhì)可以為ITO (氧化銦錫)或IZO (銦鋅氧化物)，該金屬可以為銅，該防氧化材質(zhì)可以為ITO或MoNb (鉬銀)?？梢酝ㄟ^涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或者化學(xué)氣相沉積等方法依次形成透明導(dǎo)電材質(zhì)層a、金屬材質(zhì)層b和防氧化材質(zhì)層C，實(shí)際應(yīng)用中，還可以其他方法形成依次形成透明導(dǎo)電材質(zhì)層a、金屬材質(zhì)層b和防氧化材質(zhì)層C，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0179]示例的，如圖2-5所示，可以對(duì)該透明導(dǎo)電材質(zhì)層a、金屬材質(zhì)層b和防氧化材質(zhì)層c進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，在該襯底基板01上形成接觸層06、柵極金屬圖案07、防氧化層08、透明電極09和電極金屬圖案10。由于在襯底基板01上形成接觸層06、柵極金屬圖案07、防氧化層08、透明電極09和電極金屬圖案10的過程中僅僅需要一次構(gòu)圖工藝，因此，減少了在襯底基板上形成接觸層、透明電極、電極金屬圖案、柵極金屬圖案和防氧化層的過程所需的構(gòu)圖工藝的次數(shù)，簡(jiǎn)化了制造該陣列基板的步驟。
[0180]具體的，該一次構(gòu)圖工藝可以包括:涂覆光刻膠、曝光工藝、刻蝕工藝、灰化工藝和剝離工藝，對(duì)該透明導(dǎo)電材質(zhì)層a、金屬材質(zhì)層b和防氧化材質(zhì)層c進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，分別形成接觸層、像素電極、柵極金屬圖案、電極金屬圖案和防氧化層，具體可以包括:
[0181]如圖2-51所示，在形成有該防氧化材質(zhì)層c的襯底基板上形成光刻膠層M，示例的，可以在形成有該防氧化材質(zhì)層c的襯底基板上涂覆光刻膠層M。
[0182]如圖2-52所示，采用多色掩膜板對(duì)形成有該光刻膠層M的襯底基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成第二光刻膠圖形W，該第二光刻膠圖形W可以包括:第四光刻膠區(qū)W1、第五光刻膠區(qū)W2和第二光刻膠完全去除區(qū)W3，第四光刻膠區(qū)W1、第五光刻膠區(qū)W2和第二光刻膠完全去除區(qū)W3的光刻膠的厚度依次減小，第四光刻膠區(qū)Wl對(duì)應(yīng)待形成的柵極金屬圖案07的區(qū)域、電極金屬圖案10的區(qū)域、接觸層06和防氧化層08的區(qū)域，第五光刻膠區(qū)W2對(duì)應(yīng)待形成的像素電極09的區(qū)域，第二光刻膠完全去除區(qū)W3對(duì)應(yīng)其他區(qū)域。
[0183]如圖2-53所示，可以采用刻蝕工藝，去除第二光刻膠完全去除區(qū)W3對(duì)應(yīng)的透明導(dǎo)電材質(zhì)層、金屬材質(zhì)層和防氧化材質(zhì)層，形成柵極區(qū)、像素區(qū)和電極區(qū)，柵極區(qū)包括依次疊加的由透明導(dǎo)電材質(zhì)制成的接觸層06、由金屬制成的柵極金屬圖案07、由防氧化材質(zhì)制成的防氧化層08和第四光刻膠區(qū)Wl中與柵極金屬圖案07的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的光刻膠，像素區(qū)包括依次疊加的像素電極09