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      鐵電薄膜形成用組合物及其制造方法

      文檔序號:9422935閱讀:711來源:國知局
      鐵電薄膜形成用組合物及其制造方法
      【技術領域】
      [0001] 本發(fā)明設及一種鐵電薄膜形成用組合物及其制造方法,該鐵電薄膜形成用組合物 是PZT系等鐵電薄膜形成用的組合物(溶膠-凝膠液),即使每一次的涂膜較厚,燒成時也 幾乎不發(fā)生龜裂而能夠獲得結晶性較高的薄膜,從而可減少涂膜次數(shù)而提高薄膜的制造效 率。
      【背景技術】
      [0002] 通過溶膠-凝膠法形成薄膜電容器等的電介質層中使用的鐵電薄膜時,經過將該 薄膜形成用的溶膠-凝膠液涂布于基板上,對該涂膜進行預燒之后進行燒成的制造工序。 此時,若要增多一次涂布量而獲得更厚的膜,則會有在燒成等時在膜中產生的拉伸應力增 大,且在燒成后的薄膜中發(fā)生龜裂的問題。
      [0003] 若所形成的薄膜中存在龜裂,則會使電特性等下降,因此W往利用溶膠-凝膠法, 通過一次涂布就能夠形成的膜厚的界限為100皿左右,在形成具有厚度的鐵電薄膜時,重 復多次組合物的涂布及燒成等,因此薄膜的制造效率低,導致高成本。
      [0004] 為此,過去一直W來研究通過一次涂布就能夠較厚地形成涂膜的原料液,例如專 利文獻1中,通過在形成含有Ti的金屬氧化物薄膜的原料液中添加丙二醇,即使通過一次 涂布形成0. 2ymW上的厚膜也能夠形成不發(fā)生龜裂的薄膜。并且,非專利文獻1中,通過 在鐵電薄膜形成用的高濃度溶膠-凝膠液中添加高分子化合物,從而使成膜中所產生的拉 伸應力松弛,即使對通過一次涂布形成的涂膜進行加厚也不發(fā)生龜裂,能夠形成薄膜。 陽0化]并且,已知使用金屬醇鹽的金屬氧化物薄膜形成用組合物中,在含乙酸等的馨合 劑的溶劑中添加聚乙締化咯燒酬(PV巧或聚乙締乙酷胺(PNVA)等親水性高分子而使用,由 此通過一次涂布形成膜厚0. 5ymW上的薄膜(專利文獻2、3)。
      [0006] 專利文獻1 :日本專利公開2001-261338號公報
      [0007] 專利文獻2 :日本專利公開2002-255553號公報
      [0008] 專利文獻3 :日本專利公開2002-274850號公報
      [0009] 非專利文獻 1JSol-GelSciTechnol(2008)47:316-325
      [0010] 若使用如專利文獻1中記載的添加高粘性二醇的原料液或如非專利文獻1中記載 的添加高分子化合物的原料液,則存在成膜中容易形成空隙,難W獲得高品質的鐵電薄膜 的問題。
      [0011] 并且,使用PVP或PNVA的W往技術是通過與乙酸等的馨合劑一起使用PVP或PNVA 來調整液體粘度并形成較厚的被膜,在不含乙酸等的溶劑系中效果不明確,而且PVP或 PNVA的使用量較多為金屬醇鹽的0. 2倍摩爾W上,除了龜裂的抑制不足W外,結晶性也不 足。
      [0012] 具體而言,即使通過與乙酸等的馨合劑一起使用PVP或PNVA來調整液體粘度,所 涂布的被膜在預燒階段中若被膜的內部應力未被充分松弛,則被膜中容易產生龜裂。并且 在被膜的正式燒成階段中,若被膜不具有充分的硬度,則無法獲得結晶性較高的被膜。如 此,W往的方法雖通過調整形成鐵電薄膜的原料液粘性來較厚地形成涂膜,但即使調整原 料液的粘性,也難W充分抑制龜裂。

      【發(fā)明內容】

      [0013] 本發(fā)明中,代替調整原料液粘性的W往方法,提供鐵電薄膜形成用組合物及其制 造方法,所述鐵電薄膜形成用組合物通過在原料液中添加物質(反應控制物質),從而通過 預燒工序及燒成工序來調整成膜的楊氏模量,即使每一次的涂膜較厚也充分抑制龜裂的發(fā) 生而能夠獲得結晶性較高的薄膜,該物質(反應控制物質)控制鐵電薄膜的原料液的金屬 成分在燒成時吸收氧而形成鐵電結構的反應。
      [0014] 本發(fā)明提供一種通過W下結構解決上述問題的鐵電薄膜形成用組合物及其制造 方法。
      [0015] [1]一種鐵電薄膜形成用組合物,其是包含鐵電薄膜的前驅體、溶劑及反應控制物 質,且通過涂膜的預燒及燒成來形成鐵電薄膜的組合物,上述反應控制物質的含量是滿足 如下條件的量:在200°c~300°C的預燒階段中成膜的楊氏模量為42GPaW下且在400°C~ 500°C的燒成階段中成膜的楊氏模量成為55GPaW上。
      [0016] 凹根據(jù)上述山所述的鐵電薄膜形成用組合物,其中,反應控制物質是聚乙締化 咯燒酬(PVP)、聚丙締酷胺或聚乙締乙酷胺。
      [0017] [3]根據(jù)上述[1]或[2]所述的鐵電薄膜形成用組合物,其中,相對于鐵電薄膜前 驅體1摩爾含有0.0025~0.25摩爾的反應控制物質。
      [0018] [4]根據(jù)上述[1]~巧]中任一項所述的鐵電薄膜形成用組合物,其是PZT薄膜 形成用的組合物,且含有:PZT前驅體,氧化物換算含量為17~35質量%;溶劑,二醇量為 16~56質量% ;及反應控制物質,相對于PZT前驅體1摩爾為0. 0025~0. 25摩爾。
      [0019] [引一種鐵電薄膜形成用組合物的制造方法,其中,將鐵電薄膜的金屬成分的原 料、溶劑的二醇加入反應容器中,在惰性氣氛下進行加熱并回流,形成鐵電薄膜的前驅體 液,在該前驅體液中添加滿足如下條件的量的反應控制物質:在200°c~300°C的預燒階 段中成膜的楊氏模量為42GPaW下且在400°C~500°C的燒成階段中成膜的楊氏模量成為 55GPaW上,進行攬拌混合,并添加溶劑而將鐵電薄膜前驅體的濃度調整為W氧化物換算計 17~35質量%。
      [0020] [6] -種制造鐵電薄膜的方法,所述方法使用上述山~W中任一項所述的鐵電 薄膜形成用組合物。 陽OW [具體說明]
      [0022] 本發(fā)明的鐵電薄膜形成用組合物是包含鐵電薄膜的前驅體、溶劑及反應控制物 質,且通過涂膜的預燒及燒成來形成鐵電薄膜的組合物,上述反應控制物質的含量是在200°C~300°C的預燒階段中成膜的楊氏模量為42GPaW下且在400°C~500°C的燒成階段 中成膜的楊氏模量成為55GPaW上的量。 W23] 本發(fā)明的組合物中,鐵電體例如為錯鐵酸鉛(PZT)。PZT鐵電體是W通式:PMZrJiiy)〇3(0 <X< 1)表示的巧鐵礦型結構的復合金屬氧化物,具有較大的介電常數(shù)、 壓電性、鐵電性。
      [0024] 本發(fā)明的鐵電體中包含在PZT中添加Mn元素的PMnZT、添加Nb元素的PNbZT、添 加La元素的化aZT等。W下,WPZT鐵電體為例對本發(fā)明進行說明。
      [00巧]PZT鐵電體形成用組合物是包含形成PZT薄膜的PZT前驅體的溶膠-凝膠液(PZT前驅體液),將該PZT前驅體液涂布在基板上,對該涂膜進行預燒而進行金屬成分的分解與 結合W及氧的吸收,進一步進行燒成而形成結晶性的PZT薄膜。 陽0%]PZT前驅體W使化、Zr、Ti等各金屬元素成為形成PZT鐵電體的量比的方式調配各 金屬元素的原料,作為運些原料優(yōu)選使用有機基經由其氧或氮原子結合的金屬化合物。例 如能夠使用選自由金屬醇鹽、金屬二醇絡合物、金屬=醇絡合物、金屬簇酸鹽、金屬P-二 酬絡合物、金屬P-二酬醋絡合物、金屬P-亞胺基酬絡合物及金屬胺基絡合物組成的組中 的一種或兩種W上的化合物。尤其優(yōu)選的化合物為金屬醇鹽、其部分水解物、有機酸鹽。
      [0027] 將Pb、Zr、Ti等各金屬元素的原料及溶劑加入反應容器中,在惰性氣氛下進行加 熱并回流,形成PZT前驅體液。各金屬元素的原料W成為形成PZT鐵電體的金屬元素比的 量進行混合。
      [0028] 組合物中的PZT前驅體濃度W氧化物換算濃度計,優(yōu)選為17~35質量%,更優(yōu)選 為20~25質量%。小于17質量%時,無法獲得充分的膜厚,另一方面,超過35質量%時, 容易發(fā)生龜裂。 陽029]溶劑能夠使用(A)丙二醇、乙二醇、1,3-丙二醇等二醇。通過在溶劑中使用二醇, 能夠提高組合物的保存穩(wěn)定性。
      [0030] 作為其他溶劑,能夠使用度)簇酸、二醇W外的醇、醋、酬類(例如丙酬、甲基乙基 酬)、酸類(例如二甲酸、二乙酸)、環(huán)燒類(例如環(huán)己燒、環(huán)己醇)、芳香族系(例如苯、甲 苯、二甲苯),除此之外,能夠使用四氨巧喃等。
      [0031] 在溶劑中使用醇時,從液體的涂布性、干燥性的觀點來看,在稀釋用
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