半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在將半導(dǎo)體元件密封于陶瓷等材料中而成為中空構(gòu)造的電子封裝部件的制造方法中，公知有如下方法:制成具有多個(gè)凹部的基板，在凹部容納半導(dǎo)體元件，并遍及基板整個(gè)面由板狀的密封部件密封，之后在凹部的中間部進(jìn)行切斷，由此制造各個(gè)半導(dǎo)體裝置(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]并且，也公知有如下方法:將半導(dǎo)體元件載置于平板狀的基板，由形成有凹部的蓋部件進(jìn)行密封，由此制造具有中空構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置(例如參照專利文獻(xiàn)2)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-307664
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開平4-148553

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的課題
[0009]如以往技術(shù)那樣，若在半導(dǎo)體裝置的基板、蓋部件形成凹部，則與平板狀的基板相比成本變高。并且，需要用于粘貼密封用的蓋部件的堤部，從而半導(dǎo)體裝置變得大型。
[0010]用于解決課題的方案
[0011]根據(jù)本發(fā)明的第一方案，是一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置具有基板、載置于基板上且具有功能元件的半導(dǎo)體芯片、對(duì)半導(dǎo)體芯片的周圍進(jìn)行密封的樹脂、以及粘接于樹脂的上表面的平板狀的保護(hù)罩，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法具備:在成為各個(gè)基板的一片原基板的上表面將多個(gè)半導(dǎo)體芯片載置且固定于規(guī)定的位置的固定工序；通過線纜連接多個(gè)半導(dǎo)體芯片的電極和原基板的電極的連接工序；在原基板的上表面且在多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間澆注樹脂而對(duì)各半導(dǎo)體芯片的側(cè)方整周進(jìn)行樹脂密封的密封工序；以橫跨多個(gè)半導(dǎo)體芯片的方式將成為各個(gè)保護(hù)罩的一片原保護(hù)罩粘接于樹脂的表面的粘接工序；以及將經(jīng)由樹脂而在原基板粘接有原保護(hù)罩的半導(dǎo)體裝置集合體切斷為各個(gè)半導(dǎo)體裝置的切斷工序，粘接工序中，以在各半導(dǎo)體芯片的上表面與原保護(hù)罩的內(nèi)表面之間形成線纜局部露出的空間的方式，在對(duì)各半導(dǎo)體芯片的側(cè)方整周進(jìn)行密封的樹脂的上表面粘接原保護(hù)罩。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的第二方案，在第一方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選為，密封工序中，將樹脂澆注成在各半導(dǎo)體芯片的周圍比線纜的最高高度位置高，粘接工序包括在未固化狀態(tài)或者半固化狀態(tài)的樹脂的上表面按壓原保護(hù)罩的按壓工序，原保護(hù)罩的厚度和樹脂固化后的樹脂的厚度的和比從原基板的上表面至線纜的最高高度位置的尺寸大。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的第三方案，在第一方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選為，密封工序中，將樹脂澆注成在各半導(dǎo)體芯片的周圍比線纜的最高高度位置高，制造方法還包括:對(duì)樹脂進(jìn)行固化的固化工序；以及在固化了的樹脂的表面涂覆粘接劑的涂敷工序，粘接工序中，通過粘接劑在固化了的樹脂的表面粘接原保護(hù)罩。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的第四方案，在第一方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選為，密封工序中，將樹脂澆注成在各半導(dǎo)體芯片的周圍比線纜的最高高度位置高，制造方法的粘接工序包括:在支承薄板涂覆成為各個(gè)保護(hù)罩的樹脂層的涂敷工序；在未固化狀態(tài)或者半固化狀態(tài)的樹脂的上表面以?shī)A著樹脂層的方式按壓支承薄板的按壓工序；在樹脂層和樹脂固化后，剝離支承薄板且在樹脂的上表面粘接成為各個(gè)保護(hù)罩的樹脂層的剝離/形成工序，剝離/形成工序后的樹脂層的厚度和樹脂的厚度的和比從原基板的上表面至線纜的最高高度位置的尺寸大。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的第五方案，在第一方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選為，密封工序中，在各半導(dǎo)體芯片的周圍將樹脂澆注至半導(dǎo)體芯片的實(shí)際的上表面的高度位置，原保護(hù)罩具有圍繞與原基板的電極連接的線纜的大小的開口部，原保護(hù)罩的厚度和樹脂的厚度的和形成為比從原基板的上表面至線纜的最高高度位置的尺寸大，在樹脂未固化或者半固化了的狀態(tài)下，將原保護(hù)罩按壓并粘接于樹脂。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的第六方案，在第一方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選為，密封工序中，在半導(dǎo)體芯片的周圍將樹脂澆注至半導(dǎo)體芯片的實(shí)際的上表面的高度位置，原保護(hù)罩具有圍繞與原基板的電極連接的線纜的大小的開口部，原保護(hù)罩的厚度和樹脂的厚度的和形成為比從原基板的上表面至線纜的最高高度位置的尺寸大，在固化了的樹脂通過粘接材料粘接原保護(hù)罩。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的第七方案，半導(dǎo)體裝置具備:基板；半導(dǎo)體芯片，其具有功能元件，且載置于基板上并通過線纜連接有功能元件的電極和基板的電極；樹脂，其在半導(dǎo)體芯片的周圍設(shè)置到比線纜的最高高度位置高的位置并進(jìn)行密封；以及平板狀的保護(hù)罩，其粘接于樹脂的表面，保護(hù)罩以在半導(dǎo)體芯片的上表面與保護(hù)罩的內(nèi)表面之間形成線纜局部露出的空間的方式，粘接于對(duì)半導(dǎo)體芯片的側(cè)方整周進(jìn)行密封的樹脂的上表面。
[0018]發(fā)明的效果如下。
[0019]根據(jù)本發(fā)明，能夠不使用在半導(dǎo)體裝置設(shè)有凹部的基板、蓋部件，而制成具有中空構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置。并且，也不需要用于粘貼蓋部件的堤部，從而能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的小型化。
【附圖說明】
[0020]圖1是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式I的分解立體圖。
[0021]圖2是圖1的I1-1I線剖視圖。
[0022]圖3(a)?圖3(d)是說明圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的實(shí)施方式I的圖。
[0023]圖4是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式2的相當(dāng)于圖1的I1-1I線剖面的剖視圖。
[0024]圖5(a)?圖5(b)是說明圖4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的實(shí)施方式2的圖。
[0025]圖6(a)?圖6(c)是說明圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的實(shí)施方式3的圖。
[0026]圖7是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式4的分解立體圖。
[0027]圖8是圖7的VII1-VIII線剖視圖。
[0028]圖9(a)?圖9(c)是說明圖7的半導(dǎo)體裝置的制造方法的實(shí)施方式4的圖。
[0029]圖10是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式5的相當(dāng)于圖7的VII1-VIII線剖面的剖視圖。
[0030]圖11是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式6的相當(dāng)于圖7的VII1-VIII線剖面的剖視圖。
[0031]圖12是說明圖11的半導(dǎo)體裝置的制造方法的實(shí)施方式6的圖。
[0032]圖13是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式7的相當(dāng)于圖7的VII1-VIII線剖面的剖視圖。
[0033]圖14是說明其它的半導(dǎo)體裝置的制造方法的實(shí)施方式8的圖。
[0034]圖15(a)是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式9的相當(dāng)于圖7的VII1-VIII線剖面的剖視圖，圖15(b)是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式10的相當(dāng)于圖7的VII1-VIII線剖面的剖視圖。
[0035]圖16表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式11的相當(dāng)于圖7的VII1-VIII線剖面的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]參照?qǐng)D1?16，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置以及其制造方法的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0037](實(shí)施方式I)
[0038]圖1是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式I的分解立體圖，圖2是圖1的I1-1I線剖視圖。
[0039]實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置10具備安裝于基板2的上表面的半導(dǎo)體芯片1、對(duì)基板2上的半導(dǎo)體芯片I的周圍進(jìn)行密封的樹脂4、以及對(duì)密封了的樹脂4的表面進(jìn)行覆蓋的保護(hù)罩5，密封樹脂4具有開口 4A。此外，從圖2?圖3可知，開口 4A的邊緣部實(shí)際上是平緩的邊緣部。
[0040]半導(dǎo)體芯片I例如使用加速度傳感器、陀螺儀傳感器等需要封閉的部件。并且，罩5是由樹脂制成的較薄的板狀的平板。另外，以在半導(dǎo)體芯片I的上表面與保護(hù)罩5的內(nèi)表面之間形成線纜3局部露出的空間SP的方式，在密封半導(dǎo)體芯片I的側(cè)方整周的樹脂4的上表面粘接有保護(hù)罩5。
[0041]圖3(a)?圖3(d)是說明圖1所示的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置10的制造方法的圖。
[0042](準(zhǔn)備工序)
[0043]準(zhǔn)備多個(gè)半導(dǎo)體芯片1、一片較大的原基板2A、以及不透明的樹脂制的一片較大的保護(hù)罩(原保護(hù)罩)5A。原基板2A是絕緣基板，在上表面形成有電極圖案、布線圖案。原基板2A使用玻璃環(huán)氧樹脂、陶瓷、引線框等而制成，通