璃襯底且稍后進(jìn)行熱處理的溫度為高的情況下，優(yōu)選使用其應(yīng)變點(diǎn)大于或等于730°C的玻璃襯底。例如，可使用諸如鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃或溴硼硅酸鹽玻璃之類的玻璃材料作為玻璃襯底的材料。注意當(dāng)玻璃含有氧化鋇(BaO)的量大于氧化硼(B2O3)的量時(shí)，可獲得具有耐熱性的更實(shí)用的玻璃。因此，優(yōu)選使用含有BaO的量大于B2O3的量的玻璃襯底。
[0090]注意，除了上述的玻璃襯底，諸如陶瓷襯底、石英襯底、或蘭寶石襯底之類的使用絕緣體形成的襯底可被用作玻璃襯底100?？蛇x地，可使用結(jié)晶化玻璃等。
[0091]進(jìn)一步，可在襯底100上提供絕緣膜作為基膜?；た墒褂肅VD法、濺射法等形成為具有氧化硅層、氮化硅層、氮化氧化硅層、以及氧氮化硅層中任一個(gè)的單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。在諸如玻璃襯底之類的含有鈉等移動(dòng)離子的襯底被用作襯底100的情況下，將含有諸如氮化硅膜或氧氮化硅膜之類的氮的膜用作基膜，藉此可防止移動(dòng)的離子進(jìn)入氧化物半導(dǎo)體層。
[0092]接著，用濺射法或真空蒸鍍法在襯底100的整個(gè)表面上形成導(dǎo)電膜，其將成為含有柵電極層101的柵引線、電容引線108、以及第一端子121。接著，在基板100的整個(gè)表面上形成導(dǎo)電膜之后，通過(guò)第一光刻步驟形成抗蝕劑掩模。通過(guò)蝕刻移除不需要的部分而形成引線和電極(含有柵電極層101的柵引線、電容引線108、以及第一端子121)。此時(shí)，優(yōu)選地進(jìn)行蝕刻以使柵電極層101的至少端部成為楔形以防止斷開。圖2A是此階段的截面圖。注意，圖4B是此階段的平面圖。
[0093]可使用諸如鋁、銅、鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、釹、或鈧之類的金屬材料；含有這些金屬材料中的任一種作為其主要組分的合金材料；或者含有這些金屬材料中的任一種的氮化物來(lái)形成具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)的含有柵電極層101的柵引線、電容引線108、以及柵引線端子部分的第一端子121。盡管使用諸如鋁或銅之類的低電阻金屬材料形成柵電極層101是有效的，優(yōu)選地與難熔金屬材料相結(jié)合使用低電阻金屬材料，因?yàn)榈碗娮杞饘俨牧暇哂械湍蜔嵝院鸵子诟g的劣勢(shì)。作為難熔金屬材料，可使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、釹、鈧等。
[0094]例如，作為柵電極層101的層疊結(jié)構(gòu)，以下結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的:其中鉬層堆疊在鋁層之上的兩層層疊結(jié)構(gòu)；其中鉬層堆疊在銅層之上的兩層層疊結(jié)構(gòu)；其中氮化鈦層或氮化鉭層堆疊在銅層之上的兩層層疊結(jié)構(gòu)；或者其中氮化鈦層和鉬層堆疊的兩層層疊結(jié)構(gòu)。作為三層結(jié)構(gòu)，以下結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的:包括鋁、鋁-硅合金、鋁-鈦合金、或者鋁-釹合金位于中間層，且包括鎢、氮化鎢、氮化鈦、以及鈦中的任一種位于頂層或底層。
[0095]此時(shí)，為電極層和引線層的一部分而使用透光的氧化物半導(dǎo)體層，以增加孔徑比。
例如，可使用氧化銦、氧化銦一氧化錫合金、氧化銦一氧化鋅合金、氧化鋅、氧化鋅鋁、氮氧化鋅鋁、氧化鋅鎵等用作氧化物半導(dǎo)體層。
[0096]接著，形成柵絕緣層102以覆蓋柵電極層101的整個(gè)表面。通過(guò)CVD法、濺射法等將柵絕緣層102形成為厚度在50nm到250nm范圍內(nèi)。
[0097]例如，用濺射裝置將硅氧化物膜形成為10nm厚度，作為柵絕緣層102。不言而喻，柵絕緣層102不限于這樣的硅氧化物膜，而可使用諸如氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化鋁膜或氧化鉭膜之類的其它絕緣膜來(lái)形成單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。
[0098]此外，在形成用于形成島形氧化物半導(dǎo)體層103的氧化物半導(dǎo)體膜之前，優(yōu)選地進(jìn)行通過(guò)引入氬氣而產(chǎn)生等離子體的反濺射，藉此移除附著至柵絕緣層102表面的灰塵。反濺射是指其中不向靶側(cè)施加電壓，使用RF電源在氬氣氣氛下向襯底側(cè)施加電壓并在襯底附近產(chǎn)生等離子體來(lái)修整表面的方法。注意，可使用氮?dú)鈿夥铡⒑鈿夥盏葋?lái)替代氬氣氣氛。可選地，可使用添加了氧氣、N2O等的氬氣氣氛。進(jìn)一步可選地，可使用添加了 Cl2、CF4等的氬氣氣氛。在反濺射之后，在不暴露給空氣的情況下形成氧化物半導(dǎo)體膜，藉此可防止灰塵或濕氣附著至氧化物半導(dǎo)體層103和柵絕緣層102之間的界面。
[0099]在柵絕緣層102上形成具有在5nm到200nm范圍內(nèi)，優(yōu)選地為在1nm到40nm范圍內(nèi)的厚度的氧化物半導(dǎo)體膜。
[0100]可應(yīng)用下述氧化物半導(dǎo)體膜中的任一種作為氧化物半導(dǎo)體膜:In-Ga-Zn-0基氧化物半導(dǎo)體膜；In-Sn-Zn-O基氧化物半導(dǎo)體膜；In-Al-Zn-O基氧化物半導(dǎo)體膜；Sn-Ga-Zn-O基氧化物半導(dǎo)體膜；A1-Ga-Zn_0基氧化物半導(dǎo)體膜；Sn-Al_Zn-0基氧化物半導(dǎo)體膜；Ιη-Ζη-0基氧化物半導(dǎo)體膜；Sn-Zn-0基氧化物半導(dǎo)體膜；Α1_Ζη_0基氧化物半導(dǎo)體膜；Ιη-0基氧化物半導(dǎo)體膜；Sn-0基氧化物半導(dǎo)體膜；以及Zn-O基氧化物半導(dǎo)體膜。可選地，可在稀有氣體(一般是氬氣)氣氛、氧氣氣氛、或稀有氣體(一般是氬氣)和氧氣氣氛下用濺射法形成氧化物半導(dǎo)體膜。
[0101]此處，在下列條件下使用用于形成含有In、Ga、及Zn的氧化物半導(dǎo)體(摩爾比，In2O3: Ga2O3: ZnO = 1:1:1或In2O3: Ga2O3: ZnO = 1:1:2)的革巴來(lái)進(jìn)行成膜:襯底和革巴之間的距尚是100mm，壓力是0.6Pa，直流(DC)電源是0.5kW，且氣氛是氧氣(氧的流速是100%)。注意，優(yōu)選使用脈沖直流(DC)電源，因?yàn)榭蓽p少在薄膜形成中產(chǎn)生的粉末物質(zhì)(也稱作顆?；蚧覊m)并且膜厚可以是均勻的。在這個(gè)實(shí)施例中，用濺射法使用用于形成In-Ga-Zn-O基氧化物半導(dǎo)體的靶形成具有30nm厚度的In-Ga-Zn-O基膜作為氧化物半導(dǎo)體膜。
[0102]優(yōu)選的是用于形成氧化物半導(dǎo)體的靶的密度大于或等于80%，更優(yōu)選地，大于或等于95%，進(jìn)一步優(yōu)選地，大于或等于99.9%。可減少使用具有高相對(duì)密度的靶形成的氧化物半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)濃度，且因此可獲得具有高電特性和高可靠性的薄膜晶體管。
[0103]濺射法的示例包括高頻功率源用作濺射功率源的RF濺射法、其中使用DC電源的DC濺射法、以及以脈沖方式施加偏置的脈沖DC濺射法。在形成絕緣層的情況下主要使用RF濺射方法，在形成金屬膜的情況下主要使用DC濺射方法。
[0104]此外，還存在可設(shè)置不同材料的多個(gè)靶的多源濺射裝置。利用該多源濺射裝置，還可在同一室中形成層疊的不同材料膜，或還可在同一室中通過(guò)放電同時(shí)形成多種材料。
[0105]此外，存在室中設(shè)置有磁鐵系統(tǒng)且用于磁控管濺射方法的濺射裝置，以及在不使用輝光放電的情況下使用微波產(chǎn)生等離子體的用于ECR濺射方法的濺射裝置。
[0106]此外，作為通過(guò)濺射的成膜方法，還存在其中靶物質(zhì)和濺射氣體組分在成膜期間相互化學(xué)反應(yīng)以形成它們的化合物薄膜的反應(yīng)濺射法，以及在成膜期間還對(duì)襯底施加電壓的偏置派射法。
[0107]此外，在使用濺射法的成膜期間，可通過(guò)燈光或加熱器在400°C到700°C范圍內(nèi)的溫度中加熱襯底。在成膜期間通過(guò)加熱成膜的同時(shí)，修復(fù)了由于濺射引起的損傷。
[0108]優(yōu)選地進(jìn)行預(yù)熱處理，從而在形成氧化物半導(dǎo)體膜之前，移除在濺射裝置內(nèi)壁上、靶的表面上、或者靶材料中剩余的濕氣或氫。作為預(yù)熱處理，可給出其中在減少的壓力下將膜沉積室內(nèi)部從200°C加熱至600°C的方法、其中在膜沉積室內(nèi)部溫度被加熱的同時(shí)重復(fù)將氮?dú)饣蚨栊詺怏w引入和排出的方法，等。在預(yù)熱處理之后，冷卻襯底或?yàn)R射裝置，且然后在不暴露給空氣的情況下形成氧化物半導(dǎo)體膜。在這個(gè)情況下，優(yōu)選地不使用水而是油等作為靶的冷卻劑。盡管當(dāng)在不加熱的情況下重復(fù)氮?dú)獾囊牒团懦隹色@得一定程度的效果，更優(yōu)選的是在膜沉積室內(nèi)部被加熱的同時(shí)進(jìn)行處理。
[0109]優(yōu)選的是在形成氧化物半導(dǎo)體之前、期間或之后使用低溫栗來(lái)移除濺射裝置中剩余的濕氣等。
[0110]接著，通過(guò)第二光刻步驟形成抗蝕劑掩模。然后，蝕刻In-Ga-Zn-O基膜。在蝕刻中，可使用諸如檸檬酸或草酸之類的有機(jī)酸用作蝕刻劑。此處，通過(guò)使用IT0-07N(由KantoChemical C0.有限公司制造的)的濕法蝕刻In-Ga-Zn-O基膜，來(lái)移除不需要的部分。因此，將In-Ga-Zn-O基膜處理為具有島形，藉此形成氧化物半導(dǎo)體層111。將氧化物半導(dǎo)體層111的端部蝕刻為楔形，藉此可防止由于臺(tái)階形狀引起的引線的斷開。注意，此處的蝕刻不限于濕法蝕刻且可進(jìn)行干法蝕刻。圖2B是此階段的截面圖。注意圖5是此階段的平面圖。
[0111]然后，如果有需要的話，氧化物半導(dǎo)體層被脫水或脫氫?？赏ㄟ^(guò)在500°C到750°C范圍內(nèi)(或者小于或等于玻璃襯底的應(yīng)變點(diǎn)的溫度)使用高溫氣體(諸如氮?dú)饣蛳∮袣怏w之類的惰性氣體)或光的快速熱退火(RTA)處理達(dá)約在I分鐘到10分鐘范圍內(nèi)，優(yōu)選地在650°C達(dá)約3分鐘到6分鐘范圍內(nèi)而進(jìn)行用于脫水或脫氫的第一熱處理。用RTA法，脫水或脫氫可在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行；因此，即使在高于玻璃基板應(yīng)變點(diǎn)的溫度下也可進(jìn)行處理。注意第一熱處理的時(shí)序并不限于在氧化物半導(dǎo)體層111形成之后的這個(gè)時(shí)序，且可被進(jìn)行多次，例如，在光刻步驟或氧化物半導(dǎo)體層111形成的之前和之后。
[0112]注意，在該第一熱處理中，優(yōu)選的是在氣氛中不含有水、氫等。可選地，引入熱處理裝置的惰性氣體的純度優(yōu)選地被設(shè)定為大于或等于6N(99.9999% )或更多，優(yōu)選地，大于或等于7Ν(99.99999% )(即，雜質(zhì)濃度小于或等于lppm，優(yōu)選地，小于或等于0.1ppm)。
[0113]接著，通過(guò)第三光刻步驟形成抗蝕劑掩模。通過(guò)蝕刻移除不需要的部分以形成接觸孔，其達(dá)到用與柵電極層101 —樣的材料形成的引線或電極層。該接觸孔被設(shè)置用于與稍后形成的導(dǎo)電膜直接連接。例如，當(dāng)形成其中柵電極層與驅(qū)動(dòng)器電路部分中的源電極層或漏電極層直接接觸的薄膜晶體管時(shí)，或當(dāng)形成電連接至端子部分的柵引線的端子時(shí)，形成接觸孔。
[0114]接著，使用金屬材料用濺射法或真空蒸鍍法在氧化物半導(dǎo)體層111和柵絕緣層102上形成第一導(dǎo)電層112、第二導(dǎo)電層113、以及第三導(dǎo)電層114。圖2C是此階段的截面圖。
[0115]可使用類似于上述柵電極層101的材料作為第一導(dǎo)電層112、第二導(dǎo)電層113、以及第三導(dǎo)電層114的每一個(gè)的材料。
[0116]此處，第一導(dǎo)電層112以及第三導(dǎo)電層114使用鈦形成，鈦是耐熱的導(dǎo)電材料，且第二導(dǎo)電層113使用含有釹的鋁合金形成。這樣的結(jié)構(gòu)可減少小丘的產(chǎn)生且利用了鋁的低電阻性質(zhì)。盡管在這個(gè)實(shí)施例中使用了第一導(dǎo)電層112、第二導(dǎo)電層113、以及第三導(dǎo)電層114的三層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。因此，可采用單層結(jié)構(gòu)、兩層結(jié)構(gòu)、或者四層或更多層的層疊結(jié)構(gòu)。例如，可使用鈦膜的單層結(jié)構(gòu)或含有硅的鋁膜的單層結(jié)構(gòu)。
[0117]接著，通過(guò)第四光刻步驟形成抗蝕劑掩模131。通過(guò)蝕刻移除不需要的部分，以形成源電極層105a、漏電極層105b、氧化物半導(dǎo)體層103、以及連接電極120。這時(shí)使用濕法蝕刻或干法蝕刻作為蝕刻方法。例如，在使用鈦形成第一導(dǎo)電層112和第三導(dǎo)電層114且使用含有釹的鋁合金形成第二導(dǎo)電層113的情況下，可使用過(guò)氧化氫溶液或經(jīng)加熱的鹽酸作為蝕刻劑進(jìn)行濕法蝕刻。在這個(gè)蝕刻步驟中，氧化物半導(dǎo)體層103的一部分被蝕刻；因此氧化物半導(dǎo)體層103包括在源電極層105a和漏電極層105b之間的區(qū)域，該區(qū)域的厚度小于與源電極層105a或漏電極層105b相交迭的區(qū)域的厚度。圖3A是此階段的截面圖。注意圖6是此階段的平面圖。
[0118]此外，可在一個(gè)步驟中通過(guò)其中使用過(guò)氧化氫溶液或經(jīng)加熱的鹽酸作為蝕刻劑的蝕刻而蝕刻第一導(dǎo)電層112、第二導(dǎo)電層113、以及第三導(dǎo)電層114 ;因此，源電極層105a或漏電極層105b的端部與氧化物半導(dǎo)體層103的端部對(duì)齊，并可形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。另外，濕法蝕刻允許這些層被各向同性地蝕刻，從而源電極層105a和漏電極層105b的端部相比抗蝕劑掩模131凹入。通過(guò)上述步驟，可制造其中使用氧化物半導(dǎo)體層103作為溝道形成區(qū)的薄膜晶體管170。
[0119]進(jìn)一步，以與柵電極層101類似的方式為源電極層105a和漏電極層105b使用透光氧化物半導(dǎo)體層，藉此可增加像素部分的透光率且還可增加孔徑比。
[0120]在第四光刻步驟中，由與源電極層105a和漏電極層105b —樣材料制成的第二端子122被留在源引線端部。注意，第二端子122電連接至源引線(包括源電極層105a和和漏電極層105b的源引線)。
[0121]在端部，連接電極120通過(guò)形成在柵絕緣膜中的接觸孔直接連接至位于端部的第一端子121。注意盡管此處未示出，源引線或漏引線、以及驅(qū)動(dòng)器電路中的薄膜晶體管的柵電極通過(guò)上述一樣的步驟直接連接。
[0122]進(jìn)一步，通過(guò)使用具有利用多色調(diào)掩模形成的具有多個(gè)厚度(通常兩種不同厚度)的多個(gè)區(qū)域的抗蝕劑掩模，可減少抗蝕劑掩模的數(shù)量，從而導(dǎo)致工藝簡(jiǎn)化和成本降低。
[0123]接著，去除抗蝕劑掩模131，并形成覆蓋薄膜晶體管170的氧化物絕緣層107?？捎脼R射法等使用諸如氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜等之類的氧化物絕緣膜形成氧化物絕緣層107。
[0124]可按需使用濺射法等方法(即，諸如濕氣或氫之類的雜質(zhì)不被混合到氧化物絕緣層中的方法)形成氧化物絕緣層107。在這個(gè)實(shí)施例中，用濺射法將氧化硅膜形成為氧化物絕緣膜。成膜中的襯底溫度可被設(shè)定為在室溫到300°C范圍內(nèi)，且在這個(gè)實(shí)施例中，設(shè)置為100°C。為了防止在成膜中水或氫之類的雜質(zhì)的進(jìn)入，優(yōu)選的是在成膜之前，在150°C到350°C范圍內(nèi)的溫度下在減少的壓力下進(jìn)行預(yù)先烘焙達(dá)2分鐘到10分鐘，從而在不暴露給空氣的情況下形成氧化物絕緣層?？稍谙∮袣怏w(一般是氬氣)氣氛、氧氣氣氛、或稀有氣體(一般是氬氣)和氧氣氣氛中用濺射法進(jìn)行氧化硅膜的形成。另外，可使用氧化硅靶或硅靶作為靶。例如，使用硅靶，可在氧氣和稀有氣體氣氛下用濺射法形成氧化硅膜。使用不含有諸如濕氣、氫離子和OH并阻止這些雜質(zhì)從外部進(jìn)入的無(wú)機(jī)絕緣膜形成氧化物絕緣層，該氧化物絕緣層在電阻被減少的區(qū)域中被形成為與氧化物半導(dǎo)體層相接觸。
[0125]在這個(gè)實(shí)施例中，使用具有6N純度(電阻率為0.01 Ω cm)的柱狀多晶硼摻雜的硅靶用脈沖DC濺射法進(jìn)行成膜，其中襯底和靶之間的距離(T-S距離)為89mm、壓力為0.4Pa、直流(DC)功率源為6kW、且氣氛為氧氣(氧氣流速為100% )。其膜厚度設(shè)定為300nm。
[0126]接著，如果需要的話，在惰性氣體氣氛下進(jìn)行第二熱處理(優(yōu)選地在200°C到400°C范圍內(nèi)的溫度下、例如，在大于2500C小于350°C范圍的溫度下)。例如，在氮?dú)鈿夥障略?50°C進(jìn)行第二熱處理達(dá)一小時(shí)?？蛇x地，可在高溫下用與第一熱處理一樣短的時(shí)間進(jìn)行RTA熱處理。
[0127]接著，通過(guò)第五光刻步驟形成抗蝕劑掩模。然后，蝕刻氧化物絕緣層107來(lái)形成達(dá)到源電極層105b的接觸孔125。此外，通過(guò)這個(gè)蝕刻還形成了達(dá)到連接電極120的接觸孔126和達(dá)到第二端子122的接觸孔127。圖3B是此階段的截面圖。
[0128]接著，去除抗蝕劑掩模，然后形成透光導(dǎo)電膜?？捎脼R射法、真空蒸鍍法等使用諸如氧化銦(In2O3)或氧化銦-氧化錫(In2O3-SnO2，簡(jiǎn)稱為ΙΤ0)之類的材料形成透光導(dǎo)電膜。使用鹽酸基溶液蝕刻這樣的材料。然而，因?yàn)樵谖g刻ITO時(shí)尤其容易產(chǎn)生殘留物，所以可使用氧化銦一氧化鋅(In2O3-ZnO)合金來(lái)改進(jìn)蝕刻可加工性。
[0129]接著，通過(guò)第六光刻步驟形成抗蝕劑掩模。通過(guò)蝕刻移除不必要的部分來(lái)形成像素電極層110。
[0130]在第六光刻步驟中，形成存儲(chǔ)電容器，其具有在電容器部分中的柵絕緣層102和氧化物絕緣層107(其被用作電介質(zhì))、電容器引線108、以及像素電極層110。
[0131]另外，在這個(gè)第六光刻步驟中，第一端子121和第二端子122每一個(gè)用抗蝕劑掩模覆蓋，而具有透光性質(zhì)的導(dǎo)電膜128和129被留在端子部分中。透光導(dǎo)電膜128和129用作連接至FPC的電極或引線。在直接連接至第一端子121的連接電極120上形成的透光導(dǎo)電膜128是用作柵引線的輸入端子的連接端子電極。在第二端子122上形成的透光導(dǎo)電膜129是用作源引線的輸入端子的連接端子電極。
[0132]然后，去除抗蝕劑掩模。圖3C是此階段的截面圖。注意圖7是此階段的平面圖。
[0133]進(jìn)一步，圖8A1和8A2分別是此階段的柵引線端子部分的截面圖和平面圖。圖8A1是沿圖8A2中的線C1-C2的截面圖。在圖8A1中，在保護(hù)絕緣膜154和連接端子153上形成的透光導(dǎo)電膜155是起輸入端子作用的連接端子電極。進(jìn)一步，在圖8A1中，在柵引線端子部分中，使用與柵引線一樣的材料形成的第一端子151和使用與源引線一樣的材料形成的連接電極153互相交迭(柵絕緣層152插入其之間)且電連接。此外，連接電極153和透光導(dǎo)電膜155通過(guò)設(shè)置在保護(hù)絕緣膜154中的接觸孔直接互相接觸且電連接。
[0134]進(jìn)一步，圖8A1和8A2分別是柵引線端子部分的截面圖和平面圖。圖8B1是沿圖8B2中的線D1-D2的截面圖。在圖8B1中，在保護(hù)絕緣膜154和第二端子150上形成的透光導(dǎo)電膜155是起輸入端子作用的連接端子電極。進(jìn)一步，在圖8B1中，在源引線端子部分中，使用與柵引線相同材料形成的電極156位于電連接至源引線的第二端子150下方且與其交迭，其中柵絕緣層152插入在其間。電極156與第二端子150未電連接，而且如果電極156的電勢(shì)被設(shè)置成不同于第二端子150的電勢(shì)，諸如浮置、GND或0V，則可形成電容器用來(lái)防止噪聲或靜電。此外，第二端子150電連接至透光導(dǎo)電膜155，其中保護(hù)絕緣膜154插入它們之間。
[0135]根據(jù)像素密度設(shè)置多個(gè)柵引線、源引線以及電容器引線。還是在端子部分中，分別安排了多個(gè)與柵引線相同電位的第一端子、與源引線相同電位的第二端子、與電容器引線相同電位的第三端子等。每個(gè)端子的數(shù)量可以是任何數(shù)量，且端子的數(shù)量可由從業(yè)者按需確定。
[0136]通過(guò)這六個(gè)光刻步驟，使用六個(gè)光掩膜可完成蝕刻了溝道的薄膜晶體管170和存儲(chǔ)器電容部分。此外，蝕刻了溝道的薄膜晶體管170是薄膜晶體管，使用具有培育狀態(tài)的In-Ga-Zn-O基氧化物半導(dǎo)體層形成該薄膜晶體管的溝道形成區(qū)，且通過(guò)高分辨率透射電子顯微鏡觀察到的截面的照片對(duì)應(yīng)于圖26。
[0137]然后，在對(duì)應(yīng)于像素的矩陣中設(shè)置薄膜晶體管170和存儲(chǔ)電容器部分，從而形成像素部分；因此，可形成用于制造有源矩陣顯示設(shè)備的一個(gè)襯底。為簡(jiǎn)便起見，在此說(shuō)明書中將這樣的襯底稱為有源矩陣襯底。
[0138]在制造有源矩陣液晶顯示設(shè)備的情況下，有源矩陣襯底和設(shè)置有對(duì)電極的對(duì)襯底被