一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體層31可由多次注入制作而成，并且每次注入的濃度可能不同。并且，控制所述半導(dǎo)體層31的厚度可用于調(diào)整肖特基二極管300的擊穿電壓。所述半導(dǎo)體層31的厚度越厚，肖特基二極管300的擊穿電壓越高。但是，較厚的半導(dǎo)體層31會(huì)降低肖特基二極管的正向?qū)щ娔芰Α?br>[0026]在圖3中，外保護(hù)環(huán)351的結(jié)深要比內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)352的結(jié)深要深。外保護(hù)環(huán)351的結(jié)深越深，則肖特基二極管300的擊穿電壓越高。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)調(diào)節(jié)外保護(hù)環(huán)351的結(jié)深來(lái)調(diào)節(jié)肖特基二極管300的擊穿電壓。外保護(hù)環(huán)351圍繞內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)352。內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)352包括多個(gè)斷裂保護(hù)帶。由于內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)352的結(jié)深比外保護(hù)環(huán)351的結(jié)深要淺，因此，肖特基二極管300具有較好的正向?qū)щ娔芰?。并且，由于結(jié)深較淺，內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)中的斷裂保護(hù)帶還可以具有比外保護(hù)環(huán)352窄的寬度，從而各斷裂保護(hù)帶間的間距可以縮小，不僅提高了肖特基二極管的集成密度，還可減小肖特基二極管的反向漏電流。通過(guò)對(duì)外保護(hù)環(huán)351和內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)352的合理布局，肖特基二極管300的陽(yáng)極區(qū)可以大大縮減而不影響其擊穿電壓、正向?qū)щ娔芰头聪蚵╇娏鳌?br>[0027]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的肖特基二極管400的布局示意圖。在一個(gè)實(shí)施例中，肖特基二極管400表征了圖3中的肖特基二極管300的俯視圖。也就是說(shuō)，從圖4中的S-S方向切入可得圖3中的肖特基二極管300的剖視圖。在圖4中，右上方向斜線填充區(qū)表征了陰極接觸區(qū)34，點(diǎn)狀填充區(qū)表征了保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)，左上方向斜線填充區(qū)表征了金屬肖特基接觸32。其中，外保護(hù)環(huán)351圍繞一系列平行的斷裂保護(hù)帶352，具有封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)。斷裂保護(hù)帶352具有比外保護(hù)環(huán)351更淺的結(jié)深和更窄的寬度。同時(shí)，由圖4可見，陰極接觸區(qū)34圍繞保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)。在另一個(gè)實(shí)施例中，從俯視角度，陰極接觸區(qū)34在保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)外部，部分圍繞保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)。金屬肖特基接觸32覆蓋了保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)的大部分區(qū)域，其中外保護(hù)環(huán)351位于金屬肖特基接觸32的邊緣，即外保護(hù)環(huán)351的外緣位于金屬肖特基接觸32的邊緣之外，而內(nèi)緣位于金屬肖特基接觸32的邊緣之內(nèi)。肖特基界面310位于金屬肖特基接觸32下方并且未被保護(hù)環(huán)區(qū)覆蓋的區(qū)域。從圖4中可以看出，肖特基界面310與與保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)是彼此交叉的。這里“交叉”的意思是，從肖特基二極管300的俯視圖(圖4)中可以找到這樣一個(gè)方向，從該方向可以切出至少三個(gè)界面，即外保護(hù)環(huán)界面，內(nèi)部斷裂保護(hù)帶界面和肖特基界面。在圖4中，當(dāng)從S-S方向切入時(shí)，可切出四個(gè)條狀保護(hù)環(huán)區(qū)域，依次為351、352、352和351。內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)352包括多個(gè)斷裂保護(hù)帶，將肖特基界面310分割成多個(gè)相互連通的區(qū)域。
[0028]如圖4所示，在內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)，每個(gè)斷裂保護(hù)帶包括多個(gè)短保護(hù)帶，相鄰保護(hù)帶的映射重疊部分長(zhǎng)度“a”足夠大，才能減小肖特基二極管的反向漏電流。同個(gè)斷裂保護(hù)帶內(nèi)的兩個(gè)相鄰短保護(hù)帶的距離的為斷裂保護(hù)帶的開口長(zhǎng)度“b”，該開口必須被相鄰的保護(hù)帶所完全映射遮擋。開口長(zhǎng)度“b”越大，則肖特基二極管的正向?qū)щ娔芰υ綇?qiáng)，但反向漏電流也會(huì)越大。而單條斷裂保護(hù)帶中，兩個(gè)開口之間的短保護(hù)帶長(zhǎng)度“c”為b+2a。相鄰的斷裂保護(hù)帶間距“d”越小，則肖特基二極管的反向漏電流越小。在一個(gè)實(shí)施例中，相鄰斷裂保護(hù)帶的映射重疊部分長(zhǎng)度“a”的取值區(qū)間為0.2 μπι?I ym ;斷裂保護(hù)帶中的開口長(zhǎng)度“b”的取值區(qū)間為0.5 μπι?2 μπι ;單條斷裂保護(hù)帶中兩個(gè)開口之間的短保護(hù)帶長(zhǎng)度“c”的取值區(qū)間為2Xb?3Xb ;并且相鄰的斷裂保護(hù)帶間距“d”的取值區(qū)間為0.5 μπι?b。
[0029]圖5A示出了當(dāng)肖特基二極管400處于正向?qū)顟B(tài)時(shí)保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)內(nèi)的耗盡層和有效陽(yáng)極區(qū)的示意圖。如圖5A所示，由左上方向斜線填充的耗盡層區(qū)域551與保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)相鄰。由于肖特基二極管400處于正向?qū)顟B(tài)，耗盡層551的寬度較小，相鄰的空白區(qū)域552均可用于導(dǎo)通電流?？瞻讌^(qū)域552即為肖特基二極管400處于正向?qū)顟B(tài)時(shí)用于導(dǎo)電的有效陽(yáng)極區(qū)域。
[0030]圖5B示出了當(dāng)肖特基二極管400處于反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)保護(hù)環(huán)區(qū)(351，352)內(nèi)的耗盡層的示意圖。如圖5B所示，右上斜線填充區(qū)域553表征了肖特基二極管反向截止時(shí)的耗盡區(qū)。由圖5B可見，在肖特基二極管400反向截止時(shí)，陽(yáng)極區(qū)，即虛線554所在區(qū)域，被耗盡層區(qū)域553完全包圍，故而可大大減小反向漏電流。若是耗盡層中具有空隙，則肖特基二極管的漏電流將增大。
[0031]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的肖特基二極管600的布局示意圖。肖特基二極管600包括由右上斜線填充區(qū)域表征的陰極區(qū)64，多個(gè)由點(diǎn)狀填充區(qū)域表征的保護(hù)環(huán)區(qū)65，多個(gè)由左上斜線填充區(qū)域表征的金屬肖特基接觸62，以及由空白區(qū)域表征的半導(dǎo)體層61。所述陰極區(qū)64可包括陰極接觸區(qū)和陰極接觸區(qū)上的金屬電極。陰極接觸區(qū)64呈柵格狀，具有多個(gè)格子640。每個(gè)格子640包含保護(hù)環(huán)區(qū)65。在圖6中，肖特基二極管600的陽(yáng)極被分割成多個(gè)陽(yáng)極島Al、A2和A3。每個(gè)陽(yáng)極島Al、A2或A3包括位于保護(hù)環(huán)區(qū)65之上并且與半導(dǎo)體層61交疊的金屬肖特基接觸62。在圖6中，每個(gè)保護(hù)環(huán)區(qū)65包括外保護(hù)環(huán)651和多個(gè)內(nèi)部斷裂保護(hù)帶652。在一個(gè)實(shí)施例中，陰極接觸區(qū)可以為其它形狀，例如網(wǎng)格狀，將陽(yáng)極區(qū)劃分為多個(gè)陽(yáng)極島。在一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極區(qū)部分圍繞陽(yáng)極島。在部分實(shí)施例中，可通過(guò)控制外保護(hù)環(huán)651的結(jié)深來(lái)調(diào)整肖特基二極管600的擊穿電壓。在部分實(shí)施例中，通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)部斷裂保護(hù)帶區(qū)域中的相鄰的斷裂保護(hù)帶間距、相鄰保護(hù)帶的映射重疊部分長(zhǎng)度、斷裂保護(hù)帶中的開口長(zhǎng)度和單條斷裂保護(hù)帶中兩個(gè)開口之間的短保護(hù)帶長(zhǎng)度，可調(diào)節(jié)肖特基二極管達(dá)到所需的正向?qū)щ娔芰?或反向漏電流。
[0032]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有網(wǎng)紋狀區(qū)域的肖特基二極管的制作方法，包括:
[0033]步驟701，制作陰極區(qū)；
[0034]步驟702，在N型半導(dǎo)體層中制作P摻雜的外保護(hù)環(huán)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述外保護(hù)環(huán)具有第一結(jié)深和第一摻雜濃度。在一個(gè)實(shí)施例中，所述外保護(hù)環(huán)具有封閉圓環(huán)形結(jié)構(gòu)或封閉方形環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
[0035]步驟703，在N型半導(dǎo)體層中制作P摻雜的內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)。所述內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)位于外保護(hù)環(huán)內(nèi)，并且具有第二結(jié)深，所述第二結(jié)深比第一結(jié)深要淺。在一個(gè)實(shí)施例中，所述內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)包括多個(gè)斷裂保護(hù)帶，并且所述斷裂保護(hù)帶的寬度窄于外保護(hù)環(huán)的寬度。在一個(gè)實(shí)施例中，所述制作方法還包括通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)部斷裂保護(hù)帶區(qū)域中的相鄰的斷裂保護(hù)帶間距、相鄰保護(hù)帶的映射重疊部分長(zhǎng)度和斷裂保護(hù)帶中的開口長(zhǎng)度，來(lái)調(diào)節(jié)肖特基二極管達(dá)到所需的反向漏電流和集成密度。相鄰保護(hù)帶的映射重疊部分長(zhǎng)度越大、斷裂保護(hù)帶中的開口長(zhǎng)度越小并且相鄰的斷裂保護(hù)帶間距越小，則反向漏電流越小，且器件的集成密度越大。
[0036]所述“網(wǎng)紋區(qū)”指的是該區(qū)域具有多個(gè)斷裂保護(hù)帶分布，從而使得俯視該區(qū)域時(shí)，該區(qū)域所處的耗盡層看起來(lái)具有網(wǎng)紋結(jié)構(gòu)，其中所述“網(wǎng)紋結(jié)構(gòu)”指的是所述區(qū)域，除開外保護(hù)環(huán)和斷裂保護(hù)帶，其它區(qū)域呈現(xiàn)網(wǎng)眼狀連接形狀。外保護(hù)環(huán)和內(nèi)部網(wǎng)紋區(qū)構(gòu)成了本發(fā)明實(shí)施例中的肖特基二極管的保護(hù)環(huán)區(qū)。該保護(hù)環(huán)區(qū)和肖特基界面相交叉。這里“交叉”的意思