電子部件和電子裝置的制造方法
【專利說明】電子部件和電子裝置
[0001]本發(fā)明專利申請是發(fā)明名稱為“電子部件、電子裝置以及電子部件的制造方法”、申請日為2011年8月19日、申請?zhí)枮椤?01110240090.8”的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及電子部件和電子裝置，例如涉及雙電層電容器等電化學電池。
【背景技術(shù)】
[0003]雙電層電容器是如下的器件:通過對電解質(zhì)中的離子進行極化而蓄電，通過對其進行放電而供給電力。
[0004]通過該蓄電放電功能，雙電層電容器例如用于電子設(shè)備的時鐘功能或半導體存儲器等的備用電源、微型計算機或IC存儲器等電子裝置的預(yù)備電源等。
[0005]特別是可進行表面安裝的雙電層電容器能夠?qū)崿F(xiàn)小型化和薄型化，因此，適于薄型的便攜終端。
[0006]為了應(yīng)對這種小型化和薄型化的期望，在下述專利文獻I中，提出了如下的雙電層電容器:如以下說明的那樣，在具有凹部的容器中收納極化用的電極和電解質(zhì)，并利用封口板密封開口部。
[0007]圖9是現(xiàn)有的雙電層電容器100的側(cè)面剖視圖。
[0008]在形成有凹部113的陶瓷制的凹狀容器102的底面設(shè)有金屬層111，在金屬層111的上表面接合有正極電極106。金屬層111貫通凹狀容器102而與凹狀容器102的底面的正極端子112電連接，因此，正極電極106經(jīng)由金屬層111與正極端子112電連接。
[0009]并且，封口板103通過金屬制的接合金屬層108與凹部113的開口部接合，對凹部113進行封口。
[0010]在封口板103的下側(cè)表面，形成有作為集電體發(fā)揮功能的金屬層115，在金屬層115的表面接合有負極電極105。
[0011]在凹狀容器102的側(cè)面形成有金屬層109，該金屬層109連接接合金屬層108與凹狀容器102的底面的負極端子110。
[0012]而且，負極電極105經(jīng)由金屬層115、接合金屬層108、金屬層109與負極端子110電連接。
[0013]在負極電極105與正極電極106之間設(shè)有防止它們短路的隔板107，并且，在凹部113中封入電解質(zhì)。
[0014]而且，雙電層電容器100在對負極端子110、正極端子112施加電壓時蓄電，對該蓄積的電荷進行放電從而維持時鐘功能并對存儲器等供給電力。
[0015]但是，凹部113的金屬層111由作為底層的媽層和形成在媽層上的招層構(gòu)成。
[0016]這是基于以下理由。S卩，金屬層111用作集電體，因此，需要由即使施加電壓也不會溶解于電解質(zhì)中的物質(zhì)形成。在正極的集電體的情況下，作為這種物質(zhì)有鋁，但是，鋁無法耐受凹狀容器102的燒制溫度(優(yōu)選為1000 [°C ]以上)。
[0017]因此，利用能夠耐受高溫的鈦制作底層，在凹狀容器102的燒制后，在鈦的底層上形成鋁層。
[0018]但是，在凹部113的底面形成鋁薄膜時，需要使用真空蒸鍍等的干式工藝，存在成本升高的問題。
[0019]【專利文獻I】日本特開2001-216952號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本發(fā)明的目的在于，提高雙電層電容器等的生產(chǎn)性。
[0021]在第I方面所述的發(fā)明中，提供一種電子部件，其特征在于，該電子部件具有:容器，其具有空洞部；第I導電體，其在所述容器的底部內(nèi)，配置在與所述空洞部的底面平行的方向上，在所述容器的外側(cè)側(cè)面導通到所述容器的外部；貫通孔，其形成于所述容器的底部，從所述空洞部的底面貫通到所述第I導電體；將碳作為導電材料的第I集電體，其形成于所述空洞部內(nèi)的底面的整個面上或者與所述貫通孔對應(yīng)的一部分上；第I電極，其與所述第I集電體接合；貫通電極，其形成于所述貫通孔，將所述第I導電體和所述第I集電體電連接；第2導電體，其從所述空洞部導通到所述容器的外部；第2集電體，其在所述空洞部內(nèi)與所述第2導電體接合；第2電極，其與所述第2集電體接合，且隔開預(yù)定距離與所述第I電極相對；以及電解質(zhì)，其與所述第I電極和第2電極接觸。
[0022]在第2方面所述的發(fā)明中，提供第I方面所述的電子部件，其特征在于，所述第I電極是正極，所述第2電極是負極。
[0023]在第3方面所述的發(fā)明中，提供第I或第2方面所述的電子部件，其特征在于，所述容器的底部是通過燒制層疊的陶瓷片材而形成的，所述第I導電體形成于所述層疊的層與層之間。
[0024]在第4方面所述的發(fā)明中，提供第I或第2方面所述的電子部件，其特征在于，所述第I集電體由將碳作為導電材料的樹脂形成。
[0025]在第5方面所述的發(fā)明中，提供第I或第2方面所述的電子部件，其特征在于，所述第I集電體形成于在所述容器的底部形成的凹部中。
[0026]在第6方面所述的發(fā)明中，提供第I或第2方面所述的電子部件，其特征在于，所述第I集電體層狀地形成有將碳作為導電材料的部件。
[0027]在第7方面所述的發(fā)明中，提供第I或第2方面所述的電子部件，其特征在于，所述第2集電體將碳作為導電材料。
[0028]在第8方面所述的發(fā)明中，提供第I或第2方面所述的電子部件，其特征在于，所述第I集電體是通過使比所述空洞部的深度淺地對該空洞部內(nèi)的底面的整個面供給的、在其周圍形成有彎月面的、將碳作為導電材料的導電膏固化而形成的，所述第I電極由通過供給所述導電膏而形成的凹形的彎月面定位。
[0029]在第9方面所述的發(fā)明中，提供一種電子裝置，其特征在于，該電子裝置具有:第I或第2方面所述的電子部件；蓄電單元，其向所述電子部件蓄積電荷；其他電子部件，其發(fā)揮預(yù)定功能；以及電力供給單元，其用所述蓄積的電荷對所述其他電子部件供給電力。
[0030]根據(jù)本發(fā)明，通過在凹部底面形成以碳為主要成分的集電體，能夠提高雙電層電容器的生產(chǎn)性。
【附圖說明】
[0031]圖1是用于說明第I實施方式的雙電層電容器的圖。
[0032]圖2是用于說明第I實施方式的變形例的圖。
[0033]圖3是用于說明第I實施方式的變形例的圖。
[0034]圖4是用于說明第I實施方式的集電體的形成方法的圖。
[0035]圖5是用于說明第I實施方式的集電體的形成方法的圖。
[0036]圖6是用于說明第2實施方式的雙電層電容器的圖。
[0037]圖7是用于說明第2實施方式的變形例的圖。
[0038]圖8是用于說明第2實施方式的集電體的形成方法的圖。
[0039]圖9是用于說明現(xiàn)有例的圖。
[0040]標號說明
[0041]1:雙電層電容器；2:凹狀容器；3:封口板；5:電極；6:電極；7:隔板；8:接合金屬層；9:金屬層；10:端子；11:金屬層；12:端子；13:凹部；15:金屬層；17 留部；18:集電體;19:彎月面;21、22:貫通電極；28:中間電極；31:滲透部件；33:突起部；41?45 ??片材;51、52:部分;61:貫通電極；100:雙電層電容器；102:凹狀容器；103:封口板；105:負極電極；106:正極電極；107:隔板；108:接合金屬層；109:金屬層；110:負極端子；111:金屬層；112:正極端子；113:凹部；115:金屬層。
【具體實施方式】
[0042](I)實施方式的概要
[0043]如圖1的(a)所示，凹狀容器2具有凹部13，在該凹部13的底部形成有在底面具有金屬層11的貯留部17。
[0044]金屬層11由鎢構(gòu)成，能夠耐受凹狀容器2的燒制溫度。
[0045]在金屬層11上形成有將碳作為導電材料的集電體18，在該集電體18上固定有用作正極的電極6。這些集電體18和電極6如下形成。
[0046]在對凹狀容器2進行燒制后，向貯留部17供給將碳作為導電材料的導電膏。設(shè)置貯留部17是因為，導電膏為液狀，因此，為了不向周圍泄漏而成為短路的原因，利用貯留部17將該導電膏集中在凹部13的中央部。
[0047]然后，通過對導電膏進行加熱而使導電膏固化，形成集電體18。并且，當在導電膏上放置電極6進行加熱時，導電膏固化，形成固定有電極6的集電體18。
[0048]—般地，作為能夠用作集電體的物質(zhì)，除了鋁以外還有碳，但是，如本實施方式那樣，當對金屬層11上供給導電膏并進行加熱后，形成集電體18，因此，不需要經(jīng)過對鋁進行真空蒸鍍等的干式工藝。
[0049]因此，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低和制造工序的簡化等，能夠提高雙電層電容器I的生產(chǎn)性。
[0050]另外，在導電膏上放置電極6的情況下，利用導電膏的表面張力將電極6定位在貯留部17的中央，因此，電極6的定位簡單，由此，生產(chǎn)性提高。
[0051]導電膏的粘度大約為400dPa.S，但是作業(yè)性差，因此，能夠使用稀釋劑等低沸點溶劑進行稀釋。通過該稀釋，粘度能夠降低到大約40dPa.s以下。這樣，在考慮作業(yè)性而降低導電膏的粘度的情況下，具有避免以下情況的效果:導電膏伴隨溶劑而沿著壁面上升，在上升的狀態(tài)下使其干燥固化的情況下，壁面處于導電性狀態(tài)，在層疊電極的情況下，存在短路的危險性。
[0052]并且，能夠通過CVD法形成不定形或結(jié)晶性的碳質(zhì)的被膜。