多層存儲器陣列及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種多層存儲器陣列及其制作方法，特別是有關(guān)于一種包含硬掩模層的多層存儲器陣列。
【背景技術(shù)】
[0002]三維多層存儲器陣列是由多個彼此平行的脊狀多層疊層(ridge-shapedmult1-layer stacks)所構(gòu)成。當三維多層存儲器陣列的尺寸縮小時，多層疊層的密度會增力口，且多層疊層的深寬比(aspect rat1 S卩，高度對寬度的比值)也會提高。制作深寬比漸增的脊狀多層疊層出現(xiàn)了許多挑戰(zhàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本說明書的一實施例，提供一種存儲器陣列的制作方法，其包括:于基材的表面上形成多層疊層，并且形成多個第一通孔，沿著多層疊層的垂直方向，由多層疊層的頂部表面到基材的表面貫穿多層疊層。這些第一通孔以等距的方式沿著基材的表面的第一方向配置成行(row)，并且以等距的方式沿著與第一方向直交(orthogonal)的第二方向配置成列(column)。這個方法還包括，形成多個犧牲柱狀體填充這些第一通孔，并且在具有這些犧牲柱狀體的多層疊層上形成硬掩模層。此硬掩模層具有多個硬掩模通孔，可將多層疊層位于每一列這些犧牲柱狀體中相鄰的犧牲柱狀體之間的多個區(qū)域暴露于外。此方法更包括，形成多個第二通孔，沿著多層疊層的垂直方向，由多層疊層的頂部表面到基材的表面貫穿多層疊層，以及移除填充于第一通孔中的犧牲柱狀體。這些第二通孔垂直地對準這些硬掩模通孔。第二通孔連接第一通孔而形成沿著第二方向延伸的多個溝道。這些溝道將多層疊層區(qū)隔成沿著第二方向延伸的多個脊狀疊層。
[0004]根據(jù)本說明書的另一實施例，提供一種存儲器陣列，其包括:沿著第一方向延伸的多個脊狀多層疊層以及形成于多個脊狀多層疊層頂部的硬掩模層。此硬掩模層包括:分別垂直地對準多個脊狀多層疊層的多個條帶，分別沿著與第一方向直交的第二方向連結(jié)相鄰的條帶的多個連接橋以及位于多個連接橋與多個條帶之間的多個硬掩模通孔。此存儲器陣列更包括位于多個脊狀多層疊層之間的多個溝道中，并且覆蓋脊狀多層疊層的多個側(cè)壁的存儲器層；位于這些溝道之中，沿著脊狀多層疊層的垂直方向延伸，且分別垂直地對準多個硬掩模通孔的多個導(dǎo)電柱狀體以及位于硬掩模層上，且沿著第二方向延伸的多個導(dǎo)電條帶。這些導(dǎo)電條帶與這些導(dǎo)電柱狀體沿著第二方向形成的一行電性連接。
[0005]根據(jù)本說明書的又一實施例，提供一種存儲器陣列，其包括:沿著第一方向延伸的多個脊狀疊層以及形成于多個脊狀多層疊層頂部的硬掩模層。此硬掩模層包括:分別垂直地對準多個脊狀多層疊層的多個條帶以及分別沿著與第一方向直交的第二方向連結(jié)相鄰的條帶的多個連接橋。此存儲器陣列更包括:位于多個脊狀多層疊層之間的多個溝道中，并且覆蓋脊狀多層疊層的多個側(cè)壁的存儲器層；位于這些溝道之中，沿著脊狀多層疊層的垂直方向延伸的多個導(dǎo)電柱狀體以及位于硬掩模層上，且沿著第二方向延伸的多個導(dǎo)電條帶。其中這些導(dǎo)電柱狀體沿著第二方向所形成的每一行與多于一個導(dǎo)電條帶重疊并且相互連接。
【附圖說明】
[0006]圖1是根據(jù)本說明書的一實施例的存儲器陣列初步制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)透視圖。
[0007]圖2A至圖2C是根據(jù)本說明書前述實施例的圖1后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖3A至圖3C是根據(jù)本說明書的前述實施例圖2A至圖2C的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖4A至圖4C是根據(jù)本說明書的前述實施例圖3A至圖3C的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖5A至圖5C是根據(jù)本說明書前述實施例圖4A至圖4C的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖6A至圖6C是根據(jù)本說明書前述實施例圖5A至圖5C的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖6D是根據(jù)本說明書的另一實施例圖5A至圖5C的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)上視圖。
[0013]圖7A至圖7C是根據(jù)本說明書的前述實施例圖6A至圖6C的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖8A至圖8E是根據(jù)本說明書的前述實施例圖7A至圖7C的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖9A至圖9D是根據(jù)本說明書的前述實施例圖8A至圖8E的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖1OA至圖1OC是根據(jù)本說明書的前述實施例圖9A至圖9D的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖1IA至圖1lD是根據(jù)本說明書的前述實施例圖1OA至圖1OC的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖12A至圖12E圖是根據(jù)本說明書的前述實施例圖1lA至圖1lD的后續(xù)制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖13是根據(jù)本說明書的又一實施例的存儲器陣列最終制作工藝階段中的工藝構(gòu)造所繪示的結(jié)構(gòu)透視圖。
[0020]【符號說明】
[0021]1:工藝構(gòu)造 2:工藝構(gòu)造
[0022]3:工藝構(gòu)造 4:工藝構(gòu)造
[0023]5:工藝構(gòu)造 6:工藝構(gòu)造
[0024]7:工藝構(gòu)造 8:工藝構(gòu)造
[0025]9:工藝構(gòu)造 10:工藝構(gòu)造
[0026]11:工藝構(gòu)造 12:工藝構(gòu)造
[0027]12’:工藝構(gòu)造100:基材
[0028]100a:基材 110:多層疊層
[0029]110’:脊狀疊層IlOa:通孔
[0030]IlOb:通孔 IlOc:溝道
[0031]111:導(dǎo)電層 112:導(dǎo)電層
[0032]113:導(dǎo)電層 114:導(dǎo)電層
[0033]115:導(dǎo)電層 116:導(dǎo)電層
[0034]117:導(dǎo)電層 118:導(dǎo)電層
[0035]121:絕緣層 122:絕緣層
[0036]123:絕緣層 124:絕緣層
[0037]125:絕緣層 126:絕緣層
[0038]127:絕緣層 128:絕緣層
[0039]130:硬掩模層 130a:通孔
[0040]140:犧牲柱體 150:硬掩模層
[0041]150a:條帶 150b:連接橋
[0042]150c:通孔 155:掩模層
[0043]155a:條帶 155b:連接橋
[0044]155b’:連接橋 155c’:通孔
[0045]160:存儲器層 170:導(dǎo)電脊狀部
[0046]170a:導(dǎo)電柱狀體170a’:導(dǎo)電柱狀體
[0047]180:導(dǎo)電層 180a:條帶
[0048]180a’:條帶 190:硬掩模層
[0049]190a:條帶 190b:連接橋
[0050]190c:通孔 200:通孔
[0051]200’:通孔 d2:距離
[0052]d2:距離 B-B’:切線
[0053]C-C’:切線 D-D’:切線
【具體實施方式】
[0054]以下配合圖式提供本技術(shù)實施例的詳細說明?？赡艿脑?，圖式中所有相同的組件符號將用來代表相同或相似的組件。
[0055]圖1是根據(jù)本說明書的一實施例繪示存儲器陣列初步制作工藝階段中的工藝構(gòu)造I的結(jié)構(gòu)透視圖。請參照圖1，多層疊層110形成于基材100上。疊層110包括多個導(dǎo)電層111-118以及多個絕緣層121-128。