平面vdmos器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種平面VDMOS器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在平面縱向雙擴散MOS場效應(yīng)晶體管(Vertical-Double-Diffused MOSFET,VDM0S)的結(jié)構(gòu)中，柵漏電容是衡量器件性能的一個關(guān)鍵參數(shù)，該電容過大，會導(dǎo)致平面VDMOS器件的動態(tài)特性變差。而柵漏電容，主要為多晶硅層與外延層之間的寄生電容。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，降低柵漏電容的方法主要有兩種，一種是增加?xùn)叛鯇拥暮穸龋瑥亩档蜄怕╇娙?，如圖1所示；另一種方法是局部增加?xùn)叛鯇拥暮穸?，如圖2所示。上述兩種方法都可以在一定程度上降低柵漏電容，然而上述兩種方法中柵漏電容的降低效果不大，且柵氧層厚度的增加，導(dǎo)致平面VDMOS器件的閾值電壓受到影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種平面VDMOS器件的制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中柵漏電容的降低效果不大，且平面VDMOS器件的閾值電壓受到影響的問題。
[0005]本發(fā)明的第一個方面是提供一種平面VDMOS器件的制造方法，包括:
[0006]在外延層的表面上生成柵氧層；
[0007]在所述柵氧層的表面上依次生成多晶娃層和光刻膠層,對所述光刻膠層和多晶石圭層進行光刻和刻蝕，形成體區(qū)注入窗口 ；
[0008]通過所述體區(qū)注入窗口對所述外延層進行第一離子的注入和驅(qū)入，形成體區(qū)；
[0009]在所述體區(qū)注入窗口中所述柵氧層的表面上生成光刻膠層，對所述柵氧層表面上和所述多晶硅層表面上的光刻膠層進行光刻和刻蝕，形成源區(qū)注入窗口 ；
[0010]通過所述源區(qū)注入窗口對所述外延層進行第二離子的注入和驅(qū)入，形成源區(qū)；
[0011]通過所述體區(qū)注入窗口對所述外延層進行第三離子的注入，形成深體區(qū)；
[0012]在所述多晶硅層的表面上依次生成介質(zhì)層和金屬層，并對所述金屬層進行光刻和刻蝕，形成柵極弓I線和源極弓I線，得到平面VDMOS器件。
[0013]結(jié)合第一個方面，在第一個方面的第一種實施方式中，所述在所述柵氧層的表面上依次生成多晶硅層和光刻膠層，對所述光刻膠層和多晶硅層進行光刻和刻蝕，形成體區(qū)注入窗口，包括:
[0014]在所述柵氧層的表面上依次生成多晶娃層和光刻膠層；
[0015]對所述光刻膠層進行光刻，對所述多晶硅層進行干法刻蝕，形成所述體區(qū)注入窗□。
[0016]結(jié)合第一個方面和第一種實施方式，在第一個方面的第二種實施方式中，所述在所述體區(qū)注入窗口中所述柵氧層的表面上生成光刻膠層，對所述柵氧層表面上和所述多晶硅層表面上的光刻膠層進行光刻和刻蝕，形成源區(qū)注入窗口，包括:
[0017]去掉所述多晶娃層表面上的光刻膠層；
[0018]在所述多晶硅層的表面上和所述體區(qū)注入窗口中所述柵氧層的表面上生成光刻膠層，對所述柵氧層表面上和所述多晶硅層表面上的光刻膠層進行光刻和刻蝕，形成所述源區(qū)注入窗口。
[0019]結(jié)合第一個方面，在第一個方面的第三種實施方式中，所述通過所述體區(qū)注入窗口對所述外延層進行第三離子的注入，形成深體區(qū)之前，所述方法還包括:
[0020]去掉所述柵氧層表面上和所述多晶娃層表面上的光刻膠層。
[0021]結(jié)合第一個方面，在第一個方面的第四種實施方式中，所述在所述多晶娃層的表面上依次生成介質(zhì)層和金屬層，并對所述金屬層進行光刻和刻蝕，形成柵極引線和源極引線，得到平面VDMOS器件，包括:
[0022]在所述多晶硅層的表面上生成介質(zhì)層，對所述介質(zhì)層進行光刻和刻蝕，形成接觸孔；
[0023]在所述介質(zhì)層的表面上生成金屬層，對所述金屬層進行光刻和刻蝕，形成柵極引線和源極引線，得到平面VDMOS器件。
[0024]結(jié)合第一個方面的第四種實施方式，在第一個方面的第五種實施方式中，所述介質(zhì)層的材料為氧化硅。
[0025]本發(fā)明中，在通過體區(qū)注入窗口對外延層進行第一離子的注入和驅(qū)入，形成體區(qū)之前，在多晶硅層的表面上生成光刻膠層，以避免進行第一離子的注入和驅(qū)入過程中在多晶硅層引入可動電荷，形成體區(qū)之后，進行第二離子的注入和驅(qū)入之前，在體區(qū)注入窗口中柵氧層的表面上生成光刻膠層，以避免進行第二離子的注入和驅(qū)入過程中在多晶硅層引入大量可動電荷，從而減少了平面VDMOS器件的多晶硅層中可動電荷的數(shù)量，降低了柵漏電容，提高平面VDMOS器件的動態(tài)特性，并且減小對平面VDMOS器件的閾值電壓的影響。
【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中整體增加?xùn)叛鯇雍穸群笃矫鎂DMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中局部增加?xùn)叛鯇雍穸群笃矫鎂DMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明提供的平面VDMOS器件的制造方法一個實施例的流程圖；
[0029]圖4為在外延層的表面上生成柵氧層時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為形成體區(qū)注入窗口時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6為形成體區(qū)時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖7為形成源區(qū)注入窗口時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖8為形成源區(qū)時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖9為形成深體區(qū)時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0035]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0036]圖3為本發(fā)明提供的平面VDMOS器件的制造方法一個實施例的流程圖，如圖3所示，包括:
[0037]301、在外延層的表面上生成柵氧層。
[0038]本發(fā)明提供的平面VDMOS器件的制造方法的執(zhí)行主體具體可以為用于制造平面VDMOS器件的設(shè)備。其中，在外延層的表面上生成柵氧層時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖4所示，包括:襯底I (N-Sub)、外延層2 (N-Epi)和柵氧層3，外延層2位于襯底I之上。
[0039]302、在柵氧層的表面上依次生成多晶娃層和光刻膠層，對光刻膠層和多晶娃層進行光刻和刻蝕，形成體區(qū)注入窗口。
[0040]其中，步驟302具體可以包括:在柵氧層3的表面上依次生成多晶硅層4和光刻膠層5 ;對光刻膠層5進行光刻，對多晶硅層4進行干法刻蝕，形成體區(qū)注入窗口 6。形成體區(qū)注入窗口 6時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖5所示。
[0041]303、通過體區(qū)注入窗口對外延層進行第一離子的注入和驅(qū)入，形成體區(qū)。
[0042]其中，形成體區(qū)7時平面VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖6所示?？蛇x的，第一離子可以為硼離子。
[0043]304、在體區(qū)注入窗