引線框架及其形成方法、芯片封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種引線框架、引線框架的形成方法和芯片封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架是封裝技術(shù)中的一種重要基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。它在電路中主要起承載IC芯片、連接芯片與外部線路板信號(hào)、以及安裝固定的作用等。
[0003]隨著電子元件的小型化、輕量化及多功能化的需求日漸增加，半導(dǎo)體封裝密度不斷增加，因而需要縮小封裝尺寸。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決的問(wèn)題是現(xiàn)有技術(shù)引線框架形成的封裝體尺寸較大。
[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種引線框架的形成方法，所述引線框架具有用于放置芯片的位置，所述引線框架的形成方法包括:提供基片；去除所述基片的一部分形成預(yù)留空間，從而形成第一結(jié)構(gòu)；對(duì)所述第一結(jié)構(gòu)進(jìn)行沖壓，所述第一結(jié)構(gòu)延展至所述預(yù)留空間，形成第二結(jié)構(gòu)；對(duì)所述第二結(jié)構(gòu)和所述基片進(jìn)行修整，分別形成第三結(jié)構(gòu)和第四結(jié)構(gòu)，所述第三結(jié)構(gòu)和第四結(jié)構(gòu)在芯片位置的相對(duì)側(cè)具有不在同一平面的表面，所述第三結(jié)構(gòu)的厚度小于第四結(jié)構(gòu)的厚度。
[0006]可選地，所述第三結(jié)構(gòu)和第四結(jié)構(gòu)各自包含同一個(gè)部件的不同部分，所述同一個(gè)部件的分別屬于第三結(jié)構(gòu)和第四結(jié)構(gòu)的不同部分之間形成臺(tái)階。
[0007]可選地，所述預(yù)留空間的尺寸根據(jù)所述基片的厚度、所述第三結(jié)構(gòu)的面積及厚度確定。
[0008]可選地，所述第二結(jié)構(gòu)的厚度為所述基片厚度的30%?70%。
[0009]可選地，所述第二結(jié)構(gòu)的的厚度為所述基片厚度的50%。
[0010]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種引線框架的形成方法，所述引線框架具有用于放置芯片的位置，所述引線框架的形成方法包括:提供基片；對(duì)所述基片的一部分進(jìn)行減?。粚?duì)所述部分經(jīng)過(guò)減薄的基片進(jìn)行裁剪，分別形成第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)在芯片位置的相對(duì)側(cè)具有不在同一平面的表面，所述第一結(jié)構(gòu)的厚度小于第二結(jié)構(gòu)的厚度。
[0011]可選地，所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)各自包含同一個(gè)部件的不同部分，所述同一個(gè)部件的分別屬于第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的不同部分之間形成臺(tái)階。
[0012]可選地，所述減薄采用刻蝕方法進(jìn)行。
[0013]可選地，所述減薄采用沖壓方法進(jìn)行。
[0014]可選地，所述減薄的厚度為所述基片厚度的30%?70%。
[0015]可選地，所述減薄的厚度為所述基片厚度的50%。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用如上方法形成的引線框架。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種引線框架，所述引線框架具有放置芯片的位置，所述引線框架包括:第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)，其中，所述第一結(jié)構(gòu)的厚度小于所述第二結(jié)構(gòu)的厚度，所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)在芯片位置的相對(duì)側(cè)具有不在同一平面的表面。
[0018]可選地，所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)各自包含同一個(gè)部件的不同部分，所述同一個(gè)部件的分別屬于第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)的不同部分之間形成臺(tái)階。
[0019]可選地，所述第一結(jié)構(gòu)的厚度為所述第二結(jié)構(gòu)厚度的30%?70%。
[0020]可選地，所述第一結(jié)構(gòu)的厚度為所述第二結(jié)構(gòu)厚度的50%。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種封裝方法，包括:提供芯片和引線框架，所述引線框架具有放置芯片的位置并包括:第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)，其中，所述第一結(jié)構(gòu)的厚度小于所述第二結(jié)構(gòu)的厚度，所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)在芯片位置的相對(duì)側(cè)具有不在同一平面的表面；將所述芯片裝載在所述第一結(jié)構(gòu)的芯片位置；采用封裝材料封裝所述芯片和所述引線框架的第一結(jié)構(gòu)，所述封裝材料包裹所述芯片、第一結(jié)構(gòu)的芯片位置及其相對(duì)側(cè)。
[0022]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0023]本發(fā)明實(shí)施例的弓I線框架的形成方法所形成的弓I線框架包括第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)在芯片位置的相對(duì)側(cè)具有不在同一平面的表面，所述第一結(jié)構(gòu)的厚度小于第二結(jié)構(gòu)的厚度。后續(xù)對(duì)引線框架和芯片進(jìn)行封裝時(shí)，封裝材料包裹所述芯片、第一結(jié)構(gòu)的芯片位置極其相對(duì)側(cè)，這樣，所述引線框架和封裝材料之間能夠相互扣合，因此在降低封裝體厚度的情況下仍然保證了引線框架和封裝材料之間的結(jié)合強(qiáng)度。
[0024]對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例的引線框架和芯片封裝方法也具有上述的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的引線框架的形成方法的流程示意圖；
[0026]圖2至圖8是本發(fā)明一實(shí)施例的引線框架在形成過(guò)程中的中間結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0027]圖9是本發(fā)明實(shí)施例中的芯片封裝方法所形成的封裝體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖10是圖9所示的封裝體沿CCl方向的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]本發(fā)明提供了一種弓I線框架及其形成方法，可以減少封裝體的尺寸。
[0030]為使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0031]需要說(shuō)明的是，提供這些附圖的目的是有助于理解本發(fā)明的實(shí)施例，而不應(yīng)解釋為對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)?shù)南拗?。為了更清楚起?jiàn)，圖中所示尺寸并未按比例繪制，可能會(huì)做放大、縮小或其他改變。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例形成引線框架的流程如圖1所示，包括:步驟SI，提供基片和引線框架圖案，所述引線框架圖案包括第一部分和第二部分，所述引線框架具有用于放置芯片的位置；步驟S2，根據(jù)所述引線框架圖案，去除基片的一部分形成預(yù)留空間，從而形成與引線框架圖案的第一部分相對(duì)應(yīng)的第一結(jié)構(gòu)；步驟S3，對(duì)所述第一結(jié)構(gòu)進(jìn)行沖壓，所述第一結(jié)構(gòu)延展至所述預(yù)留空間，形成第二結(jié)構(gòu)；步驟S4，根據(jù)引線框架圖案對(duì)所述第二結(jié)構(gòu)和所述基片進(jìn)行修整，分別形成與所述引線框架圖案的第一部分和第二部分對(duì)應(yīng)的第三結(jié)構(gòu)和第四結(jié)構(gòu)，所述第三結(jié)構(gòu)和第四結(jié)構(gòu)在芯片位置的相對(duì)側(cè)具有不在同一平面的表面，所述第三結(jié)構(gòu)的厚度小于第四結(jié)構(gòu)的厚度。
[0033]下面根據(jù)一具體實(shí)施例，以形成適用于雙極型晶體管(BJT)的引線框架為例，對(duì)本發(fā)明引線框架的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0034]步驟SI，參考圖2和圖3，提供基片10和引線框架圖案70，所述引線框架圖案70包括第一部分70a和第二部分70b，所述第一部分70a具有用于放置芯片的位置。
[0035]參考圖2，所述基片10具有第一表面1a和與所述第一表面1a相對(duì)的第二表面10b。所述基片10的材料具有良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和強(qiáng)度，且所述基片10的材料與封裝材料應(yīng)具有良好的熱匹配性。例如，所述基片10的材料可以為銅、或者鐵鎳合金(如，42#Fe-Ni)。所述基片10的厚度可以為0.003?0.020英寸。
[0036]參考圖3，所述引線框架圖案70與待形成的引線框架的形狀相對(duì)應(yīng)。本實(shí)施例中，以形成適用于雙極型晶體管的引線框架為例，所述引線框架圖案70具有三端結(jié)構(gòu)，分別用于與雙極型晶體管的基極、集電極和發(fā)射極相連。在其他實(shí)施例中，根據(jù)具體情況確定，所述引線框架圖案也可以為其他結(jié)構(gòu)。
[0037]本實(shí)施例中，所述引線框架圖案70包括:第一圖案71、第二圖案72、以及第三圖案73。所述第一圖案71具有第一部分71a和第二部分71b。類似地，所述第二圖案72和第三圖案73也分別具有第一部分72a、73a，和第二部分72b、73b。所述第一圖案71、第二圖案72和第三圖案73的第一部分71a、72a和73a共同構(gòu)成所述引線框架圖案70的第一部分70a ;所述第一圖案