陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。圖1為現(xiàn)有陣列基板的非顯示區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，陣列基板的非顯示區(qū)域包括形成在襯底基板10上的柵極材料區(qū)11、絕緣層12和鈍化層13等圖形。上述柵極材料區(qū)11、絕緣層12和鈍化層13 —般與顯示區(qū)域內(nèi)的柵極、絕緣層和鈍化層同層設(shè)置，且同步形成。在襯底基板10上形成這些圖形一般都需要使用掩模板進(jìn)行曝光工藝。
[0003]為在曝光工藝中，使各次掩模板工藝中所使用的掩模板能夠與襯底基板之間保持準(zhǔn)確且相同的對(duì)位關(guān)系，一般在第一次掩模板工藝中，在襯底基板10上首先形成第一對(duì)位標(biāo)記(圖1中柵極材料區(qū)11斷開的區(qū)域)。該第一對(duì)位標(biāo)記與各掩模板上本身具有的輔助對(duì)位標(biāo)記相配合，在之后的各次掩模板工藝中，通過(guò)比對(duì)第一對(duì)位標(biāo)記和輔助對(duì)位標(biāo)記，使各掩模板與襯底基板10之間的相對(duì)位置關(guān)系和第一次掩模板工藝中所使用的掩模板與襯底基板10之間的相對(duì)位置關(guān)系相同，從而可以使之后各次掩模板工藝所形成的圖形的位置準(zhǔn)確，進(jìn)而提尚所制備的TFT、像素電極等圖形的準(zhǔn)確性和精度。
[0004]但由于掩模板上存在輔助對(duì)位標(biāo)記，在后續(xù)的掩模板工藝中，會(huì)在襯底基板10上形成與所述輔助對(duì)位標(biāo)記對(duì)應(yīng)的輔助對(duì)位圖案(例如圖1中貫穿鈍化層13和絕緣層12的深孔)，且輔助對(duì)位圖案一般位于陣列基板的非顯示區(qū)域。在所述非顯示區(qū)域，如圖1所示，位于最上的兩層一般為鈍化層13和柵極絕緣層12，其二者刻蝕性質(zhì)相同，在刻蝕工藝時(shí)，會(huì)直接把鈍化層13和柵極絕緣層12都刻蝕掉，導(dǎo)致所形成的輔助對(duì)位圖案的深度較大。而對(duì)于TFT-LCD，陣列基板制備工藝還包括在TFT等圖形制備完成之后進(jìn)行的制備取向?qū)拥墓に?。一般地，采用摩擦取向的方式在PI (聚酰亞胺)膜上形成取向槽，從而獲得取向?qū)?。但上述深度較大的輔助對(duì)位圖案會(huì)在摩擦取向時(shí)使摩擦布上的刷毛彎曲和變形，從而使該位置形成的取向槽存在偏差，導(dǎo)致液晶分子的偏轉(zhuǎn)，從而使該區(qū)域出現(xiàn)顯示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，其輔助對(duì)位圖案的凹陷深度較小，可以改善由此而導(dǎo)致的顯示不良。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種陣列基板，其包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域和輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域；所述輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域包括由下至上依次層疊設(shè)置的絕緣層、第一刻蝕阻擋層和鈍化層，所述鈍化層上形成輔助對(duì)位圖案；所述第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域包括由下至上依次層疊設(shè)置的第一對(duì)位標(biāo)記、絕緣層和鈍化層O
[0007]其中，所述第一刻蝕阻擋層與顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管的源極和漏極同層設(shè)置，且材料相同；通過(guò)在形成顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管的源極和漏極的工藝中，在輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域保留源極和漏極材料層，形成所述第一刻蝕阻擋層。
[0008]其中，第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域也包括由源極和漏極材料層形成的第二刻蝕阻擋層。
[0009]其中，所述第一對(duì)位標(biāo)記包括顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管的柵極圖案化過(guò)程中在第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域所形成的凸起。
[0010]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，其包括:
[0011]在顯示區(qū)域內(nèi)形成包括柵極的圖形，并同時(shí)在第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域內(nèi)形成第一對(duì)位標(biāo)記的圖形的步驟；
[0012]形成絕緣層的步驟；
[0013]在顯示區(qū)域內(nèi)形成包括源極和漏極的圖形的步驟；
[0014]在形成包括源極和漏極的圖形的步驟中，在輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域保留源極和漏極材料層，形成第一刻蝕阻擋層。
[0015]其中，所述陣列基板的制備方法還包括:
[0016]在顯示區(qū)域內(nèi)形成包括源極和漏極的圖形的步驟之后進(jìn)行的形成鈍化層的步驟；
[0017]在輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域，通過(guò)刻蝕鈍化層形成輔助對(duì)位圖案的步驟。
[0018]其中，所述陣列基板的制備方法還包括:
[0019]在顯示區(qū)域內(nèi)形成源極和漏極的圖形的步驟中，在第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域保留源極和漏極材料層，形成第二刻蝕阻擋層。
[0020]其中，形成包括第一對(duì)位標(biāo)記的圖形的步驟具體包括:
[0021]通過(guò)在顯示區(qū)域內(nèi)形成包括柵極的圖形的步驟中，在第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域保留柵極材料層，形成所述第一對(duì)位標(biāo)記。
[0022]其中，在顯示區(qū)域內(nèi)形成包括柵極的圖形的步驟中，通過(guò)濕法刻蝕形成包括所述柵極和第一對(duì)位標(biāo)記的圖形。
[0023]其中，在顯示區(qū)域內(nèi)形成包括源極和漏極的圖形的步驟中，通過(guò)濕法刻蝕形成包括源極、漏極和第一刻蝕阻擋層的圖形。
[0024]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示面板，其包括上述陣列基板。
[0025]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括上述顯示面板。
[0026]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0027]本發(fā)明提供的陣列基板，其輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域包括第一刻蝕阻擋層，可以減小輔助對(duì)位圖案的凹陷深度，從而在通過(guò)摩擦取向制備取向?qū)訒r(shí)，就可以降低摩擦布上刷毛的彎曲、變形，從而可以減小取向槽的誤差，有助于避免出現(xiàn)顯示不良。
[0028]本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法，其在輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域保留源漏極材料層，形成第一刻蝕阻擋層，可以減小輔助對(duì)位圖案的凹陷深度，從而在通過(guò)摩擦取向制備取向?qū)訒r(shí)，就可以降低摩擦布上刷毛的彎曲、變形，從而可以減小取向槽的誤差，有助于避免出現(xiàn)顯示不良。
[0029]本發(fā)明提供的顯示面板，其包括本發(fā)明提供的上述陣列基板，可以減小在摩擦取向過(guò)程中由于輔助對(duì)位圖案引起的取向槽的誤差，從而改善顯示效果。
[0030]本發(fā)明提供的顯示裝置，其包括本發(fā)明提供的上述顯示面板，可以減小在摩擦取向過(guò)程中由于輔助對(duì)位圖案引起的取向槽的誤差，從而改善顯示效果。
【附圖說(shuō)明】
[0031]附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0032]圖1為現(xiàn)有陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板的示意圖；
[0034]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中形成的對(duì)位標(biāo)記的圖形；
[0035]圖4為圖2所示實(shí)施方式中形成的第一對(duì)位標(biāo)記的示意圖；
[0036]圖5為本發(fā)明實(shí)施方式中陣列基板的制備方法的流程圖。
[0037]10:襯底基板；11:棚■極材料區(qū)；12:絕緣層；13:純化層；14:第一對(duì)位標(biāo)記；20:第一刻蝕阻擋層；21:第二刻蝕阻擋層'k:顯示區(qū)域:非顯示區(qū)域:第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域；B2:輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0038]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0039]本發(fā)明提供一種陣列基板的實(shí)施方式，圖2為本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板的示意圖。如圖2所示，在本實(shí)施方式中，所述陣列基板包括顯示區(qū)域A和位于所述顯示區(qū)域A周邊的非顯示區(qū)域B，所述非顯示區(qū)域B包括第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域BI和輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域B2 ;其中，所述輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域B2包括由下至上依次層疊設(shè)置的絕緣層12、第一刻蝕阻擋層20和鈍化層13，所述鈍化層13上形成有輔助對(duì)位圖案(即貫穿鈍化層13的孔);所述第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域BI包括由下至上依次層疊設(shè)置的第一對(duì)位標(biāo)記14、絕緣層12和鈍化層13。
[0040]所述第一刻蝕阻擋層20可以與顯示區(qū)域A內(nèi)的薄膜晶體管的源極和漏極(圖中未示出)同層設(shè)置，且材料相同；具體地，可以通過(guò)在顯示區(qū)域內(nèi)形成源極和漏極的工藝中，在輔助對(duì)位標(biāo)記區(qū)域Β2保留源極和漏極材料層，形成所述第一刻蝕阻擋層20。
[0041]由于絕緣層12和鈍化層13之間存在第一刻蝕阻擋層20，在通過(guò)刻蝕工藝形成輔助對(duì)位圖案時(shí)，第一刻蝕阻擋層20可以保護(hù)絕緣層12，使其不被刻蝕，從而使所形成的輔助對(duì)位圖案的深度僅限于鈍化層13，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣減小了輔助對(duì)位圖案的凹陷深度，從而在后續(xù)的摩擦取向工藝中，可以降低摩擦布上刷毛的彎曲、變形，減小取向槽的誤差，最終改善顯示效果。
[0042]具體地，第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域BI也可以包括由源極和漏極材料層形成的第二刻蝕阻擋層21。在實(shí)際中，只需在顯示區(qū)域A內(nèi)形成源極和漏極的工藝中，在第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域Β2也保留源極和漏極材料層即可。
[0043]實(shí)際中，第一刻蝕阻擋層20和第二刻蝕阻擋層21可能會(huì)對(duì)第一對(duì)位標(biāo)記的識(shí)別造成影響，因此，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選地，第一對(duì)位標(biāo)記14包括顯示區(qū)域A內(nèi)的薄膜晶體管的柵極圖案化過(guò)程中在第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域BI所形成的凸起。
[0044]具體地，在顯示區(qū)域A內(nèi)制備制備柵極圖形時(shí)，首先，在襯底基板10上沉積一層導(dǎo)電材料(一般為金屬)。而后，在該導(dǎo)電材料層上涂覆一層光刻膠。其次，通過(guò)曝光機(jī)和掩模板進(jìn)行曝光；需要說(shuō)明的是，所述掩模板上與顯示區(qū)域A對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有用于形成柵極圖形的圖案，與第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域BI對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有用于形成第一對(duì)位標(biāo)記14圖形對(duì)應(yīng)的圖案，這樣在曝光之后，光刻膠層上變性的區(qū)域除了顯示區(qū)域A內(nèi)的與所要形成的柵極圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域外，還有第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域BI。這樣，在經(jīng)過(guò)顯影一刻蝕(濕法刻蝕)一除膠等步驟后，在襯底基板10上位于顯示區(qū)域A內(nèi)的區(qū)域形成柵極圖形的同時(shí)，在第一對(duì)位標(biāo)記區(qū)域BI還可以形成第一對(duì)位標(biāo)記14的圖形。而所述第一對(duì)位標(biāo)記14的圖形的材料與顯示區(qū)域A內(nèi)薄膜晶體管的柵極的材料相同，其具體為柵極材料層所形成的凸起。
[0045]具體地，在顯示區(qū)域A內(nèi)形成柵極圖形時(shí)，通過(guò)濕法刻蝕形成柵極圖形。在現(xiàn)有技術(shù)中，第一對(duì)位標(biāo)記為相對(duì)于柵極圖形的凹陷(即如圖1所示的柵極材料區(qū)11的斷開處)；而由于使用濕法刻蝕金屬需要在金屬邊緣形成一定的坡度角，坡度角的上下邊沿會(huì)形成同心輪廓；對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的第一對(duì)位標(biāo)記而言，凹坑圖案周圍金屬都需要保留，只有凹坑區(qū)域需要去掉，刻蝕溶液流動(dòng)性較差，金屬膜層表面的刻蝕速率大于金屬底部的刻蝕速