一種像素界定層結構及其制作方法、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素界定層結構及其制作方法、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]采用溶液加工制作OLED以及QLED顯示器，由于其低成本、高產能、易于實現大尺寸等優(yōu)點，是未來顯示技術發(fā)展的重要方向。其中，印刷技術被認為是實現OLED以及QLED低成本和大面積全彩顯示的最有效途徑。
[0003]在印刷工藝中，由于受設備精度以及液滴尺寸的影響，對于傳統(tǒng)的RGB Stripe(RGB條狀)排列的像素結構，很難實現高分辨率顯示器件的制備。當顯示器件的分辨率達到200 ppi時，各子像素的寬度會減小到42 μm，同時由于像素界定層的存在，子像素的真實寬度會進一步減小到35 μ m左右，而對于10 pL體積的墨水，其直徑就達27 μ m。如果再進一步提高分辨率，子像素尺寸會進一步減小，所以就很難控制各子像素內墨水相互獨立而不溢出像素。
[0004]中國專利(CN 104009066A)中公開了一種像素排布結構，通過將相連像素的子像素共用Mask (掩膜)上的開口，從而有效提高顯示器件的分辨率。但是，在印刷工藝中，單純的引入這種像素排布結構，隨著分辨率的增大，各子像素內的墨水還是會因像素尺寸變小而溢出像素坑，與相鄰不同顏色的子像素發(fā)生顏色串擾，引起顯示器件顯示效果下降，因此在印刷工藝中直接應用這種結構，還是無法減小子像素的尺寸同時保持不同顏色子像素間沉積墨水的相互獨立，因此這種像素結構無法實現高分辨率顯示器的印刷工藝的制作。
[0005]在印刷工藝制備OLED的顯示屏的工藝中，中國專利(CN 104393192 A，CN104409653 A)公布了一種像素結構設計，即各子像素采用雙層像素界定層，第一層為親水薄膜，第二層為疏水薄膜，從而實現墨水在像素電極附近的良好鋪展與成膜，同時由于像素的第二界定層的疏水性，墨水在像素上形成較大接觸角，從而防止墨水溢出，有效實現OLED顯示屏的印刷工藝制備。但這種像素結構同樣無法避免因顯示器件分辨率增大引起像素面積減小，進而導致墨水因體積過大溢出像素坑，最終造成顯示器件像素顏色串擾的問題。
[0006]因此，現有技術還有待于改進和發(fā)展。

【發(fā)明內容】

[0007]鑒于上述現有技術的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種像素界定層結構及其制作方法、顯示面板及顯示裝置，旨在解決現有技術中因顯示器件分辨率增大而引起像素面積減小、進而導致墨水溢出像素坑造成顏色串擾的問題。
[0008]本發(fā)明的技術方案如下:
一種像素界定層結構，其中，包括第一像素界定層和位于第一像素界定層上的第二像素界定層，所述第一像素界定層具有與各個子像素的發(fā)光區(qū)域一一對應的多個第一開口，所述第二像素界定層具有為相同顏色子像素連成一片的區(qū)域共用的多個第二開口。
[0009]所述的像素界定層結構，其中，所述第一像素界定層的厚度為50~500nm。
[0010]所述的像素界定層結構，其中，所述第二像素界定層的厚度為1000~5000nm。
[0011 ] 所述的像素界定層結構，其中，所述第一像素界定層為親水性薄膜層，所述第二像素界定層為疏水性薄膜層。
[0012]所述的像素界定層結構，其中，所述親水性薄膜層為負性光阻薄膜，所述疏水性薄膜層為正性光阻薄膜。
[0013]—種顯示面板，其中，其包括形成在陣列基板上的如上所述的像素界定層結構。
[0014]所述的顯示面板，其中，所述陣列基板上的像素結構包括三種顏色的子像素構成的多個像素單元；每一像素單元由三種子像素成品字型排列形成正方形結構。
[0015]所述的顯示面板，其中，所述子像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素。
[0016]一種顯示裝置，其中，包括如上所述的顯示面板。
[0017]—種像素界定層結構的制備方法，其中，包括步驟:
在陣列基板上形成一層親水性薄膜層，并對其進行曝光顯影形成具有與各個子像素的發(fā)光區(qū)域一一對應的多個第一開口的第一像素界定層；
在形成有第一像素界定層的陣列基板上形成一層疏水性薄膜層，并對其進行曝光顯影形成具有為相同顏色子像素連成一片的區(qū)域共用的多個第二開口的第二像素界定層。
[0018]有益效果:通過本發(fā)明中的像素界定層結構，將同種顏色的多個子像素結合在一起同時印刷，從而成倍的增大了墨水的沉積區(qū)域。因此本發(fā)明可以有效減小各子像素的尺寸同時保證墨水不會因子像素面積過小而發(fā)生溢出，最終實現印刷型高分辨率顯示器件的制備。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明的像素界定結構的較佳實施例的結構示意圖。
[0020]圖2為本發(fā)明的像素界定層結構的制作方法較佳實施例的流程圖。
[0021]圖3至圖7為本發(fā)明的像素界定層結構制作方法的不同狀態(tài)側面剖視圖。
【具體實施方式】
[0022]本發(fā)明提供一種像素界定層結構及其制作方法、顯示面板及顯示裝置，為使本發(fā)明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發(fā)明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0023]本發(fā)明所提供的一種像素界定層結構，如圖1所示，包括第一像素界定層和位于第一像素界定層120上的第二像素界定層130，所述第一像素界定層120具有與各個子像素(如圖1中的藍色子像素111、綠色子像素112、紅色子像素113)的發(fā)光區(qū)域一一對應的多個第一開口，所述第二像素界定層130具有為相同顏色子像素連成一片的區(qū)域共用的多個第二開口。
[0024]通過本發(fā)明的結構設計，可將同種顏色的多個子像素結合在一起同時印刷，從而成倍的增大了墨水的沉積區(qū)域。因此，通過這種結構可以有效減小單個子像素的尺寸同時保證墨水不會因子像素面積過小而發(fā)生溢出，最終實現印刷型高分辨率顯示器件的制備。
[0025]其中的第一像素界定層120為親水材料制備(親水性薄膜層)，開口與各子像素的發(fā)光區(qū)域一一對應，第一像素界定層120定義了各子像素的發(fā)光區(qū)域；第二像素界定層130為疏水材料制備(疏水性薄膜層)，其中聚集在一起的具有相同顏色的子像素共用一個第二像素界定層130的開口，第二像素界定層130定義了印刷工藝中墨水的沉積區(qū)域，即第二像素界定層130的開口區(qū)域為多個子像素共用，從而大幅提高墨水的沉積面積，防止墨水溢出。
[0026]第一像素界定層120的厚度為50nm~500nm，第二像素界定層130的厚度為1000nm~5000nm。在印刷制備過程中，共用開口區(qū)域內的子像素是同時進行印刷制備的，由于第一像素界定層120為親水材料制備，因此墨水沉積到這些區(qū)域后會在整個區(qū)域形成良好的鋪展，由于共用的開口區(qū)域面積相對于單個子像素的面積成倍增大，結合第二像素界定層130的疏水性，因此可以沉積更多的墨水而不發(fā)生溢出。所以，采用本發(fā)明的結構，可以縮小子像素的尺寸同時保持墨水在沉積區(qū)域不發(fā)生溢出，從而提高顯示器件的分辨率。
[0027]所述親水性薄膜層為負性光阻薄膜，所述疏水性薄膜層為正性光阻薄膜。這樣在曝光顯影時互不影響。
[0028]本發(fā)明還提供上述像素界定層結構的制備方法，如圖2所示，其包括:
5101、在陣列基板上形成一層親水性薄膜層，并對其進行曝光顯影形成具有與各個子像素的發(fā)光區(qū)域一一對應的多個第一開口的第一像素界定層；
5102、在形成有第一像素界定層的陣列基板上形成一層疏水性薄膜層，并對其進行曝光顯影形成具有為相同顏色子像素連成一片的區(qū)域共用的多個第二開口的第二像素界定層。
[0029]具體來說，如圖3所示，首先在已經制作了 TFT陣列210以及圖案化透明陽極220(用于形成各種顏色的子像素)的陣列基板200上沉積一層親水性薄膜層，其中，所述親水性薄膜層為負性光阻薄膜，隨后對這層親水性薄膜層進行曝光顯影，形成與透明陽極220一一對應的開口，如圖4所示，形成第一像素界定層120，圖5為制作了第一像素界定層120的陣列基板