金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件的布局和垂直結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件在尺寸上減小，在MOSFET器件的操作期間，間隔近的接觸件之間的寄生電容的影響增大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件的布局。
[0004]發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例提供MOSFET器件的垂直結(jié)構(gòu)。
[0005]發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)目的不限于以上公開內(nèi)容；對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，其他目的可以基于下面的描述變得明了。
[0006]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一方面，具有一種布局的MOSFET器件可以包括:第一有源區(qū)；第一柵電極，沿Y方向延伸以與第一有源區(qū)交叉并在第一有源區(qū)中限定第一源極區(qū)和第一漏極區(qū)；第一柵極接觸件，位于第一柵電極上并排列在在沿Y方向延伸的第一虛擬的柵極穿過線上；第一源極接觸件，位于位于第一源極區(qū)上并排列在沿Y方向延伸的第一虛擬的源極穿過線上；以及第一漏極接觸件，位于位于第一漏極區(qū)上并排列在沿Y方向延伸的第一虛擬的漏極穿過線上。所述第一漏極接觸件中的至少一個(gè)第一漏極接觸件位于第一虛擬線中的任意一條第一虛擬線上，所述第一虛擬線沿X方向平行地延伸并且均在第一源極接觸件中的兩個(gè)相鄰的第一源極接觸件之間穿過，其中，X方向與Y方向垂直。
[0007]在實(shí)施例中，所述MOSFET器件還可以包括:第二有源區(qū)，與第一有源區(qū)相鄰；第二柵電極，沿Y方向延伸以跨過第二有源區(qū)并在第二有源區(qū)中限定第二源極區(qū)和第二漏極區(qū)；第二柵極接觸件，位于第二柵電極上并排列在沿Y方向延伸的第二虛擬的柵極穿過線上；第二源極接觸件，位于第二源極區(qū)上并排列在沿Y方向延伸的第二虛擬的源極穿過線上；以及第二漏極接觸件，位于第二漏區(qū)上并排列在沿Y方向延伸的第二虛擬的漏極穿過線上。所述第二漏極接觸件中的至少一個(gè)第二漏極接觸件可以位于所述第二虛擬線中的任意一條第二虛擬線上。
[0008]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一方面，MOSFET器件包括:有源區(qū)；柵電極，沿Y方向延伸以跨過有源區(qū)并在有源區(qū)中限定源極區(qū)和漏極區(qū)；源極接觸件，在源極區(qū)上沿Y方向延伸；漏極接觸件，在漏極區(qū)上沿Y方向延伸。
[0009]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的又一方面，MOSFET器件可包括:有源區(qū)；柵電極，沿Y方向延伸以跨過有源區(qū)并限定源極區(qū)和漏極區(qū)；柵極接觸件，位于柵電極上；以及第一漏極接觸件，位于漏極區(qū)上。
[0010]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的再一方面，MOSFET器件可包括:有源區(qū)；第一至第三柵電極，沿Y方向延伸以跨過有源區(qū)并限定第一源極區(qū)、第一漏極區(qū)、第二源極區(qū)和第二漏極區(qū)；在第一源極區(qū)中的第一源極接觸件和在第二源極區(qū)中的第二源極接觸件；以及在第一漏極區(qū)中的第一漏極接觸件和在第二漏極區(qū)中的第二漏極接觸件。
[0011]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的再一方面，MOSFET器件可包括:有源區(qū)；柵電極，沿Y方向延伸以跨過有源區(qū)并限定源極區(qū)和漏極區(qū)；柵極接觸件，位于柵電極上以沿Y方向排列；源極接觸件，位于源極區(qū)上以沿Y方向排列；以及漏極接觸件，位于漏極區(qū)上以沿Y方向排列，其中，柵極接觸件可以與源極接觸件和漏極接觸件中的任意一者在與Y方向垂直的X方向上對(duì)齊。
[0012]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的再一方面，MOSFET器件可包括:第一有源區(qū)；第一柵電極，沿Y方向延伸以跨過第一有源區(qū)，第一柵電極在第一有源區(qū)中限定第一源極區(qū)和第一漏極區(qū)；第一柵極接觸件，位于第一柵電極上，第一柵極接觸件排列在沿Y方向延伸的第一虛擬的柵極穿過線上；第一源極接觸件，位于第一源極區(qū)上，第一源極接觸件排列在沿Y方向延伸的第一虛擬的源極穿過線上；以及第一漏極接觸件，位于第一漏極區(qū)上，第一漏極接觸件排列在沿Y方向延伸的第一虛擬的漏極穿過線上。從柵極接觸件中的一個(gè)柵極接觸件到與柵極接觸件中的所述一個(gè)柵極接觸件最為接近的兩個(gè)源極接觸件的距離基本相同。
[0013]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的再一方面，MOSFET器件可包括:第一有源區(qū)；第一柵電極，沿Y方向延伸以跨過第一有源區(qū)，第一，第一柵電極在第一有源區(qū)中限定第一源極區(qū)和第一漏極區(qū)；第一柵極接觸件，位于第一柵電極上，第一柵極接觸件排列在沿Y方向延伸的第一虛擬的柵極穿過線上；第一源極接觸件，位于第一源極區(qū)上，第一源極接觸件排列在沿Y方向延伸的第一虛擬的源極穿過線上；以及第一漏極接觸件，位于第一漏極區(qū)上，第一漏極接觸件排列在沿Y方向延伸的第一虛擬的漏極穿過線上。第一源極接觸件中的至少一些第一源極接觸件與第一漏極接觸件中相應(yīng)的一個(gè)第一漏極接觸件在與Y方向垂直的X方向上對(duì)齊，其中，第一柵極接觸件不與第一源極接觸件或第一漏極接觸件中的任意一個(gè)在X方向上對(duì)齊。
[0014]其他實(shí)施例的細(xì)節(jié)包括在詳細(xì)的解釋和附圖中。
【附圖說明】
[0015]根據(jù)對(duì)如附圖中所示的發(fā)明構(gòu)思的優(yōu)選實(shí)施例的更具體的描述，發(fā)明構(gòu)思的前述和其他特征及優(yōu)勢將明了，在附圖中，在所有不同的視圖中，同樣的附圖標(biāo)記指示相同的部件。附圖不一定按照比例繪制，而是側(cè)重于示出發(fā)明構(gòu)思的原理。在附圖中:
[0016]圖1A至圖1L是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的各種實(shí)施例的MOSFET器件的布局圖；
[0017]圖2A至圖2J是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另外實(shí)施例的MOSFET器件的布局圖；
[0018]圖3A是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的MOSFET器件的布局圖，圖3B至圖3D是分別沿著圖3A的線1-1’、11-11’和II1-1II’截取的概念性垂直剖視圖；
[0019]圖4A至圖4E是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的額外實(shí)施例的MOSFET的布局圖；
[0020]圖5A是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的概念性視圖；
[0021]圖5B和圖5C是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的電子系統(tǒng)的概念性框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]在下面的描述中，主要參照“布局圖”來描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述布局圖是指器件的平面視圖，或者，換言之，是指從上方沿著與基底的頂表面垂直的軸朝著器件的基底的頂表面向下看每個(gè)器件的視圖。還通過術(shù)語“X方向”和“Y方向”來描述器件，所述“X方向”和“Y方向”是與基底的頂表面平行并且彼此垂直的方向。在下面的描述中，為了有助于對(duì)發(fā)明構(gòu)思的理解，-Y方向是指圖中的向下方向(即，朝向圖紙的底部)，+Y方向是指向上方向。在下面的描述中，如果與基底的頂表面垂直的軸穿過兩個(gè)元件，則所述兩個(gè)元件“垂直地疊置”。
[0023]在發(fā)明構(gòu)思的一方面中，MOSFET器件可以具有對(duì)稱的形狀、結(jié)構(gòu)和特性。例如，源極和漏極在發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中可以彼此兼容。因此，源極接觸件的位置和特性可以與漏極接觸件的位置和特性兼容。
[0024]圖1A至圖1L是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的各種實(shí)施例的MOSFET器件的布局圖。
[0025]參照圖1A，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的MOSFET器件包括有源區(qū)10、沿Y方向延伸以與有源區(qū)10交叉的柵電極23、由柵電極23限定的源極區(qū)15和漏極區(qū)16、與柵電極23垂直地疊置的多個(gè)柵極接觸件31、與源極區(qū)15垂直地疊置的多個(gè)源極接觸件35以及與漏極區(qū)16垂直地疊置的多個(gè)漏極接觸件36。MOSFET器件可以包括與柵電極23和柵極接觸件31垂直地疊置的柵極互連件41、與源極區(qū)15和源極接觸件35垂直地疊置的源極互連件45以及與漏極區(qū)16和漏極接觸件36垂直地疊置的漏極互連件46。有源區(qū)10的與柵電極23垂直地疊置的部分可以是溝道區(qū)11。
[0026]有源區(qū)10可以具有例如四邊形的形狀。
[0027]柵電極23可以具有沿Y方向延伸以與有源區(qū)10的中間部分交叉的條形形狀或線形形狀。
[0028]源極區(qū)15可以是有源區(qū)10的在柵電極23的第一側(cè)上的一部分，漏極區(qū)16可以是有源區(qū)10的在柵電極23的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上的另一部分。源極區(qū)15和漏極區(qū)16可以關(guān)于沿Y方向二等分柵電極23的線對(duì)稱地設(shè)置。例如，源極區(qū)15和漏極區(qū)16可以具有基本相同的形狀和面積。源極區(qū)15和漏極區(qū)16可以具有在Y方向上延長的形狀。
[0029]柵極接觸件31、源極接觸件35和漏極接觸件36可分別設(shè)置在均沿Y方向延伸的虛擬的柵極穿過線Yg、虛擬的源極穿過線Ys和虛擬的漏極穿過線Yd上。例如，虛擬的柵極穿過線Yg可以沿Y方向穿過柵電極23和溝道區(qū)11，虛擬的源極穿過線Ys可以沿Y方向穿過源極區(qū)15，虛擬的漏極穿過線Yd可以沿Y方向穿過漏極區(qū)16。如圖1A中所示，虛擬的穿過線Yg、Ys和Yd可以大體上分別與柵極接觸件31、源極接觸件35和漏極接觸件36的中心交叉。
[0030]源極接觸件35和漏極接觸件36可以設(shè)置在沿X方向彼此平行地延伸的虛擬的源極/漏極接觸件交叉線Xsd上。例如，源極接觸件35中的一個(gè)和漏極接觸件36中的一個(gè)可以均設(shè)置在虛擬的源極/漏極接觸件交叉線Xsd中的一條上。
[0031]源極接觸件35和漏極接觸件36可以關(guān)于沿Y方向二等分柵電極23的線對(duì)稱地設(shè)置。例如，每個(gè)源極接觸件35和柵電極23之間的距離可以與每個(gè)漏極接觸件36和柵電極23之間的距離相同。
[0032]柵極接觸件31沒有設(shè)置在虛擬的源極/漏極接觸件交叉線Xsd上。反之，柵極接觸件31可以設(shè)置在沿X方向彼此平行地延伸的虛擬的柵極接觸件交叉線Xg中的各條虛擬的柵極接觸件交叉線Xg上。每條虛擬的柵極接觸件交叉線Xg可以自虛擬的源極/漏極接觸件交叉線Xsd起始沿- Y方向(或+Y方向)偏移。例如，每條虛擬的柵極接觸件交叉線Xg可以在源極接觸件35中的兩個(gè)相鄰的源極接觸件35之間和/或漏極接觸件36中的兩個(gè)相鄰的漏極接觸件36之間穿過。因此，柵極接觸件31可以不與源極接觸件35或漏極接觸件36在X方向上對(duì)齊。
[0033]柵極接觸件31均可以與彼此最為接近的兩個(gè)源極接觸件35分隔開基本相同的距離，并且可以與彼此最為接近的兩個(gè)漏極接觸件36分隔開基本相同的距離。
[0034]柵極接觸件31、源極接觸件35和漏極接觸件36的尺寸可以基本相同。
[0035]柵極接觸件31和源極接觸件35可以在X方向和Y方向兩個(gè)方向上均以之字形圖案設(shè)置。同樣地，柵極接觸件31和漏極接觸件36可以在X方向和Y方向兩個(gè)方向上均以之字形圖案設(shè)置。
[0036]柵極互連件41、源極互連件45和漏極互連件46可以分別沿著虛擬的柵極穿過線Yg、虛擬的源極穿過線Ys和虛擬的漏極穿過線Yd彼此平行地延伸。柵極互連件41可以與柵電極23平行地延伸，并可以與柵電極23疊置。源極互連件45可以與源極區(qū)15平行地延伸，并可以與源極區(qū)15疊置。漏極互連件46可以與漏極區(qū)16平行地延伸，并可以與漏極區(qū)16疊置。
[003