有機發(fā)光二極管及其制作方法、顯示基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光器件領(lǐng)域，具體涉及一種有機發(fā)光二極管及其制作方法、顯示基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1des，簡稱0LED)被譽為新一代平板顯示器件，具有自發(fā)光、寬視角、對比度高、反應時間快、柔性顯示等優(yōu)勢，有望成為下一代主流平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。有機發(fā)光二極管包括陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，為了提高有機發(fā)光二極管器件中的導電性能，一般會對空穴傳輸層進行P型摻雜和/或?qū)﹄娮觽鬏攲舆M行N型參雜，其中P型摻雜物主要氧化鉬、氧化鎢、碳酸銫等，N型摻雜物主要是堿金屬化合物，如氟化鋰等。在制作過程中，通過蒸鍍具有P型摻雜的材料來形成具有P型摻雜的空穴傳輸層或通過蒸鍍具有N型摻雜的材料來形成具有N型摻雜的電子傳輸層。蒸鍍形成的結(jié)構(gòu)可以提升有機發(fā)光二極管器件本身的效率和降低電壓，但是對有機發(fā)光二極管器件的出光率并沒有什么提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種有機發(fā)光二極管及其制作方法、顯示基板和顯示裝置，以在提升有機發(fā)光二極管本身的效率和降低電壓的同時，提高有機發(fā)光二極管器件的出光率。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管，包括電子傳輸層和空穴傳輸層，所述電子傳輸層中摻雜有N型摻雜物，所述N型摻雜物包括多個由N型半導體材料制成的納米顆?；蚣{米線；和/或所述空穴傳輸層中摻雜有P型摻雜物，所述P型摻雜物包括多個由P型半導體材料制成的納米顆?；蚣{米線。
[0005]優(yōu)選地，所述納米線的直徑在5?10nm之間，長度在0.2?20um之間；所述納米顆粒的粒徑在5?10nm之間。
[0006]優(yōu)選地，所述N型半導體材料包括砸化鋅、氟化鋅中的任意一種；所述P型半導體材料包括碲化祕、硫化鎘、砸化鎘、氮化鎵、二氧化鈦、氧化鋅中的任意一種。
[0007]相應地，本發(fā)明還提供一種有機發(fā)光二極管的制作方法，包括:
[0008]提供待形成膜層的溶液；
[0009]在所述待形成膜層的溶液中摻雜納米線或納米顆粒，其中，所述待形成膜層為電子傳輸層，所述納米線和所述納米顆粒的材料為N型半導體材料；或者，所述待形成膜層為空穴傳輸層，所述納米線和所述納米顆粒的材料為P型半導體材料；
[0010]將摻雜有納米線或納米顆粒的溶液涂覆在基板上。
[0011]優(yōu)選地，所述在待形成膜層的溶液中摻雜納米線或納米顆粒的步驟包括:
[0012]在基片上形成多個納米線或納米顆粒；
[0013]將形成有納米線或納米顆粒的基片放置于所述待形成膜層的溶液中；
[0014]振蕩所述待形成膜層的溶液，以使得所述納米線或納米顆粒從所述基片上脫落。
[0015]優(yōu)選地，所述振蕩所述待形成膜層的溶液的步驟包括:利用超聲振蕩儀對所述溶液進行超聲振蕩。
[0016]優(yōu)選地，所述在基片上形成多個納米線或納米顆粒的步驟包括:
[0017]在所述基片上形成具有多個孔道的模板，所述孔道的孔徑為納米級；
[0018]在所述孔道內(nèi)形成用于形成N型半導體或P型半導體的源材料金屬；
[0019]對所述孔道的源材料金屬進行氧化，以形成N型半導體或P型半導體；
[0020]去除所述模板。
[0021]優(yōu)選地，所述基片為金屬基片，所述在所述基片上形成具有多個孔道的模板的步驟包括:
[0022]將所述基片置于電解質(zhì)溶液中并對所述基片進行陽極化處理，以在所述基片表面形成金屬氧化物層，且所述金屬氧化物層被所述電解質(zhì)腐蝕形成多個所述孔道，形成有孔道的金屬氧化物層即為所述模板。
[0023]優(yōu)選地，在所述將所述基片置于電解質(zhì)溶液中進行陽極化處理的步驟之前還包括:
[0024]對所述基片進行退火處理或拋光處理。
[0025]優(yōu)選地，所述基片為鋁片，所述去除所述模板的步驟包括:
[0026]利用堿性溶液溶解掉所述金屬氧化物層，并保留所述孔道內(nèi)的N型半導體或P型半導體。
[0027]優(yōu)選地，所述在利用堿性溶液溶解掉所述金屬氧化物層的步驟包括:利用超聲振蕩儀對所述堿性溶液進行超聲振蕩。
[0028]優(yōu)選地，所述基片為石英基片，所述在所述基片上形成具有多個孔道的模板的步驟包括:
[0029]將所述基片置于反應腔室中；
[0030]向所述反應腔室中通入反應氣體，以在所述基片上形成碳納米管陣列，所述碳納米管陣列即為所述具有多個孔道的模板。
[0031]優(yōu)選地，所述反應氣體包括氫氣、乙炔和氬氣。
[0032]優(yōu)選地，所述孔道的深度在0.2?20 μ m之間，孔徑在5?10nm之間。
[0033]相應地，本發(fā)明還提供一種顯示基板，包括本發(fā)明提供的上述有機發(fā)光二極管。
[0034]相應地，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明提供的上述顯示基板。
[0035]在本發(fā)明中，由于P型摻雜物的費米能級較低且接近空穴傳輸層的最高已占軌道較為接近，N型摻雜物的費米能級較高且接近電子傳輸層的最低未占軌道，從而提高電子和空穴的迀移率，改善導電性能。電子和空穴復合釋放出的能量傳遞給發(fā)光層中的分子，使其受到激發(fā)，并進一步產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象，而由于本發(fā)明中的N型摻雜物和P型摻雜物為納米級的納米線或納米顆粒，納米線和納米顆粒的直徑為納米級，當納米線或納米顆粒在膜層中大量分布時，可以增加光的散射，從而提高有機發(fā)光二極管的出光率，提高器件的外量子效率，從而改善顯示裝置的顯示效果。且本發(fā)明提供的有機發(fā)光二極管的制作方法較為簡單，適合大面積生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0036]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0037]圖1是本發(fā)明的實施例中提供的有機發(fā)光二極管的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖2是本發(fā)明的實施例中提供的有機發(fā)光二極管的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖3是本發(fā)明的實施例中提供的有機發(fā)光二極管的制作方法流程圖；
[0040]圖4是本發(fā)明的實施例中基片和具有孔道的金屬氧化物層的剖視圖；
[0041]圖5是孔道的俯視圖；
[0042]圖6是本發(fā)明的實施例中形成有納米線的基片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖7是納米線混合在待形成膜層的溶液中的示意圖。
[0044]其中，附圖標記為:
[0045]10、陽極層；20、空穴注入層；30、空穴傳輸層；31、納米線；40、發(fā)光層；50、電子傳輸層；60、電子注入層；70、陰極層；80、孔道；90、基片；91、金屬氧化物層。
【具體實施方式】
[0046]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0047]作為本發(fā)明的第一個方面，提供一種有機發(fā)光二極管，如圖1和圖2