結(jié)合：
（CuPc ;吸收光 波長范圍：600~800納米）、
（ZnPc ;吸收光波長范圍：600~ 700納米）、
（SubPc ;吸收光波長范圍：450~600納米）、
(SubNc ;吸收光波長范圍：500~750納米）、
(Perylene)、
（PTCDA ;吸收光波長范圍：400~600納米）、
(PTCDI ;吸收光波長范圍：400~600納米）、
(P3HT ;吸收光波長范圍：400~650納米）.
（PCBM ;吸收光波長范圍： 300~600納米）
（DCJTB ;吸收光波長范圍：400~650納米）、Fe203 (吸 收光波長范圍：300~600納米）。
[0039] 由于各個材料具有不同的吸收光波長范圍，因此采用第一光吸收層151搭配第二 光吸收層153制作光吸收復合層150,則可以適當調(diào)配選用的材料類型，而調(diào)整出最適當?shù)?吸收光波長范圍，進而制作出具有純黑色特性的光吸收復合層150。
[0040] 實施例中，第一光吸收層151和第二光吸收層153的至少其中之一可包括P型摻 雜材料（P-type dopant),例如是 F4-TCNQ。
[0041] 實施例中，第一電極層120例如是陽極（anode)，第二電極層130例如是陰極 (cathode)。其中，第一電極層120例如是反射電極層。
[0042] 實施例中，有機發(fā)光二極管顯不器100還可包括一發(fā)光層160,發(fā)光層160形成于 基板110上且覆蓋像素定義層140與第一電極層120設(shè)置，而第二電極層130則位于基板 110上且覆蓋發(fā)光層160,亦即發(fā)光層160位于第一電極層120與第二電極層130之間。
[0043] 如圖1所不，光吸收復合層150形成于基板110和第一電極層120、像素定義層 140兩者之間。亦即光吸收復合層150對應多個像素區(qū)域P與像素定義層140設(shè)置。實施 例中，有機發(fā)光二極管顯示器100的光吸收復合層150是一整片的膜層，整片的光吸收復合 層150形成于第一電極層120之下。由于光吸收復合層150形成于底部，除了可以吸收由 發(fā)光層160所發(fā)出經(jīng)由像素定義層向底部射入的光線，來避免光線于底部反射出去到鄰近 像素造成側(cè)向漏光的問題，也使得由外部觀看像素定義層140的區(qū)域時會看到黑色，這可 以降低第一電極層120反射之.光線的影響、增加在室外觀看的對比度、以及增加可讀性。
[0044] 此外，光吸收復合層150是一整面的膜層，不具有對應像素區(qū)域P的圖案，因此不 需要采用精密的光掩模蝕刻制作工藝制作，而不易發(fā)生因為對位精準度不佳衍生的問題。
[0045] 圖2繪示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光二極管顯示器200的示意圖。本實施 例中與前述實施例相同的元件沿用同樣的元件標號，且相同元件的相關(guān)說明請參考前述， 在此不再贅述。
[0046] 如圖2所示，本實施例中，光吸收復合層150位于像素定義層140上。詳細地說，光 吸收復合層150只形成于像素定義層140上，像素區(qū)域P暴露于光吸收復合層150之外。本 實施例中，光吸收復合層150形成于發(fā)光層160和像素定義層140之間。也就是說，有機發(fā) 光二極管顯示器200的光吸收復合層150具有對應于像素區(qū)域P的圖案的斷層開口 140a， 因此可以更加有效地隔離像素區(qū)域P之間的漏光現(xiàn)象。
[0047] 又一實施例中，有機發(fā)光二極管顯示器的光吸收復合層150還可包括一第三光吸 收層（未繪示）。第三光吸收層形成于第二光吸收層153上，第三光吸收層吸收的光線具有 不同于第一光吸收層151吸收的光線的波長范圍及第二光吸收層153吸收的光線的波長范 圍。
[0048] 以下就實施例作進一步說明。以下實施例中，以第一光吸收層151包括P型摻雜 材料、第二光吸收層153包括CuPc為例，圖3繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的第一光吸收層151 和第二光吸收層153的厚度相對于平均光穿透率的關(guān)系；圖4繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的 發(fā)光波長范圍相對于第一光吸收層151的光穿透率的關(guān)系；圖5繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例 的發(fā)光波長范圍相對于第二光吸收層153的光穿透率的關(guān)系；圖6繪示根據(jù)本發(fā)明一實施 例的發(fā)光波長范圍相對于光吸收復合層150的光穿透率的關(guān)系；圖7繪示根據(jù)本發(fā)明一實 施例的第一光吸收層151和第二光吸收層153的厚度相對于光吸收率的關(guān)系。然而以下的 實施例為例示說明之用，而不應被解釋為本發(fā)明實施的限制。需注意的是，光穿透率與光吸 收率具有互補的性質(zhì)，當?shù)谝还馕諏?51和/或第二光吸收層153對于一光線具有高光 穿透率，則對于此光線具有低光吸收率。
[0049] 圖3是量測發(fā)光在波長范圍550~750納米的平均光穿透率。如圖3所示，平均光 穿透率和膜層的厚度具有一大約反比的關(guān)系。其中曲線I表示P型摻雜材料的第一光吸收 層151，曲線II表示CuPc的第二光吸收層153。當?shù)谝还馕諏?51與第二光吸收層153 疊置而成光吸收復合層150后，總體的平均光穿透率可以因加成作用而更低。
[0050] 如圖4所示，P型摻雜材料的第一光吸收層151在發(fā)光波長范圍約380~500納 米具有良好的吸收度，其穿透率至多為20%。如圖5所示，CuPc的第二光吸收層153在發(fā) 光波長范圍約550~730納米具有良好的吸收度，其穿透率至多為20%。承上，可知P型摻 雜材料的第一光吸收層151與CuPc的第二光吸收層153的主要吸收波長范圍不同。于圖 4與圖5中，可定義P型摻雜材料的第一光吸收層151的第一波長范圍為380~500納米、 第二波長范圍為500~780納米，CuPc的第二光吸收層153的第一波長范圍為400~550 納米、第二波長范圍為550~730納米。其中，第一光吸收層151的第一波長范圍（380~ 500納米）不同于第二光吸收層153的第二波長范圍（550~730納米），且第一光吸收層 151的第一波長范圍（380~500納米）的光穿透率小于第二波長范圍（500~780納米） 的光穿透率，第二光吸收層153的第一波長范圍（400~550納米）的光穿透率大于第二波 長范圍（550~730納米）的光穿透率。如圖6所示，當?shù)谝还馕諏?51和第二光吸收層 153疊設(shè)而成光吸收復合層150后，則在380~730納米的波長范圍都具有低于20%的光 穿透率，表示光吸收復合層150可有效地吸收可見光，而可以達到有效隔離像素區(qū)域之間 的漏光。
[0051] 如圖7所示，當P型摻雜材料的第一光吸收層151和CuPc的第二光吸收層153的 厚度均大于約110納米時，此二者光吸收層151和153均可具有約大于50%的光吸收率。
[0052] 綜上所述，雖然結(jié)合以上優(yōu)選實施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更 動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍應當以附上的權(quán)利要求所界定的為準。
【主權(quán)項】
1. 一種有機發(fā)光二極管顯示器，具有多個像素區(qū)域，該有機發(fā)光二極管顯示器包括： 基板； 像素定義層，該些像素區(qū)域經(jīng)由該像素定義層分隔開來；以及 光吸收復合層，位于該基板之上且對應該像素定義層設(shè)置，該光吸收復合層包括： 第一光吸收層，該第一光吸收層吸收具有一第一波長范圍的光線；以及 第二光吸收層，位于該第一光吸收層上，該第二光吸收層吸收具有一第二波長范圍的 光線，其中，該第一波長范圍不同于該第二波長范圍。2. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯TK器，其中該第一光吸收層于該第一波長 范圍下的光穿透率為20~80%，該第二光吸收層于該第二波長范圍下的光穿透率為20~ 80%〇3. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中該第一光吸收層還吸收具有該第 二波長范圍的光線，且該第一光吸收層于該第一波長范圍下的光穿透率小于該第二波長范 圍下的光穿透率。4. 如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中該第二光吸收層還吸收具有該第 一波長范圍的光線，且該第二光吸收層于該第一波長范圍下的光穿透率大于該第二波長范 圍下的光穿透率。5. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中該第一光吸收層的厚度與該第二 光吸收層的厚度分別在500~4000埃之間。6. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中該第一光吸收層和該第二光吸收 層的至少其中之一包括一有機材料。7. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中該光吸收復合層形成于該基板和 該像素定義層之間。8. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中該光吸收復合層位于該像素定義 層上。9. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，還包括： 第一電極層，位于該基板上且對應該像素區(qū)域設(shè)置； 發(fā)光層，位于該基板上且覆蓋該像素定義層與該第一電極層；以及 第二電極層，位于該基板上且覆蓋該發(fā)光層。10. 如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中該光吸收復合層形成于該發(fā)光 層和該像素定義層之間。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種有機發(fā)光二極管顯示器。有機發(fā)光二極管顯示器具有多個像素區(qū)域且包括一基板、一第一電極層、一第二電極層、一像素定義層以及一光吸收復合層。第一電極層形成于基板上，第二電極層形成于第一電極層之上。像素區(qū)域經(jīng)由像素定義層分隔開來。光吸收復合層形成于基板之上，其中光吸收復合層吸收的光線具有波長范圍約380～780納米。光吸收復合層包括一第一光吸收層及一第二光吸收層，第二光吸收層形成于第一光吸收層上。第一光吸收層吸收具有較短波長的光線且第二光吸收層吸收具有較長波長不同于第一光吸收層吸收的光線于波長范圍約380～780納米間。
【IPC分類】H01L27/32, H01L51/52
【公開號】CN105206758
【申請?zhí)枴緾N201410245142
【發(fā)明人】李竣凱, 吳忻蕙
【申請人】群創(chuàng)光電股份有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2014年6月4日