圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)和電感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電感器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)和電感器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著射頻集成電路的快速發(fā)展，對(duì)集成電路的高性能、低功耗、集成度的要求越來越高。為了保證集成電路工藝的穩(wěn)定性和均勻性，集成電路的設(shè)計(jì)和優(yōu)化顯得尤為重要。在整個(gè)集成電路中，電感器是一個(gè)應(yīng)用十分廣泛的元件。
[0003]在電感器制作工藝中，在電感線圈下方通常都有源層(AA)、多晶硅(Poly)、金屬(Metal)等形成的屏蔽結(jié)構(gòu)(該屏蔽結(jié)構(gòu)如圖1所示)，傳統(tǒng)的屏蔽結(jié)構(gòu)使得電感器在工作過程中產(chǎn)生較大的渦流。渦流越大電感器的損耗則越大，電感器的電感隨之減小，同時(shí)，電感器的品質(zhì)因素(Q)也越小。
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽結(jié)構(gòu)導(dǎo)致電感器產(chǎn)生的渦流較大的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供一種圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)和電感器，以解決現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽結(jié)構(gòu)導(dǎo)致電感器產(chǎn)生的渦流較大的問題。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，該圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置在電感器上，電感器包括多邊形電感線圈，其中，圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)包括與多邊形電感線圈的每條邊對(duì)應(yīng)設(shè)置的結(jié)構(gòu)單元，結(jié)構(gòu)單元包括多個(gè)多晶硅條，多個(gè)多晶硅條形成塔型結(jié)構(gòu)，塔型結(jié)構(gòu)以多邊形電感線圈的中心為塔頂。
[0007]進(jìn)一步地，多個(gè)多晶硅條形成多排多晶硅隊(duì)列，多排多晶硅隊(duì)列中每一排多晶硅隊(duì)列所包含的多晶硅條的個(gè)數(shù)各不相同。
[0008]進(jìn)一步地，多排多晶硅隊(duì)列以平行于多邊形電感線圈的邊的方向依次排列，且離多邊形電感線圈的中心越遠(yuǎn)的多晶硅隊(duì)列所包含的多晶硅條的個(gè)數(shù)越多，以形成塔型結(jié)構(gòu)。
[0009]進(jìn)一步地，多個(gè)多晶硅條包括主多晶硅條，其中，不同結(jié)構(gòu)單元的主多晶硅條在多邊形電感線圈的中心位置相連接。
[0010]進(jìn)一步地，中心位置通過金屬材料接地。
[0011]進(jìn)一步地，主多晶硅條位于塔型結(jié)構(gòu)的中間位置，并貫穿多排多晶硅隊(duì)列以將多排多晶娃隊(duì)列連成一體。
[0012]進(jìn)一步地，圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)電材料，導(dǎo)電材料用于將結(jié)構(gòu)單元中的多晶石圭條連接在一起。
[0013]進(jìn)一步地，多邊形電感線圈為正八邊形的電感線圈。
[0014]進(jìn)一步地，多個(gè)多晶硅條中各多晶硅條的大小相同。
[0015]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電感器。根據(jù)本發(fā)明的電感器包括:電感線圈；以及上述的圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)，圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置在電感線圈下方。
[0016]通過本發(fā)明，圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)包括與多邊形電感線圈的每條邊對(duì)應(yīng)設(shè)置的結(jié)構(gòu)單元，結(jié)構(gòu)單元包括多個(gè)多晶硅條，多個(gè)多晶硅條形成塔型結(jié)構(gòu)，塔型結(jié)構(gòu)以多邊形電感線圈的中心為塔頂，通過在電感器中設(shè)置具有塔型結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)單元的PGS結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的屏蔽結(jié)構(gòu)減小了多晶硅條的長(zhǎng)度，減小了渦流面積，解決了現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽結(jié)構(gòu)導(dǎo)致電感器產(chǎn)生的渦流較大的問題，達(dá)到了減小了電感器的渦流效應(yīng)的效果，提高了電感器的品質(zhì)因素。
【附圖說明】
[0017]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0018]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0019]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0020]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)單元的示意圖；
[0021]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電感器與現(xiàn)有技術(shù)中的電感器的電感的參數(shù)對(duì)比圖；以及
[0022]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電感器與現(xiàn)有技術(shù)中的電感器的品質(zhì)因素的參數(shù)對(duì)比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0024]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0025]需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)，該圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)可以用在電感器上。
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖2所示，該圖案接地屏蔽(Patterned Ground Shield,簡(jiǎn)稱PGS)結(jié)構(gòu)設(shè)置在電感器上，電感器包括多邊形電感線圈10，其中，圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)包括與多邊形電感線圈的每條邊對(duì)應(yīng)設(shè)置的結(jié)構(gòu)單元，結(jié)構(gòu)單元包括多個(gè)多晶硅條20，多個(gè)多晶硅條20形成塔型結(jié)構(gòu)，塔型結(jié)構(gòu)以多邊形電感線圈的中心為塔頂。
[0028]多邊形電感線圈可以是正多邊形的電感線圈，正多邊形可以是正四邊形，也可以是正六邊形，還可以是正八變形。如2所示的圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)為正八邊形，僅是對(duì)本發(fā)明做出的示例，并不對(duì)本發(fā)明有不當(dāng)限定。
[0029]如圖2所示，多邊形電感線圈的每條邊均對(duì)應(yīng)的有結(jié)構(gòu)單元，具體地，該結(jié)構(gòu)單元如圖3所示，該結(jié)構(gòu)單元為塔型結(jié)構(gòu)，在該塔型結(jié)構(gòu)中包括多個(gè)多晶硅條20，該塔型結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)單元設(shè)置在多邊形電感線圈10的下方。
[0030]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，通過在電感器中設(shè)置具有塔型結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)單元的PGS結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的屏蔽結(jié)構(gòu)減小了多晶硅條的長(zhǎng)度，減小了渦流面積，解決了現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽結(jié)構(gòu)導(dǎo)致電感器產(chǎn)生的渦流較大的問題，達(dá)到了減小了渦流效應(yīng)的效果，提高了電感器的品質(zhì)因素。
[0031]需要說明的是本發(fā)明實(shí)施例中的PGS結(jié)構(gòu)的有源區(qū)(AA)與多晶硅poly的分布模式相同，這里不做贅述。
[0032]在本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)單元中，多個(gè)多晶硅條形成多排多晶硅隊(duì)列，多排多晶硅隊(duì)列中每一排多晶硅隊(duì)列所包含的多晶硅條的個(gè)數(shù)各不相同。如圖3所示，平行于電感多邊形方向的多晶硅隊(duì)列可以由多晶硅條60串聯(lián)起來，其中，多晶硅條60用于將多晶硅隊(duì)列串聯(lián)起來。需要說明的是，雖然圖中未示出所有的多晶硅條