有卡槽，該卡槽包括與所述第一支撐件21對應(yīng)的第一卡槽和與第二支撐件22對應(yīng)的第二卡槽，第一支撐件21設(shè)置在所述第一卡槽內(nèi)，第二支撐件22設(shè)置在第二卡槽內(nèi)，第一支撐件21的高度小于第二支撐件22的高度，和/或所述第一卡槽的深度大于所述第二卡槽的深度，從而使得第一支撐件
21凸出于托盤10表面的高度小于第二支撐件33凸出于托盤10表面的高度，進(jìn)而使得設(shè)置在第一預(yù)定位置的基片30的底表面與托盤的表面之間的間隙較小，設(shè)置在第二預(yù)定位置的基片30的底表面與托盤10的表面之間的間隙較大。
[0029]更進(jìn)一步地，第一支撐件21凸出于托盤10的表面的高度為O?70 μ m，第二支撐件22凸出于托盤10表面的高度為40?200 μ m。即，設(shè)置在第一預(yù)定位置的基片30的底表面與托盤10的表面之間的間隙為O?70 μ m，設(shè)置在第二預(yù)定位置的基片30的底表面與托盤10的表面之間的間隙為40?200 μ m。例如,第一支撐件21凸出于托盤10的表面的高度為30 μ m，第二支撐件22凸出于托盤10的表面的高度為100 μ m。
[0030]在本發(fā)明中，當(dāng)設(shè)置在第一預(yù)定位置的基片30與托盤10的表面之間的間隙較小，而設(shè)置在第二預(yù)定位置的基片30與托盤10的表面之間的間隙較大時，可以采用不同的方式使得基片30穩(wěn)定地設(shè)置在托盤10上。例如，可以調(diào)節(jié)固定基片30的固定件的高度，將設(shè)置在第一預(yù)定位置的基片30對應(yīng)的固定件的高低降低，使得設(shè)置在第一預(yù)定位置的基片30的高度降低，從而使得設(shè)置在第一預(yù)定位置的基片30的底表面與托盤10的表面之間的間隙減?。灰部梢哉{(diào)節(jié)托盤10的不同區(qū)域的高度，將托盤10的第一預(yù)定位置處的高度升高，從而設(shè)置在第一預(yù)定位置的基片30的底表面與托盤10的表面之間的間隙減小。
[0031]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，如圖3所示，托盤10的表面形成有多個與所述支撐件一一對應(yīng)的承載臺11，該承載臺11朝向基片30凸出，所述卡槽和所述支撐件均設(shè)置在承載臺11上，與第一支撐件21相對應(yīng)的承載臺11的高度大于與第二支撐件22相對應(yīng)的承載臺11的高度，因而使得設(shè)置在第一預(yù)定位置的基片30底表面與托盤10的表面(承載臺11的表面)之間的間隙較小，設(shè)置在第二預(yù)定位置的基片30底表面與托盤10的表面之間的間隙較大，而多個基片30的高度一致，從而便于對多個基片30同時進(jìn)行固定。
[0032]更進(jìn)一步地，如圖3所示，托盤10上還可以設(shè)置有沿托盤10的厚度方向貫穿托盤10的通氣孔40?？梢栽谕斜P10與每個基片30的對應(yīng)位置處設(shè)置多個通氣孔40，以向每個基片30的底表面通入冷卻氣體，從而對基片30進(jìn)彳丁冷卻。
[0033]更進(jìn)一步地，如圖3所示，所述托盤組件還可以包括蓋板50，蓋板50設(shè)置在托盤10的上方，以將基片30固定在蓋板50和托盤10之間。具體地，蓋板50上可以設(shè)置有與基片30對應(yīng)的通孔40，當(dāng)蓋板50將基片30固定在蓋板50和托盤10之間時，基片30的上表面可以由所述通孔露出，從而與反應(yīng)腔室中的活性粒子接觸，以進(jìn)行刻蝕。
[0034]上述為對本發(fā)明所提供的托盤組件的描述，可以看出，在進(jìn)行等離子刻蝕時，相對于等離子濃度較高的區(qū)域的基片而言，位于等離子濃度較低的區(qū)域的基片的底表面與托盤表面之間的間隙較小，使得等離子濃度較低的區(qū)域內(nèi)的基片與托盤之間的間隙中冷卻氣體的熱傳導(dǎo)率較大，因而使得該區(qū)域內(nèi)的基片的溫度較低，從而提高等離子濃度低的區(qū)域內(nèi)的基片刻蝕速率，進(jìn)而減少由于等離子濃度不同導(dǎo)致的刻蝕速度的差異，提高不同區(qū)域內(nèi)的基片的刻蝕的均勻性。
[0035]作為本發(fā)明的另一方面，提供一種刻蝕設(shè)備，包括托盤組件和位于該托盤組件上方的起輝線圈，其中，所述托盤組件為本發(fā)明所提供的上述托盤組件，所述第一預(yù)定位置對應(yīng)于所述起輝線圈的軸線，從而提高第一預(yù)定位置的刻蝕速率，改善由于等離子濃度分布不均而造成的刻蝕速率不同的現(xiàn)象發(fā)生，提高基片刻蝕的均勻性。
[0036]優(yōu)選地,所述刻蝕設(shè)備為用于刻蝕PSS (圖形化藍(lán)寶石襯底，patterned sapphiresubstrate)圖形片的刻蝕設(shè)備。在刻蝕過程中，將多個用于刻蝕的基板固定在刻蝕設(shè)備的托盤和蓋板中同時進(jìn)行刻蝕，本發(fā)明可以提高對應(yīng)于起輝線圈的軸線位置處的基片的刻蝕速率，提高基片刻蝕的均勻性，因此，進(jìn)行大量PSS刻蝕工藝過程中，可以提供PSS圖形片的質(zhì)量。
[0037]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種托盤組件，包括托盤和設(shè)置在所述托盤上的支撐件，所述支撐件用于支撐多個基片，并使得所述基片的底表面與所述托盤的表面之間形成有容納冷卻氣體的間隙，其特征在于，所述支撐件包括設(shè)置在第一預(yù)定位置的第一支撐件和設(shè)置在第二預(yù)定位置的第二支撐件，所述第一支撐件凸出于所述托盤的表面的高度小于所述第二支撐件凸出于所述托盤的表面的高度，以使所述第一支撐件所支撐的基片與所述托盤的表面之間的間隙小于所述第二支撐件所支撐的基片與所述托盤的表面之間的間隙，所述第一預(yù)定位置對應(yīng)于利用所述托盤組件進(jìn)行等離子刻蝕時等離子濃度較低的區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤組件，其特征在于，所述第一預(yù)定位置位于所述托盤的中心部位。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤組件，其特征在于，所述托盤上還設(shè)置有卡槽，該卡槽包括與所述第一支撐件對應(yīng)的第一卡槽和與所述第二支撐件對應(yīng)的第二卡槽，所述第一支撐件設(shè)置在所述第一卡槽內(nèi)，所述第二支撐件設(shè)置在第二卡槽內(nèi)，所述第一支撐件的高度小于所述第二支撐件的高度，和/或所述第一卡槽的深度大于所述第二卡槽的深度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述托盤組件，其特征在于，所述第一支撐件凸出于所述托盤表面的高度為O?70 μ m，所述第二支撐件凸出于所述托盤表面的高度為40?200 μ m。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的托盤組件，其特征在于，所述托盤的表面形成有多個與所述支撐件一一對應(yīng)的承載臺，該承載臺朝向所述基片凸出，所述卡槽和所述支撐件均設(shè)置在所述承載臺上，與所述第一支撐件相對應(yīng)的承載臺的高度大于與所述第二支撐件相對應(yīng)的承載臺的高度。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項所述的托盤組件，其特征在于，所述托盤上還設(shè)置有沿所述托盤的厚度方向貫穿該托盤的通氣孔。7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項所述的托盤組件，其特征在于，所述托盤組件還包括蓋板，所述蓋板設(shè)置在所述托盤的上方，以將所述基片固定在所述蓋板和所述托盤之間。8.一種刻蝕設(shè)備，包括托盤組件和位于該托盤組件上方的起輝線圈，其特征在于，所述托盤組件為權(quán)利要求1至7中任意一項所述的托盤組件，所述第一預(yù)定位置對應(yīng)于所述起輝線圈的軸線。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述刻蝕設(shè)備為用于刻蝕PSS圖形片的刻蝕設(shè)備。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種托盤組件，包括托盤和設(shè)置在所述托盤上的支撐件，所述支撐件用于支撐多個基片，并使得所述基片的底表面與所述托盤的表面之間形成有容納冷卻氣體的間隙，所述支撐件包括設(shè)置在第一預(yù)定位置的第一支撐件和設(shè)置在第二預(yù)定位置的第二支撐件，所述第一支撐件凸出于所述托盤的表面的高度小于所述第二支撐件凸出于所述托盤的表面的高度，以使所述第一支撐件所支撐的基片與所述托盤的表面之間的間隙小于所述第二支撐件所支撐的基片與所述托盤的表面之間的間隙，所述第一預(yù)定位置對應(yīng)于利用所述托盤組件進(jìn)行等離子刻蝕時等離子濃度較低的區(qū)域。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種刻蝕設(shè)備。本發(fā)明能夠提高不同區(qū)域內(nèi)的基片刻蝕速率的均勻性。
【IPC分類】H01J37/305, H01J37/20
【公開號】CN105225908
【申請?zhí)枴緾N201410273661
【發(fā)明人】朱印伍, 劉海鷹, 吳鑫, 馮林軍
【申請人】北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2014年6月18日