m的厚度?？蛇x地，絕緣材料104可以包括其他材料和尺寸。例如，使用旋涂、層壓或其他方法形成絕緣材料104。
[0039]接下來(lái)，如圖2所示，在絕緣材料104上方形成晶種層106。晶種層106包括用于隨后的通孔的鍍工藝的晶種材料，本文中將進(jìn)一步描述。作為實(shí)例，晶種層106包括諸如銅、鈦和銅合金的金屬、其他金屬、它們的合金、組合或多層。例如，晶種層106包括約500埃至約5000埃的厚度?？蛇x地，晶種層106可以包括其他材料和尺寸。通過(guò)物理汽相沉積(PVD)或其他方法形成晶種層106。
[0040]如圖3所示，然后在晶種層106上方形成犧牲材料108。作為實(shí)例，在一些實(shí)施例中，犧牲材料108包括光刻膠、有機(jī)材料、絕緣材料或其他材料。如圖4所示，使用光刻工藝或直接圖案化工藝將犧牲材料108圖案化為具有用于多個(gè)通孔的期望的圖案。在光刻工藝中，將包括光刻膠或其他材料的犧牲材料108曝光于從光刻掩模(未TK出)反射或穿過(guò)光刻掩模傳輸?shù)墓饣蚰芰?，該光刻掩模上具有期望的圖案。然后顯影犧牲材料108，并且然后灰化或蝕刻掉犧牲材料108的部分。例如，直接圖案化工藝可以包括使用激光在犧牲材料108中形成圖案?？蛇x地，可以使用其他方法圖案化犧牲材料108。
[0041]如圖5所示，鍍工藝用于在位于晶種層106上方的犧牲材料108的圖案中形成導(dǎo)電材料112。例如，鍍工藝可以包括電化學(xué)鍍(ECP)工藝或其他類型的鍍工藝。晶種層106用作用于導(dǎo)電材料112的鍍工藝的晶種。通過(guò)圖案化的犧牲材料108在晶種層106上方鍍導(dǎo)電材料112。
[0042]如圖6所示，然后剝離或去除犧牲材料108。在去除犧牲材料108之后，部分的晶種層106仍位于已經(jīng)鍍到晶種層106上的導(dǎo)電材料112之間的絕緣材料104上方。
[0043]如圖7所示，然后去除晶種層106的暴露部分。例如，使用蝕刻工藝或其他工藝來(lái)去除導(dǎo)電材料112的區(qū)域之間的晶種層106的暴露部分。晶種層106和導(dǎo)電材料112包括用于半導(dǎo)體器件的封裝件的通孔106/112。每個(gè)通孔106/112均包括具有晶種層106的材料的下部和具有鍍上的導(dǎo)電材料112的上部。
[0044]在其他實(shí)施例中，通孔106/112可以使用消減技術(shù)(subtractive technique)、鑲嵌技術(shù)或其他方法形成。例如，在消減技術(shù)中，可以在絕緣材料104的整個(gè)表面上方形成導(dǎo)電材料，諸如Cu、Cu合金、其他金屬或它們的組合或多層，并且圖案化導(dǎo)電材料以形成通孔106/112。例如，在這些實(shí)施例中，通孔106/112可以包括未示出的單個(gè)材料層?？梢允褂霉饪虂?lái)圖案化導(dǎo)電材料，方法如下:在導(dǎo)電材料上方形成光刻膠層，將光刻膠層曝光于從光刻掩模反射或穿過(guò)光刻掩模傳輸?shù)墓饣蚰芰?，其中，光刻掩模上具有期望的圖案，以及顯影光刻膠層。然后灰化并去除光刻膠層的曝光(或未曝光，取決于光刻膠層是正性還是負(fù)性)部分。然后在用于導(dǎo)電材料的蝕刻工藝期間，將光刻膠的圖案化層用作蝕刻掩模。去除光刻膠的層，留下圖案化為具有通孔106/112的期望的圖案的導(dǎo)電材料。
[0045]例如，在一些實(shí)施例中，通孔106/112的第一側(cè)連接至絕緣材料104。
[0046]接下來(lái)參照?qǐng)D8，在形成通孔106/112之后，提供多個(gè)集成電路管芯120，并且將多個(gè)集成電路管芯120接合至絕緣材料104。集成電路管芯120在本文中(例如，在一些權(quán)利要求中)也稱為管芯120。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，集成電路管芯120包括將進(jìn)行封裝的半導(dǎo)體器件。例如，可以預(yù)先在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓上制造集成電路管芯120，并且分割或切割一個(gè)或多個(gè)晶圓以形成多個(gè)集成電路管芯120。
[0047]集成電路管芯120包括襯底122，襯底122包括半導(dǎo)體材料以及在其內(nèi)和/或上制造的電路、部件、布線和其他元件(未示出)。集成電路管芯120適合于執(zhí)行預(yù)定的一種或多種功能，作為實(shí)例，諸如邏輯、存儲(chǔ)、處理、其他功能或它們的組合。集成電路管芯120在頂視圖中的形狀通常是正方形的或矩形的(未示出)。每個(gè)集成電路管芯120均包括第一側(cè)128a和第二側(cè)128b，第二側(cè)128b與第一側(cè)128a相對(duì)。集成電路管芯120的第一側(cè)128a連接至絕緣材料104。
[0048]每個(gè)集成電路管芯120均包括穿過(guò)它的第二側(cè)128b形成的多個(gè)接觸焊盤124。接觸焊盤124電連接至襯底122的部分。作為實(shí)例，接觸焊盤124包括諸如銅、鋁、其他金屬、或它們的合金或多層的導(dǎo)電材料?？蛇x地，接觸焊盤124可以包括其他材料。
[0049]接觸焊盤124形成在襯底122上方的絕緣材料126內(nèi)。接觸焊盤124的頂面的部分暴露在絕緣材料126內(nèi)，從而使得可以制造至接觸焊盤124的電連接。絕緣材料126可以包括一個(gè)或多個(gè)絕緣材料層，諸如二氧化硅、氮化硅、聚合物材料或其他材料。例如，在一些實(shí)施例中，絕緣材料126包括鈍化層。
[0050]多個(gè)集成電路管芯120通過(guò)絕緣材料104連接至載具100。圖8至圖16僅示出兩個(gè)集成電路管芯120 ;然而，數(shù)十、數(shù)百或更多的集成電路管芯120可以連接至載具100并且同時(shí)被封裝。集成電路管芯120的第一側(cè)128a通過(guò)絕緣材料104連接至載具100。例如，可以使用諸如管芯附接膜(DAF)的粘合劑將集成電路管芯120連接至絕緣材料104。可以手動(dòng)地或使用諸如拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化機(jī)器將集成電路管芯120連接至絕緣材料104。
[0051]在一些實(shí)施例中，集成電路管芯120連接至設(shè)置在載具100上的絕緣材料104，并且將集成電路管芯120封裝在單個(gè)封裝件中。在其他實(shí)施例中，可以將兩個(gè)以上的集成電路管芯120封裝在一起。例如，根據(jù)一些實(shí)施例，可以將包括相同或不同功能的多個(gè)集成電路管芯120封裝在一起。
[0052]如圖9所示，然后在集成電路管芯120和通孔106/112上方和周圍設(shè)置模塑材料130。例如，在一些實(shí)施例中，使用晶圓級(jí)模塑工藝施加模塑材料130。在絕緣材料104的暴露部分上方、集成電路管芯120的側(cè)壁上方、集成電路管芯120的第二側(cè)128b的暴露部分上方、以及通孔106/112的側(cè)壁和頂面上方形成模塑材料130。例如，在多個(gè)通孔106/112周圍、多個(gè)管芯120周圍、以及多個(gè)通孔106/112和多個(gè)管芯120之間形成模塑材料130。在一些實(shí)施例中，模塑材料130的第一側(cè)連接至絕緣材料104。
[0053]例如，可以使用壓縮模塑、傳遞模塑或其他方法來(lái)模制模塑材料130。例如，模塑材料130包封集成電路管芯120和通孔106/112。作為實(shí)例，模塑材料130可以包括環(huán)氧化物、有機(jī)聚合物、添加或未添加二氧化硅基或玻璃填料的聚合物、或其他材料。在一些實(shí)施例中，模塑材料130包括在施加時(shí)為凝膠型液體的液態(tài)模塑料(LMC)。模塑材料130也可以包括在施加時(shí)為液體或固體的材料?？蛇x地，模塑材料130可以包括其他絕緣和/或包封材料。
[0054]接下來(lái)，在一些實(shí)施例中，使用固化工藝來(lái)固化模塑材料130。固化工藝可以包括使用退火工藝或其他加熱工藝將模塑材料130加熱至預(yù)定溫度并保持預(yù)定的一段時(shí)間。固化工藝也可以包括紫外(UV)光曝光工藝、紅外(IR)能量曝光工藝、它們的組合或具有加熱工藝的組合?？蛇x地，可以使用其他方法固化模塑材料130。在一些實(shí)施例中，不包括固化工藝。
[0055]如圖10所示，然后去除模塑材料130的頂部。例如，在一些實(shí)施例中，使用研磨工藝去除模塑材料130的頂部。例如，研磨工藝可以包括類似于使用旋轉(zhuǎn)式砂光機(jī)的用于木材的砂光工藝的工藝。例如，研磨工藝可以包括旋轉(zhuǎn)用一種或多種合適的材料作內(nèi)襯的研磨盤以將模塑材料130的材料研磨至預(yù)定高度。例如，研磨盤可以用金剛石作內(nèi)襯。例如，在一些實(shí)施例中，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝用于去除模塑材料130的頂部。也可以使用研磨工藝和CMP工藝的組合。例如，在一些實(shí)施例中，CMP工藝或研磨工藝可以適合于在到達(dá)集成電路管芯120的第二側(cè)128b和/或通孔106/112的頂面時(shí)停止。在一些實(shí)施例中，CMP工藝和/或研磨工藝包括前側(cè)研磨工藝。
[0056]在一些實(shí)施例中，不需要研磨或CMP工藝。例如，在一些實(shí)施例中，可以施加模塑材料130從而使得模塑材料130到達(dá)與集成電路管芯120的第二側(cè)128b和通孔106/112的頂面的水平面基本上相同的水平面。在一些實(shí)施例中，作為另一個(gè)實(shí)例，在施加模塑材料130之后，模塑材料130的頂面可以位于集成電路管芯120的第二側(cè)128b和通孔106/112的頂面下方(未示出)。
[0057]在一些實(shí)施例中，在研磨和/或CMP工藝之后，或在模塑材料130的沉積工藝之后，模塑材料130的頂面與集成電路管芯120的第二側(cè)128b和通孔106/112的頂面基本上共面。模塑材料130與第二側(cè)128b和通孔106/112的頂面基本上共面有利地促進(jìn)了隨后形成的互連結(jié)構(gòu)132的形成，圖11中示出了互連結(jié)構(gòu)132。例如，在一些實(shí)施例中，模塑材料130、集成電路管芯120和通孔106/112的頂面包括用于形成互連結(jié)構(gòu)132的基本上平坦的表面。
[0058]在多個(gè)通孔106/112的第二側(cè)上方形成互連結(jié)構(gòu)132，該第二側(cè)與多個(gè)通孔106/112的連接至絕緣材料104的第一側(cè)相對(duì)。同樣地，在模塑材料130的第二側(cè)上方形成互連結(jié)構(gòu)132，該第二側(cè)與模塑材料130的連接至絕緣材料104的第一側(cè)相對(duì)。類似地，在集成電路管芯120的第二側(cè)128b上方形成互連結(jié)構(gòu)132，第二側(cè)128b與集成電路管芯120的第一側(cè)128a相對(duì)。
[0059]在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)132包括后鈍化互連件(PPI)結(jié)構(gòu)或重分布層(RDL)，例如，PPI結(jié)構(gòu)或RDL形成在多個(gè)集成電路管芯120、模塑材料130和通孔106/112的頂面上方。例如,在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)132包括將集成電路管