的各步驟對應(yīng)所形成的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖3a為基板的薄膜通孔超聲顯影后的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖3b為基板的薄膜通孔濕法腐蝕去除Cu層后的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖4為根據(jù)圖1的基板上薄膜通孔互連制作方法形成結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0061]圖5為本發(fā)明的基板上薄膜通孔互連制作方法的流程示意圖。
[0062]標(biāo)號說明:100-基板，101-通孔柱，102-TiW膜，103_Cu膜、106_Cu層，104-光刻膠(第一次光刻)、108-光刻膠(第二次光刻)，105-Cu/Ni/Au復(fù)合金屬層，107-光刻膠的剝離區(qū)(第一次光刻)、111_光刻膠的剝離區(qū)(第二次光刻)，109-Tiff/Cu膜的去除區(qū)，IlO-Cu層的去除區(qū)，112-BCB介質(zhì)層，113-顯影殘留，114-薄膜通孔，115-去除Cu層的薄膜通孔，116-固化后的BCB介質(zhì)層，117-介質(zhì)層上的導(dǎo)帶圖形。
【具體實(shí)施方式】
[0063]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0064]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0065]圖1示出了本發(fā)明的一種基板上薄膜通孔互連制作方法，包括以下步驟:
[0066](al)提供一帶有多個通孔柱的基板，對基板上表面進(jìn)行研磨拋光，并對拋光面進(jìn)行清洗，清洗之后將其干燥處理，清洗并干燥后的基板進(jìn)行熱處理，熱處理后對其進(jìn)行第二次清洗；
[0067](a2)在干凈的基板上表面上依次濺射TiW和Cu形成復(fù)合粘附層；
[0068](a3)在基板的復(fù)合粘附層之上進(jìn)行第一次光刻，在基板通孔柱位置處形成薄膜導(dǎo)帶光刻圖形；
[0069](a4)在基板的薄膜導(dǎo)帶光刻圖形上依次電鍍Cu、N1、Au形成復(fù)合金屬層，并在復(fù)合金屬層表面電鍍一 Cu層；
[0070](a5)去除光刻膠；
[0071](a6)在基板的Cu層之上對應(yīng)通孔柱位置處進(jìn)行第二次光刻，形成覆蓋基板通孔柱位置處的薄膜通孔光刻圖形；
[0072](a7)采用濕法腐蝕工藝，將基板上裸露表面的Cu層和復(fù)合粘附層去除；
[0073](a8)去除光刻膠；
[0074](a9)在去膠后的基板上表面旋涂苯丙環(huán)丁烯、顯影處理，光刻形成BCB介質(zhì)層的介質(zhì)膜通孔圖形；
[0075](alO)在形成介質(zhì)膜通孔圖形的基板上進(jìn)行超聲顯影，去除介質(zhì)膜通孔圖形上對應(yīng)通孔柱處的顯影殘留，形成基板上無顯影殘留的薄膜通孔；
[0076](all)對去除顯影殘留后的基板進(jìn)行濕法腐蝕，去除對應(yīng)薄膜通孔處裸露的Cu層，監(jiān)控基板直至全部薄膜通孔內(nèi)裸露出復(fù)合金屬層；
[0077](al2)對去除Cu層后的基板固化BCB介質(zhì)層；
[0078](al3)重復(fù)(a2)至(al2)步驟，完成基板的薄膜通孔互連。
[0079]具體的，下面結(jié)合圖1和圖2a?2n將各步驟進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0080]參看圖1和2a，在步驟(al)中，進(jìn)一步包括:
[0081]提供一帶有通孔柱101的基板100，對基板100上表面進(jìn)行研磨拋光，使其上表面粗糙度低于0.1 μ m，且基板100通孔柱101的端面完整裸露在基板100上表面；
[0082]接著，對基板100拋光面進(jìn)行清洗，依次采用丙酮超聲清洗約lOmin，酒精超聲清洗約lOmin，去離子水超聲清洗約5min，清洗的時間可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整；
[0083]接著，清洗之后將基板100用酒精脫水，用氮?dú)夂?或惰性氣體將基板100吹干；
[0084]接著，將清洗并干燥后的基板100放入400°C真空烘箱中在氮?dú)夂?或惰性氣體氣氛下對基板100進(jìn)行熱處理，以釋放基板100表面通孔柱101中吸附的氣體，并去除基板100上可能吸附的水分和殘留雜質(zhì)，提高薄膜膜層附著力；
[0085]接著，使用等離子體對熱處理后的基板100清洗約5min，優(yōu)選的，可以使用200W氬氣等離子體清洗，但并不限制于此。
[0086]參看圖1和2b，在步驟(a2)中，在用等離子體清洗過的基板100上表面濺射一層Tiff膜102和Cu膜103作為復(fù)合粘附層，Tiff膜102的厚度在0.01?0.07 μ m之間可選，Cu膜103的厚度在0.2?0.5 μπι之間可選。
[0087]參看圖1和2c，在步驟(a3)中，采用旋涂光刻膠104、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜等光刻工藝，對步驟(a2)之后的基板100進(jìn)行第一次光刻，在基板100通孔柱101位置處形成薄膜導(dǎo)帶光刻圖形，基板100通孔柱101位置處裸露出復(fù)合粘附層，裸露的面積大于通孔柱端面的面積，該工藝形成的光刻膠厚度要比之后電鍍導(dǎo)帶的厚度更厚些，由于基板表面粗糙度較大，優(yōu)選負(fù)性光刻膠進(jìn)行第一次光刻。
[0088]參看圖1和圖2d，在步驟(a4)中，將步驟(a3)中光刻好的基板100安裝在電鍍夾具上，依次在薄膜導(dǎo)帶光刻圖形中電鍍Cu/Ni/Au復(fù)合金屬層105，并在Au膜表面電鍍一層Cu層106，其中，復(fù)合金屬層105的Cu膜厚度范圍為3?5 μ m、Ni膜的厚度范圍為0.5?I ynuAu膜的厚度范圍為0.5?I μπι，復(fù)合金屬層105表面上的Cu層106厚度范圍為0.5?I μ m，較佳的，在電鍍前將基板100置于水中潤濕，置于2?5%體積濃度比例的稀鹽酸溶液中5?10s，以去除復(fù)合粘附層銅膜103上可能存在的銅氧化層。
[0089]參看圖1和2e，在步驟(a5)中，將步驟(a4)中電鍍好的基板100 (干燥狀態(tài))置于約80°C的剝離液中去膠，進(jìn)行去膠形成光刻膠的膠剝離區(qū)107，去膠時間5?15min，然后依次置于負(fù)膠漂洗液、丙酮、乙醇、水中漂洗，用氮?dú)饣蚨栊詺怏w等不與其反應(yīng)的氣體將基板吹干。
[0090]參看圖1和2f，在步驟(a6)中，在基板100的Cu層106之上對應(yīng)通孔柱101位置處旋涂光刻膠108進(jìn)行第二次光刻，形成可覆蓋基板100通孔柱101位置的薄膜通孔光刻圖形，該圖形覆蓋的位置用于之后形成薄膜通孔。
[0091]參看圖1和2g，在步驟(a7)中，使用濕法腐蝕工藝，將基板100上未被光刻膠覆蓋的Cu層106形成Cu層的去除區(qū)110，以及未被復(fù)合金屬層105覆蓋的復(fù)合粘附層TiW膜102和Cu膜103去除形成TiW/Cu膜的去除區(qū)109，濕法腐蝕工藝中的Cu腐蝕液各組份的體積比為HCl: H2O2: H2O = 1:3:20，腐蝕時間為2?1s，TiW腐蝕液為H2O2,腐蝕時間為5?15min0
[0092]參看圖1和2h，在步驟(a8)中，按(a5)將步驟(a7)處理好的基板100 (干燥狀態(tài))置于約80°C的剝離液中去膠，進(jìn)行去膠形成光刻膠的膠剝離區(qū)111，去膠時間5?15min，然后依次置于負(fù)膠漂洗液、丙酮、乙醇、水中漂洗，用氮?dú)饣蚨栊詺怏w等不與其反應(yīng)的氣體將基板100吹干。
[0093]參看圖1和2i，在步驟(a9)中，依次進(jìn)行旋涂增粘劑、增粘劑烘烤、旋涂苯丙環(huán)丁烯、前烘、接觸式曝光、顯影前烘、浸沒式顯影的工藝，光刻形成BCB介質(zhì)層112的介質(zhì)膜通孔圖形，介質(zhì)膜通孔圖形上會有顯影殘留113，其中，苯丙環(huán)丁烯膜厚為4?7 μ m，浸沒式顯影溫度為35?40°C，浸沒式顯影時間為2?4min。
[0094]參看圖1和2j，步驟(a I O)具體包括:
[0095]alOl:在形成介質(zhì)膜通孔圖形的基板100上進(jìn)行超聲顯影，其中，超聲頻率為120kHz?170kHz，超聲顯影時間為I?5min ；
[0096]al02:將超聲顯影之后的基板100置于常溫定影液下定影，定影時間為I?2min ；
[0097]al03:將定影后的基板100漂洗20s，去除介質(zhì)膜通孔圖形上對應(yīng)通孔柱101處的顯影殘留113，形成基板100上無顯影殘留113的薄膜通孔114 ;
[0098]al04:基板100清洗后使用氮?dú)夂?或惰性氣體吹干；
[0099]al05:將基板100置于80°C?100°C烘箱中烘Imin左右。
[0100]參看圖1和2k，在步驟(all)中，采用濕法腐蝕工藝，濕法腐蝕工藝中的Cu腐蝕液各組份的體積比為HCl: H2O2 IH2O= 1:3:20,濕法腐蝕去除薄膜通孔114裸露的Cu層106，觀察薄膜通孔114內(nèi)的Cu層106的去除直到裸露出復(fù)合金屬層的金膜為止，形成去除Cu層106的薄膜通孔115，腐蝕時間為2?10s，可快速實(shí)現(xiàn)高密度通孔可靠互連的過程控制與檢測，如圖3a和3b所示，基板100上的分布在BCB介質(zhì)層112中的薄膜通孔中，從圖3a的Cu層106，逐漸變成了圖3b的Cu/Ni/Au復(fù)合金屬層105，薄膜多層布線成品率達(dá)到100%，布線質(zhì)量可靠。
[0101]參看圖1和21，在步驟(al2)中，將步驟(all)處理好的基板100進(jìn)行階梯狀溫度固化，固化后BCB介質(zhì)層116包括軟固化BCB介質(zhì)層和硬固化BCB介質(zhì)層，其中BCB軟固化后可繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)薄膜布線，對去除Cu層106后的基板100固化具體包括:將基板100上的BCB進(jìn)行軟固化，緩慢升溫到210°C左右并維持40min，之后自然降到室溫；將軟固化后的基板100上的BCB進(jìn)行硬固化，緩慢升溫到250°C左右并維持60min，之后自然降到室溫，BCB硬固化后表明在基板100上完成薄膜布線工藝。
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