顯示面板結(jié)構(gòu)及制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板結(jié)構(gòu)及制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在制備AM0LED顯示器件時，在封裝區(qū)進行玻璃膏(Frit)固化時，會使得被封裝區(qū)所暴露的數(shù)據(jù)線(Data Line，簡稱DL)由于內(nèi)應力作用，致使產(chǎn)生斷裂等缺陷的產(chǎn)生，進而影響后續(xù)制備的產(chǎn)品器件的性能及良率。
[0003]圖1?3為傳統(tǒng)對顯示器件進行封裝的流程結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1至3所示，首先，在玻璃襯底(Glass) 11之上依次制備緩沖層(Buffer) 12、柵絕緣層(Gate Insulatinglayer，簡稱 GI) 13、層間絕緣層(Interlayer Dielectric，簡稱 ILD) 14、數(shù)據(jù)線(DataLine，簡稱DL) 15、純化層(BP) 16、平坦化層(Planarizat1n Layer，簡稱PL) 17和像素定義層(Pixel Defining Layer，簡稱Η))，繼續(xù)于像素定義層18上制備間隔層(Spacer Layer,簡稱SP) 19后，刻蝕暴露的像素定義層18至數(shù)據(jù)線15的表面，以形成貫穿像素定義層18、平坦化層17及鈍化層16的封裝凹槽10，即形成圖1所示的結(jié)構(gòu)。
[0004]其次，如圖2所示，玻璃膏101直接覆蓋在數(shù)據(jù)線15的表面上，而數(shù)據(jù)線15 —般又為三層結(jié)構(gòu)(即Ti/Al/Ti)，且位于最下方的Ti層又與層間絕緣層14貼合，所以在封裝凹槽10中涂覆玻璃膏(Fan Out Frit) 101后，繼續(xù)激光燒結(jié)工藝(即圖2中箭頭所示)時，即對玻璃膏101激光燒結(jié)封裝的過程中，由于數(shù)據(jù)線15上下層間粘合度不同，進而導致內(nèi)應力出現(xiàn)就會造成如圖3中所示的斷裂102現(xiàn)象的產(chǎn)生，甚至使得位于封裝凹槽10下方或附近的數(shù)據(jù)線15出現(xiàn)斷線缺陷，進而導致產(chǎn)品失效(Fail)，大大降低了產(chǎn)品的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┮环N顯示面板的制備方法，所述顯示面板具有顯示區(qū)和包含封裝區(qū)的非顯示區(qū)，所述制備方法包括:
[0006]提供一基板；
[0007]于所述基板上制備柵絕緣層后，在所述柵絕緣層之上制備柵極線，且所述柵極線由所述顯示區(qū)貫穿所述封裝區(qū)并延伸至相對所述顯示區(qū)另一側(cè)的所述非顯示區(qū)中；
[0008]制備層間絕緣層覆蓋所述柵極線及所述柵絕緣層暴露的表面后，分別于所述封裝區(qū)兩側(cè)的所述層間絕緣層中各制備一連接孔，以將所述柵極線分別位于所述封裝區(qū)兩側(cè)的部分表面予以暴露；
[0009]制備數(shù)據(jù)線薄膜覆蓋所述連接孔的底部及側(cè)壁，且所述數(shù)據(jù)線薄膜還覆蓋所述層間絕緣層的上表面；
[0010]去除位于所述封裝區(qū)內(nèi)的所述數(shù)據(jù)線薄膜后，以形成位于所述封裝區(qū)兩側(cè)并經(jīng)由所述連接孔連接所述柵極線的數(shù)據(jù)線；
[0011]依次制備鈍化層、平坦化層和像素定義層后，于所述封裝區(qū)中制備依次貫穿所述像素定義層、所述平坦化層和所述鈍化層并暴露位于所述封裝區(qū)的所述層間絕緣層表面的封裝凹槽；
[0012]涂覆封裝膠充滿并突出于所述封裝凹槽；
[0013]將一對向基板設(shè)置于所述封裝膠之上后，對所述封裝膠進行固化工藝，以利用所述封裝膠將所述基板和所述對向基板予以密封。
[0014]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板的制備方法中:
[0015]所述封裝膠為玻璃膠。
[0016]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板的制備方法還包括:
[0017]在所述顯示區(qū)中所述像素定義層上制備多個像素凹槽；以及
[0018]于所述多個像素凹槽之上制備有機發(fā)光層。
[0019]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板的制備方法中:
[0020]所述顯示面板為有機發(fā)光顯示面板。
[0021]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板的制備方法還包括:
[0022]于所述顯示區(qū)的所述像素定義層之上制備間隔層；其中
[0023]所述對向基板設(shè)置于所述間隔層之上。
[0024]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板的制備方法還包括:
[0025]于所述基板之上制備緩沖層后，制備所述柵絕緣層覆蓋所述緩沖層的上表面。
[0026]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板的制備方法中:
[0027]制備第一氮化硅薄膜覆蓋所述基板的上表面后，繼續(xù)第一氧化硅薄膜覆蓋所述第一氮化硅薄膜的上表面，以形成所述緩沖層。
[0028]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板的制備方法中:
[0029]采用激光燒結(jié)對所述封裝膠進行所述固化工藝。
[0030]本申請還提供了一種顯示面板結(jié)構(gòu)，具有顯示區(qū)和包含封裝區(qū)的非顯示區(qū)，所述顯示面板結(jié)構(gòu)包括:
[0031]基板，且在位于非顯示區(qū)的所述基板之上按照從下至上順序設(shè)置有柵絕緣層、層間絕緣層、鈍化層、平坦化層和像素定義層；
[0032]柵極線，設(shè)置在所述柵絕緣層與所述層間絕緣層之間，且所述柵極線由所述顯示區(qū)貫穿所述封裝區(qū)并延伸至相對所述顯示區(qū)另一側(cè)的所述非顯示區(qū)中；
[0033]兩連接孔，貫穿所述層間絕緣層，以將所述柵極線分別位于所述封裝區(qū)兩側(cè)的部分表面予以暴露；
[0034]數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述層間絕緣層上的所述封裝區(qū)的兩側(cè)，并經(jīng)由所述連接孔連接所述柵極線；
[0035]封裝凹槽，依次貫穿所述像素定義層、所述平坦化層和所述鈍化層并暴露位于所述封裝區(qū)的所述層間絕緣層的表面；
[0036]封裝膠，充滿并突出所述封裝凹槽；
[0037]對向基板，設(shè)置于所述基板上的所述封裝膠上，所述封裝膠將所述基板和所述對向基板予以密封。
[0038]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板結(jié)構(gòu)中:
[0039]所述封裝膠為玻璃膠。
[0040]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板結(jié)構(gòu)還包括:
[0041]多個像素凹槽，設(shè)置在所述顯示區(qū)中所述像素定義層上；其中
[0042]所述多個像素凹槽上分別設(shè)置有有機發(fā)光層。
[0043]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板結(jié)構(gòu)中:
[0044]所述顯示面板為有機發(fā)光顯示面板。
[0045]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板結(jié)構(gòu)還包括:
[0046]間隔層，設(shè)置于所述顯示區(qū)的所述像素定義層和所述對向基板之間。
[0047]作為一個優(yōu)選的實施例，上述的顯示面板結(jié)構(gòu)還包括:
[0048]緩沖層，位于所述基板與所述柵絕緣層之間。
[0049]上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點或有益效果:
[0050]本申請中的技術(shù)方案是將本來設(shè)置于扇出封裝膠層下方的數(shù)據(jù)線去除，并通過在柵絕緣層中制備貫穿封裝區(qū)并延伸其外的柵極線，以基于通孔工藝利用上述的柵極線將位于封裝區(qū)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線予以連接，進而能夠有效的避免因封裝膠燒結(jié)(鐳射)工藝時，造成的數(shù)據(jù)線斷裂缺陷的產(chǎn)生，進而提高產(chǎn)品的良率。
【附圖說明】
[0051]參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。
[0052]圖1?3為傳統(tǒng)對顯示器件進行封裝的流程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖4?11為本申請實施例中顯示面板的制備方法。
【具體實施方式】
[0054]本申請中提供的顯示面板結(jié)構(gòu)及制備方法，主要是為改善封裝區(qū)(Fan Out)數(shù)據(jù)線(DL)斷線等缺陷，通過在封裝區(qū)刻蝕形成連接孔(CT)，并于柵絕緣層的氮化硅(SiNx)層之上沉積柵極線(GL)，以在后續(xù)制備數(shù)據(jù)線(DL)時，去除位于封裝區(qū)封裝膠下方的數(shù)據(jù)線，并利用上述的連接孔及柵極線實現(xiàn)數(shù)據(jù)線之間的連接，進而使得數(shù)據(jù)線不會與封裝膠(如玻璃膏(Frit))直接接觸，進而能夠有效的避免因后續(xù)封裝膠激光燒結(jié)工藝時造成的內(nèi)應力而致使數(shù)據(jù)線斷線等缺陷的廣生，以有效的提尚制備顯不器件的性能及良率。
[0055]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本申請的實施例進行詳細說明。
[0056]實施例一
[0057]圖4?11為本申請實施例中顯示面板的制備方法；如圖4?11所示，本實施例提供了一種顯示面板的制備方法，該顯示器件具有顯示區(qū)和包含封裝區(qū)20的非顯示區(qū)(需要注意的是，本申請中的圖4?11僅示出顯示器件制備時的非顯示區(qū)中結(jié)構(gòu)，即在該非顯示區(qū)進行器件制備的同時在顯示區(qū)中會同時制備形成顯示單元及其他顯示器件的部件結(jié)構(gòu)，由于其不是本實施例技術(shù)方案的重點，本領(lǐng)域技術(shù)人員在基于常規(guī)顯示器件制備工藝的基礎(chǔ)上，結(jié)合本申請實施例記載的技術(shù)方案便能夠獲知其具體制備的工藝步驟，故在此便不予累述)，包括:
[0058]首先，提供基板(如玻璃基板(Glass)等)21，且該基板21具有用于設(shè)置器件結(jié)構(gòu)的正面表面(即圖4?11所示的上表面)及相對于該正面表面的背部表面(即圖4?11所示的下表面)，即后續(xù)制備的器件結(jié)構(gòu)均位于基板21的上表面上方。
[0059]其次，于上述基板21的正面表面上按照從下至上順序依次制備緩沖層(Buffer) 22和柵絕緣層(GI) 23，并刻蝕去除部分柵絕緣層24后，形成柵極線凹槽24，即形成如圖4所示的貫穿封裝區(qū)20并延伸出其外一部分的柵極線凹槽24，且該柵極線凹槽24全部位于非顯示區(qū)中；另外，上述的柵絕緣層23均部分被刻蝕掉，使得柵極線凹槽24的底部(即圖4中虛線所示位置處)位于柵絕緣層23之中，即柵極線凹槽24底部表面與緩沖層22之間還保留有部分柵絕緣層23，以兩者隔離開來。
[0060]優(yōu)選的，上述的緩沖層22包括第一氮化硅薄膜(圖中未示出)和第一氧化硅薄膜(圖中未示出)，且第一氮化硅薄膜(SiNx)覆蓋上述基板21的正面表面上，而第一氧化硅薄膜(S1x)覆蓋上述第一氮化硅薄膜的上表面。
[0061]優(yōu)選的，上述的柵絕緣層23包括依次疊置的第二氧化硅薄膜、第二氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜，即第二氧化硅薄膜覆蓋上述緩沖層22 (即第一氧化硅薄膜)的上表面，第二氮化硅薄膜覆蓋第二氧化硅薄膜的上表面，而第三氮化硅薄膜則覆蓋上述第二氮化硅薄膜的上表面；另外，第二氧化硅薄膜和第二氮化硅薄膜作為顯示器件的第一柵絕緣層(GI1)，而第三氮化硅薄膜則作為顯示器件的第二柵絕緣層(GI2)。
[0062]之后，如圖5所示，沉積柵極線薄膜(圖中未示出)充滿上述的柵極線凹槽24并將柵絕緣層23暴露的表面予以覆蓋，去除除柵極線凹槽24中以外區(qū)域的柵極線薄膜，使得保留的柵極線薄膜作為顯示器件的柵極線241，即該柵極線241貫穿上述的封裝區(qū)20并延伸至