顯示裝置、制造方法及顯示設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置、制造方法及顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種顯示裝置的俯視圖，現(xiàn)有的顯示裝置10’主要包括形成于基板1’之上的布設(shè)像素的顯示區(qū)域2’、驅(qū)動電路3’和封裝區(qū)域4’。封裝區(qū)域4’圍繞顯示區(qū)域2’，驅(qū)動電路3’位于封裝區(qū)域4’與顯示區(qū)域2’之間。
[0003]如圖2所示，圖2為圖1中沿E-E方向的剖面示意圖。圖2中的A部分表示顯示區(qū)域2’、驅(qū)動電路3’與封裝區(qū)域4’之間的剖面示意圖；B部分表示顯示區(qū)域2’的剖面示意圖?；?’包括顯示區(qū)域2’。驅(qū)動電路3’形成于顯示區(qū)域2’的周圍。鈍化層5’覆蓋驅(qū)動電路3’，鈍化層5’包括暴露驅(qū)動電路3’的接觸孔。顯示元件形成于顯示區(qū)域2’，顯示元件至少包括陰極6’、驅(qū)動元件層7’、像素定義層8’、有機(jī)發(fā)光層9’。陰極6’自顯示區(qū)域2’向驅(qū)動電路3’延展，陰極6’通過接觸孔與驅(qū)動電路3’電連接。該顯示裝置10’為有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯不裝置(Active-matrix organic light emitting d1de,AMOLED)面板，驅(qū)動元件層7’中進(jìn)一步包含薄膜晶體管驅(qū)動元件、陽極等元件。
[0004]顯示裝置10’，其中陰極6’的邊界超出顯示區(qū)域2’很多，在超出的這一部分(位于驅(qū)動電路3’之上，通常超出的距離h要大于驅(qū)動電路3’的寬度Η的70%，甚至是80% )，實現(xiàn)陰極6’與下層電路(驅(qū)動電路3’ )的導(dǎo)通和連接。其中，陰極6’的厚度可以為150埃。
[0005]因此這一區(qū)域的成膜質(zhì)量直接影響著窄邊框的效果。如圖4所示，圖4為現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置蒸鍍狀態(tài)的示意圖。將顯示裝置10’設(shè)置在掩膜12’上，放置在蒸發(fā)源13’的上方，蒸發(fā)源13’通過蒸鍍工藝制作陰極(圖中未示出)。由于蒸鍍工藝的邊界極難控制，所以薄膜邊界的位移量會比較大。那么，如果邊界偏移到封裝區(qū)域4’，則會影響封裝的效果；如果邊界便移到顯示區(qū)域2’，則顯示裝置10’會因為導(dǎo)通不良而產(chǎn)生顯示異常。所以，一般地，封裝區(qū)域4’與顯示區(qū)域2’之間的距離會留的足夠的大，特別當(dāng)驅(qū)動電路3’可以縮到很小的時候，這一距離仍然會要求足夠的大。這種情況對于面板的窄邊框來說，是及其不利的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供顯示裝置、制造方法及顯示設(shè)備，縮短了封裝區(qū)域與顯示區(qū)域之間的距離，以便減小邊框的寬度，實現(xiàn)窄邊框結(jié)構(gòu)。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種顯示裝置，包括:
[0008]基板，包括顯示區(qū)域；
[0009]驅(qū)動電路，形成于所述顯示區(qū)域的周圍；
[0010]鈍化層，覆蓋所述驅(qū)動電路，所述鈍化層包括暴露所述驅(qū)動電路的接觸孔；
[0011]第一導(dǎo)電層，覆蓋所述鈍化層，通過所述接觸孔接觸所述驅(qū)動電路；以及
[0012]顯示元件，形成于所述顯示區(qū)域，所述顯示元件具有自所述顯示區(qū)域向所述驅(qū)動電路延展的第一電極層，所述第一電極層通過所述第一導(dǎo)電層與所述驅(qū)動電路電連接。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供一種顯示設(shè)備，包括一顯示裝置，所述顯示裝置包括:
[0014]基板，包括顯示區(qū)域；
[0015]驅(qū)動電路，形成于所述顯示區(qū)域的周圍；
[0016]鈍化層，覆蓋所述驅(qū)動電路，所述鈍化層包括暴露所述驅(qū)動電路的接觸孔；
[0017]第一導(dǎo)電層，覆蓋所述鈍化層，通過所述接觸孔接觸所述驅(qū)動電路；以及
[0018]顯示元件，形成于所述顯示區(qū)域，所述顯示元件具有自所述顯示區(qū)域向所述驅(qū)動電路延展的第一電極層，所述第一電極層通過所述第一導(dǎo)電層與所述驅(qū)動電路電連接。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供一種顯示裝置的制造方法，包括:
[0020]提供一基板，包括顯示區(qū)域；
[0021]在所述基板上形成驅(qū)動電路和第二電極層，所述第二電極層位于所述顯示區(qū)域內(nèi)，所述驅(qū)動電路位于所述顯示區(qū)域周圍；
[0022]在所述驅(qū)動電路上形成鈍化層，并且在所述第二電極層上形成像素定義層，所述像素定義層包含多個開口；
[0023]在所述鈍化層上形成第一導(dǎo)電層，覆蓋所述鈍化層，并且通過過孔工藝接觸所述驅(qū)動電路；
[0024]形成有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層位于像素定義層的多個開口中；以及
[0025]形成自所述顯示區(qū)域向所述驅(qū)動電路延展的第一電極層，所述第一電極層通過所述第一導(dǎo)電層與所述驅(qū)動電路電連接。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供另一種顯示裝置的制造方法，包括:
[0027]提供一基板，包括顯示區(qū)域；
[0028]在所述基板上形成驅(qū)動電路和第二電極層，所述第二電極層位于所述顯示區(qū)域內(nèi)，所述驅(qū)動電路位于所述顯示區(qū)域周圍；
[0029]在所述驅(qū)動電路上形成鈍化層，并且在所述第二電極層上形成像素定義層和有機(jī)發(fā)光層，所述像素定義層包含多個開口，所述有機(jī)發(fā)光層位于所述像素定義層的所述多個開口中；
[0030]形成自所述顯示區(qū)域向所述驅(qū)動電路延展的第一電極層；以及
[0031 ] 在所述鈍化層上形成第一導(dǎo)電層，覆蓋所述鈍化層和第一電極層，所述第一導(dǎo)電層通過過孔工藝接觸所述驅(qū)動電路，所述第一電極層通過所述第一導(dǎo)電層與所述驅(qū)動電路電連接。
[0032]本發(fā)明的顯示裝置、制造方法及顯示設(shè)備縮短了封裝區(qū)域與顯示區(qū)域之間的距離，以便減小邊框的寬度，實現(xiàn)窄邊框結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0033]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0034]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置的俯視圖；
[0035]圖2為圖1中沿E-E方向的剖面示意圖；
[0036]圖3為現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置蒸鍍狀態(tài)的示意圖；
[0037]圖4為本發(fā)明實施例提供的顯示裝置的俯視圖；
[0038]圖5為圖4中沿F-F方向的本發(fā)明第一實施例的顯示裝置的剖面示意圖；
[0039]圖6為本發(fā)明第一實施例的顯示裝置的制造方法的流程圖；
[0040]圖7為圖4中沿F-F方向的本發(fā)明第二實施例的顯示裝置的剖面示意圖；
[0041]圖8為本發(fā)明第二實施例的顯示裝置的制造方法的流程圖；
[0042]圖9為圖4中沿F-F方向的本發(fā)明第三實施例的顯示裝置的剖面示意圖；以及
[0043]圖10為本發(fā)明第三實施例的顯示裝置的制造方法的流程圖。
[0044]附圖標(biāo)記
[0045]1 ’基板
[0046]2’顯示區(qū)域
[0047]3’驅(qū)動電路
[0048]4’封裝區(qū)域
[0049]5’鈍化層
[0050]6’陰極
[0051]7’驅(qū)動元件層
[0052]8’像素定義層
[0053]9’有機(jī)發(fā)光層
[0054]10’顯示裝置
[0055]12’掩膜
[0056]13’蒸發(fā)源
[0057]1基板
[0058]2顯示區(qū)域
[0059]3驅(qū)動電路
[0060]4封裝區(qū)域
[0061]5鈍化層
[0062]6第一電極層
[0063]7驅(qū)動元件層
[0064]8像素定義層
[0065]9有機(jī)發(fā)光層
[0066]10顯示裝置
[0067]11第一導(dǎo)電層
[0068]14第二導(dǎo)電層
[0069]Η驅(qū)動電路的寬度
[0070