半導體晶片保護用膜及半導體裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導體晶片保護用膜及半導體裝置的制造方法。
【背景技術】
[0002] 在使用半導體晶片的半導體裝置的制造方法中，支撐體介由粘接層與半導體電路 面接合，并以半導體電路面受到保護的狀態(tài)從另一面研磨半導體晶片。然后，在半導體晶片 被研磨的面，貼附切割膠帶，去除支撐體，進行切割。
[0003] 在研磨時，作為保護半導體電路面的方法，有時使用保護膠帶來代替支撐體，尤其 對于包括在半導體晶片的上下方向形成電連接部即被稱為貫通電極的工序的半導體晶片 的情況下，由于半導體晶片薄且工序中包括加熱工序，因此，通常將耐熱性、半導體晶片的 支撐性更優(yōu)異的支撐體與具有耐熱性的粘接層一起使用。
[0004] 作為去除這樣的支撐體的方法，有如下方法：一邊加熱一邊使支撐體與半導體晶 片沿水平相反的方向滑動的方法；將半導體晶片或支撐體中的一方固定并將另一方賦予角 度而提拉的方法；將粘接層用溶劑溶解的方法等（專利文獻1)。
[0005] 作為利用將粘接層用溶劑溶解的方法的技術，例如，有專利文獻2所記載的技術。
[0006] 專利文獻2中記載了，使用預先形成了貫通孔和溝的支撐板，介由粘接劑層與半 導體晶片粘合而薄板化后，貼附切割膠帶。然后，利用支撐板的貫通孔和溝供給溶劑而溶解 粘接劑層，從而將支撐板與半導體晶片剝離。
[0007] 現(xiàn)有技術文獻
[0008] 專利文獻
[0009] 專利文獻1 :日本特開2012-144616號公報
[0010] 專利文獻2 :日本特開2007-158124號公報

【發(fā)明內容】

[0011] 發(fā)明所要解決的課題
[0012] 然而，專利文獻2所記載的技術沒有關注切割膠帶對于溶解粘接劑層時所使用的 溶劑的耐性。因此，會因溶劑而產生切割膠帶的粘接性、擴展性、形狀追隨性等特性降低等 問題。
[0013] 本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的發(fā)明，其涉及使用表面平滑的半導體晶片時的耐 溶劑性良好的半導體晶片保護用膜和使用其的半導體裝置的制造方法。
[0014] 用于解決課題的方法
[0015] 本發(fā)明人首次關注并深入研究了在這樣的半導體裝置的制造工序，尤其在切割工 序中所使用的半導體晶片保護用膜的耐溶劑性，其結果發(fā)現(xiàn)了以下的新見解：基材層所包 含的聚合物的利用van Krevelen (范克雷維倫）法求出的溶解度參數(shù)成為良好指標。
[0016] 即，本發(fā)明提供一種半導體晶片保護用膜，其具有：
[0017] 基材層㈧以及形成于上述基材層㈧上的粘著層（0，
[0018] 上述基材層（A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求得的溶解參數(shù)為 9以上。
[0019] 此外，本發(fā)明提供一種半導體裝置的制造方法，其包括：
[0020] 上述半導體晶片保護用膜介由其粘著層（C)貼附于半導體晶片的第一工序；以及
[0021] 將上述半導體晶片與上述半導體晶片保護用膜一起利用溶劑洗滌的第二工序。
[0022] 發(fā)明效果
[0023] 根據(jù)本發(fā)明，可提供在使用表面平滑的半導體晶片時的耐溶劑性良好的半導體晶 片保護用膜及使用其的半導體裝置的制造方法。
【附圖說明】
[0024] 上述目的以及其他目的、特征和優(yōu)點可通過下述的優(yōu)選實施方式及其所附帶的以 下附圖而進一步清晰。
[0025] 圖1是示意性表示實施方式涉及的半導體晶片保護用膜的一例的截面圖。
[0026] 圖2是示意性表示實施方式涉及的半導體裝置的制造方法的一例的工序截面圖。
[0027] 圖3是示意性表示實施方式涉及的半導體裝置的制造方法的一例的工序截面圖。
[0028] 圖4(a)是示意性表示本發(fā)明中的半導體晶片保護用膜的試驗方法的平面圖、以 及（b)是其截面圖。
[0029] 圖5是示意性表示本發(fā)明中的半導體晶片保護用膜的試驗方法的截面圖。
【具體實施方式】
[0030] 以下，對于本發(fā)明的實施方式使用附圖進行說明。予以說明的是，在所有的附圖 中，對于相同的構成要素賦予相同的符號，并適當省略說明。
[0031] (半導體晶片保護用膜）
[0032] 如圖1所示，半導體晶片保護用膜10依次疊層有基材層1、吸收層2、粘著層3。
[0033] (基材層1)
[0034] 作為基材層1，使用將合成樹脂成型加工為膜狀的材料?；膶?可以為單層體， 也可以為二層以上的疊層體。此外，基材層1可以為將熱塑性樹脂成型加工而成的材料，也 可以為將熱固性樹脂制膜后，固化而成的材料。
[0035] 關于基材層1，基材層所含的聚合物的利用van Krevelen法求得的溶解度參數(shù) (以下也表示為"SP值"）為9以上。通過將SP值設為9以上，能夠使其與半導體裝置的 制造工序中使用的溶劑（通常為有機溶劑）的親和性降低，能夠一定程度防止因溶劑與基 材層1接觸而導致基材層1發(fā)生膨脹等變形。由此，能夠有效地抑制溶劑進入基材層1和 與基材層1接觸的層間，具體而言，基材層1和粘著層3之間、基材層1和吸收層2之間等。 其結果是能夠使半導體晶片保護用膜10的耐溶劑性變得良好。
[0036] 此外，優(yōu)選基材層1在25°C、頻率IHz時的拉伸彈性模量Ea為0.1 GPa以上。通過 將拉伸彈性模量Ea設為一定以上，從而能夠進一步抑制基材層1的變形。通過組合這些參 數(shù)，能夠使耐溶劑性變得更加良好。
[0037] 關于以往公知的、可在切割工序等中使用的具有擴展性的半導體晶片保護用膜， 它們沒有像本發(fā)明一樣考慮也用于需要耐溶劑性的工序，因此基材層中使用了耐溶劑性低 的物質，具體而言，使用了 SP值小于9的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（以下，也稱為EVA)、聚 乙烯等。與此相對，本發(fā)明的半導體晶片保護用膜10通過將基材層1所包含的聚合物的SP 值設為9以上，因而能夠抑制溶劑的進入，使耐溶劑性變得良好。
[0038] 基材層1在25°C、頻率IHz時的拉伸彈性模量Ea優(yōu)選為0. 05GPa以上，更優(yōu)選為 0.1 GPa以上。由此，能夠進一步維持半導體晶片保護用膜10的強度。另一方面，從能夠維 持耐溶劑，并且使半導體晶片保護用膜10的形狀追隨性變得良好的觀點考慮，拉伸彈性模 量Ea優(yōu)選為5GPa以下，更優(yōu)選為IGPa以下。
[0039] 基材層1進一步優(yōu)選為僅由SP值為9以上的聚合物構成。由此，能夠使耐溶劑性 變得更加良好。
[0040] 作為基材層1中使用的原料聚合物，例如，可以舉出乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙 烯-丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物、乙烯-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸 共聚物、離子交聯(lián)聚合物樹脂、乙烯-丙烯共聚物、丁二烯系彈性體、苯乙烯-異戊二烯系彈 性體等熱塑性彈性體、聚苯乙烯系樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏氯乙烯系樹脂、聚酰胺系樹脂、 聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亞胺、 聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、丙烯酸系樹脂、氟系樹脂、纖維素系樹脂等。其中，更優(yōu) 選為聚對苯二甲酸丁二醇酯。
[0041] 基材層1中使用的上述聚合物優(yōu)選包含賦予擴展性的成分作為共聚物成分。由 此，能夠維持耐溶劑性，并且得到良好的擴展性。此外，相對于以往公知的具有擴展性的半 導體晶片保護用膜，通過包含賦予擴展性的成分，能夠得到可兼顧耐溶劑性和擴展性的新 的膜。
[0042] 作為賦予擴展性的成分，例如，可以舉出間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2, 6-萘二甲 酸、5-間苯二甲酸磺酸鈉、草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、壬二酸、十二烷二酸、二聚酸、馬 來酸酐、馬來酸、富馬酸、衣康酸、檸康酸、中康酸、環(huán)己烷二甲酸等二羧酸；4-羥基苯甲酸、 ε-己內酯、乳酸等羥基羧酸。此外，優(yōu)選包含二醇，例如，可以舉出1，3-丙二醇、1，4-丁二 醇、新戊二醇、1，6-己二醇、環(huán)己烷二甲醇、三乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、雙酚 Α、雙酚S的環(huán)氧乙烷加成物等二醇等，從與聚合物的相容性的觀點考慮，更優(yōu)選為聚丁二 醇。它們可以使用1種或將2種以上混合而使用。
[0043] 賦予擴展性的成分單體的熔點優(yōu)選為40°C以下，更優(yōu)選為30°C以下。由此，在擴 展半導體晶片保護用膜10的溫度的附近，賦予擴展性的成分變得柔軟，因此能夠維持耐溶 劑性，并且得到良好的擴展性。
[0044] 在將這些基材層1中使用的聚合物成型加工為膜狀時，根據(jù)需要，可以添加穩(wěn)定 劑、潤滑劑、抗氧化劑、顏料、防粘連劑、增塑劑、增粘劑、柔軟劑等。在對基材層1進行成型 加工時添加了穩(wěn)定劑等各種添加劑的情況下，有時添加劑向粘著層3轉移，使粘著層3的特 性發(fā)生變化，或者污染半導體晶片表面。在這樣的情況下，為了防止各種添加劑向粘著層3 轉移，優(yōu)選在基材層1與粘著層3之間設置阻擋層。
[0045] 基材層1的厚度優(yōu)選為2~500 μ m，更優(yōu)選為5~500 μ m。通過設為下限值以上， 能夠維持半導體晶片保護用膜10的形態(tài)。另一方面，通過設為上限值以下，能夠使半導體 晶片保護用膜10的生產性變得良好。
[0046] 在基材層1的設置粘著層3的一側的面上，為了使基材層1與粘著層3的粘接力 提高，優(yōu)選預先實施電暈放電處理或化學處理?；蛘?，為了同樣的目的，也可以在基材層I 與粘著層3之間形成底涂劑層。基材層1可從利用壓延法、T模擠出法、吹脹法、澆鑄法等 公知技術制造的材料之中通過考慮生產性、得到的膜的厚度精度等而進行適當選擇。<