中介基板的制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤指一種提高制作良率的半導(dǎo)體封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前應(yīng)用于晶片封裝領(lǐng)域的技術(shù)，例如晶片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale Package, CSP)、晶片直接貼附封裝(Direct Chip Attached, DCA)或多晶片模組封裝(Multi — Chip Module, MCM)等覆晶型態(tài)的封裝模組、或?qū)⒕Ⅲw堆迭化整合為三維積體電路(3D 1C)晶片堆迭技術(shù)等。
[0003]圖1為現(xiàn)有3D晶片堆迭的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖。如圖1所示，提供一石圭中介板(Through Silicon interposer, TSI) 1,該娃中介板1具有相對的置晶側(cè)10a與轉(zhuǎn)接側(cè)10b、及連通該置晶側(cè)10a與轉(zhuǎn)接側(cè)10b的多個導(dǎo)電娃穿孔(Through-siliconvia, TSV) 100,且該轉(zhuǎn)接側(cè) 10b 上具有一線路重布結(jié)構(gòu)(Redistribut1n layer, RDL) 101。將間距較小的半導(dǎo)體晶片9的電極墊90藉由多個焊錫凸塊102電性結(jié)合至該置晶側(cè)10a上，再以底膠92包覆該些焊錫凸塊102，且形成封裝膠體8于該硅中介板1上，以覆蓋該半導(dǎo)體晶片9。于該線路重布結(jié)構(gòu)101上藉由多個如凸塊的導(dǎo)電元件103電性結(jié)合間距較大的封裝基板7的焊墊70，并以底膠72包覆該些導(dǎo)電元件103。
[0004]圖1A至圖1F為現(xiàn)有硅中介板的制法的示意圖。
[0005]如圖1A所示，提供一已完成布線制程而尚未切割的晶圓10，其由多個如圖1F所示的硅中介板1所構(gòu)成(其詳細(xì)內(nèi)部結(jié)構(gòu)可參考圖1F)，且該晶圓10的置晶側(cè)10a上覆蓋有一支撐件11的保護(hù)層110，使該些焊錫凸塊102埋設(shè)于該保護(hù)層110中。
[0006]如圖1B所示，將該晶圓10以其轉(zhuǎn)接側(cè)10b結(jié)合至一第一承載件12的第一膠膜120上，使該些導(dǎo)電元件103埋設(shè)于該第一膠膜120中。
[0007]如圖1C所示，移除該支撐件11及其保護(hù)層110，以外露該置晶側(cè)10a。
[0008]如圖1C-1所示，于該第一膠膜120上進(jìn)行預(yù)切割制程，以產(chǎn)生多個V形預(yù)切割道121于該第一膠膜120上。
[0009]如圖1C-2所示，以一機(jī)械手臂5固定(如真空吸附)該晶圓10的置晶側(cè)10a。
[0010]如圖1C-3所示，翻轉(zhuǎn)倒置整體結(jié)構(gòu)，再移除該機(jī)械手臂5。接著，利用預(yù)切割道121進(jìn)行定位，使整體結(jié)構(gòu)以該置晶側(cè)10a固定于定位板4上，再固化該第一膠膜120。
[0011]如圖1C-4所示，以另一機(jī)械手臂5’固定(如真空吸附)該第一承載件12。
[0012]如圖1C-5所示，移除該定位板4，再將第二承載件13的第二膠膜130結(jié)合至該晶圓10的置晶側(cè)10a，使該些焊錫凸塊102埋設(shè)于該第二膠膜130中。
[0013]如圖1D所示，移除該另一機(jī)械手臂5’與第一承載件12，且藉由該預(yù)切割道121移除該第一膠膜120。
[0014]如圖1E所示，進(jìn)行切單作業(yè)，以于該晶圓10的轉(zhuǎn)接側(cè)10b上藉由激光機(jī)6進(jìn)行隱形切割(Stealth Dicing,簡稱SD)制程。
[0015]如圖1F所示，以機(jī)械手臂(圖略)取出各該硅中介板1。
[0016]目前制作該硅中介板1，于晶圓10進(jìn)行激光切單時(shí)，因該置晶側(cè)10a具有特殊布線而令激光無法穿透，所以于移除該支撐件11及其保護(hù)層110后，需先經(jīng)過重置(remount)作業(yè)，即將第二承載件13的第二膠膜130結(jié)合至該晶圓10的置晶側(cè)10a，使該轉(zhuǎn)接側(cè)10b朝上，再進(jìn)行切割。
[0017]然而，前述現(xiàn)有硅中介板1的制法中，由于先將該晶圓10以其轉(zhuǎn)接側(cè)10b結(jié)合至一第一承載件12的第一膠膜120上，再移除該支撐件11及其保護(hù)層110，所以于進(jìn)行切單制程前，需進(jìn)行重置作業(yè)，因而圖1C至圖1D的過程極為復(fù)雜，即需經(jīng)過許多步驟(如圖1C-1至圖1C-5所示)，導(dǎo)致于圖1C-2所示的制程、圖1C-3的翻轉(zhuǎn)倒置及定位步驟將產(chǎn)生破損(crack)(因晶圓10的厚度僅lOOum)或掉落的風(fēng)險(xiǎn)、或于圖1D的移除該第一膠膜120時(shí)，將產(chǎn)生該第二膠膜130脫落(peeling)的風(fēng)險(xiǎn)，以致于制造良率下降，因而增加產(chǎn)品成本。
[0018]此外，圖1C至圖1D的步驟繁多，將降低產(chǎn)量(throughput)，而難以降低產(chǎn)品成本。
[0019]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的目的為提供一種中介基板的制法，以省略現(xiàn)有重置作業(yè)，所以能避免基板本體破裂、掉落或脫落的風(fēng)險(xiǎn)。
[0021]本發(fā)明的中介基板的制法，包括:提供一基板本體，該基板本體具有相對的置晶側(cè)與轉(zhuǎn)接側(cè)、及連通該置晶側(cè)與轉(zhuǎn)接側(cè)的導(dǎo)電穿孔，且該置晶側(cè)上覆蓋有一保護(hù)層；于該基板本體的轉(zhuǎn)接側(cè)上進(jìn)行切單制程；將該基板本體以其轉(zhuǎn)接側(cè)結(jié)合至一承載件上；移除該保護(hù)層；以及移除該承載件，以取得多個該中介基板。
[0022]前述的制法中，該基板本體為半導(dǎo)體板體。
[0023]前述的制法中，該基板本體為晶圓型式。
[0024]前述的制法中，該中介基板為晶片型式。
[0025]前述的制法中，該中介基板的轉(zhuǎn)接側(cè)用于電性結(jié)合封裝基板，該置晶側(cè)用于電性結(jié)合晶片。
[0026]另外，前述的制法中，該切單制程為隱形切割制程。
[0027]由上可知，本發(fā)明的中介基板的制法，藉由先進(jìn)行切單制程，再移除該保護(hù)層，以省略現(xiàn)有重置作業(yè)，所以能避免現(xiàn)有技術(shù)的破裂、掉落或脫落的風(fēng)險(xiǎn)，以提高產(chǎn)品的良率。
[0028]此外，本發(fā)明省略現(xiàn)有重置作業(yè)，所以能節(jié)省制程時(shí)間及購買機(jī)臺的成本，因而能提高制程效率。
[0029]又，本發(fā)明省略現(xiàn)有重置作業(yè)，因而能減少該基板本體于生產(chǎn)線上傳送時(shí)所造成的產(chǎn)品損壞問題。
[0030]另外，本發(fā)明省略現(xiàn)有重置作業(yè)，能避免該基板本體因該第二膠膜脫落而造成產(chǎn)品損壞的問題。
【附圖說明】
[0031]圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的剖面示意圖；
[0032]圖1A至圖1F為現(xiàn)有硅中介板的制法的剖面示意圖；其中，圖1C-1至圖1C_5為圖1C至圖1D的步驟，圖1E為立體圖；以及
[0033]圖2A至圖2E為本